Kısa tanıtım
IGBT modülü ,üretildi STARPOWER . 1200V 720A.
Özellikler
- Düşük VCE (satürn) Trench IGBT teknolojisi
- Düşük değişim kayıpları
- 4μs kısa devre yeteneği
- Pozitif sıcaklık katsayısı olan VCE (sat)
- En yüksek bağlantı sıcaklığı 175oC
- Düşük endüktansa olan bir vaka
- Hızlı ve yumuşak geri kazanım paralel karşı FWD
- Si3N4AMB teknolojisi kullanılarak izole edilmiş bakır pinfin taban plaka
Tipik Uygulamalar
- Otomotiv uygulama
- Hibrit ve Elektrikli Araç
- Motorlu tahrik için inverter
Mutlak Maksimum Değerlendirmeler T F =25 o C tabii ki aksi takdirde not edildi
IGBT
Sembolik |
Açıklama |
Değerler |
Birim |
V CES |
Toplayıcı-Sütücü Voltajı |
1200 |
V |
V GES |
Kapı-Emitör Voltajı |
±20 |
V |
Ben Çin |
Uygulanan Kolektör Cu kiralık |
720 |
A |
Ben C |
Toplayıcı Akımı @ T F =65 o C |
600 |
A |
Ben CM |
Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t p =1ms |
1440 |
A |
P D |
Maksimum Güç Dağıtımı ation @ T F =75 o C T vj =175 o C |
1204 |
W |
Diyot
Sembolik |
Açıklama |
Değerler |
Birim |
V RRM |
Tekrarlayan Zirve Ters Voltaj gE |
1200 |
V |
Ben FN |
Uygulanan Kolektör Cu kiralık |
720 |
A |
Ben F |
Diyot Sürekli İleri Cu kiralık |
600 |
A |
Ben Fm |
Diyot Maksimum İleri Akımı t p =1ms |
1440 |
A |
Modül
Sembolik |
Açıklama |
Değer |
Birim |
T vjmax |
En yüksek kavşak sıcaklığı |
175 |
o C |
|
T vjop
|
Çalışma Eklem Sıcaklığı sürekli
Bir periyotta 10s 30s, oluşum maksimum 3000 kez ömür boyu ben
|
-40 ile +150 arasında +150 ile +175 |
o C |
T STG |
Depolama sıcaklık aralığı |
-40'tan +125'e kadar |
o C |
V ISO |
İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t=1 min |
3000 |
V |
IGBT Özellikler T F =25 o C tabii ki aksi takdirde not edildi
Sembolik |
Parametre |
Test koşulları |
Min. |
Tipik. |
Max. |
Birim |
|
V CE (sat)
|
Toplayıcıdan Verene Doymak Voltajı
|
Ben C =600A,V GE =15V, T vj =25 o C |
|
1.50 |
|
V
|
Ben C =600A,V GE =15V, T vj =150 o C |
|
1.80 |
|
Ben C =600A,V GE =15V, T vj =175 o C |
|
1.85 |
|
Ben C =720A,V GE =15V, T vj =25 o C |
|
1.60 |
|
Ben C =720A,V GE =15V, T vj =175 o C |
|
2.05 |
|
V GE (th ) |
Geçit-Bölücü Sınırı Voltaj |
Ben C =15.6 mA ,V CE = V GE , T vj =25 o C |
|
6.0 |
|
V |
Ben CES |
Toplayıcı Kes -OFF Akım |
V CE = V CES ,V GE =0V, T vj =25 o C |
|
|
1.0 |
mA |
Ben GES |
Geçit-Emitör Sızıntıları Akım |
V GE = V GES ,V CE =0V, T vj =25 o C |
|
|
400 |
nA |
R Gint |
İç kapı direnci |
|
|
1.67 |
|
ω |
C ies |
Girdi Kapasitesi |
V CE =25V,f=100kHz, V GE =0V
|
|
48.7 |
|
nF |
C - Evet. |
Çıkış Kapasitesi |
|
1.55 |
|
nF |
C res |
Geriye dönüştürme Kapasite |
|
0.26 |
|
nF |
Q G |
Geçit Ücreti |
V CE =800V,I C =600A, V GE =-8…+15V |
|
3.52 |
|
μC |
t d (oN ) |
Açma Gecikme Zamanı |
V CC =800V,I C =600A,
R Git =3.0Ω, R Goff =1.0Ω, L Sahip =24nH,
V GE =-8V/+15V, T vj =25 o C
|
|
208 |
|
ns |
t r |
Kalkma zamanı. |
|
65 |
|
ns |
t d (((off) |
Kapalı Gecikme süresi |
|
505 |
|
ns |
t f |
Sonbahar zamanı |
|
104 |
|
ns |
E oN |
Aç Anahtarlama Kayıp |
|
77.7 |
|
mJ |
E oFF |
Kapatma Değiştirme Kayıp |
|
62.2 |
|
mJ |
t d (oN ) |
Açma Gecikme Zamanı |
V CC =800V,I C =600A,
R Git =3.0Ω, R Goff =1.0Ω, L Sahip =24nH,
V GE =-8V/+15V, T vj =150 o C
|
|
225 |
|
ns |
t r |
Kalkma zamanı. |
|
75 |
|
ns |
t d (((off) |
Kapalı Gecikme süresi |
|
567 |
|
ns |
t f |
Sonbahar zamanı |
|
191 |
|
ns |
E oN |
Aç Anahtarlama Kayıp |
|
110 |
|
mJ |
E oFF |
Kapatma Değiştirme Kayıp |
|
83.4 |
|
mJ |
t d (oN ) |
Açma Gecikme Zamanı |
V CC =800V,I C =600A,
R Git =3.0Ω, R Goff =1.0Ω, L Sahip =24nH,
V GE =-8V/+15V, T vj =175 o C
|
|
226 |
|
ns |
t r |
Kalkma zamanı. |
|
77 |
|
ns |
t d (((off) |
Kapalı Gecikme süresi |
|
583 |
|
ns |
t f |
Sonbahar zamanı |
|
203 |
|
ns |
E oN |
Aç Anahtarlama Kayıp |
|
118 |
|
mJ |
E oFF |
Kapatma Değiştirme Kayıp |
|
85.9 |
|
mJ |
Ben SC |
SC Verileri |
t P ≤4μs, V GE =15V,
T vj =175 o C,V CC =800V, V CEM ≤ 1200V
|
|
2600 |
|
A |
Diyot Özellikler T F =25 o C tabii ki aksi takdirde not edildi
Sembolik |
Parametre |
Test koşulları |
Min. |
Tipik. |
Max. |
Birim |
|
V F
|
Diyot ileriye Voltaj
|
Ben F =600A,V GE =0V,T vj =2 5o C |
|
1.95 |
|
V
|
Ben F =600A,V GE =0V,T vj =150 o C |
|
1.95 |
|
Ben F =600A,V GE =0V,T vj =175 o C |
|
1.90 |
|
Ben F =720A,V GE =0V,T vj =2 5o C |
|
2.05 |
|
Ben F =720A,V GE =0V,T vj =175 o C |
|
2.05 |
|
Q r |
Geri Alınan Ücret |
V R =800V,I F =600A,
-di⁄dt=8281A⁄μs, L Sahip =24n H, V GE =-8V, T vj =25 o C
|
|
44.3 |
|
μC |
Ben RM |
Çığ tersine
Geri kazanım akımı
|
|
346 |
|
A |
E - Bilmiyorum. |
Ters Çıkarma Enerji |
|
16.2 |
|
mJ |
Q r |
Geri Alınan Ücret |
V R =800V,I F =600A,
-di/dt=6954A/μs, L Sahip =24n H, V GE =-8V, T vj =150 o C
|
|
73.4 |
|
μC |
Ben RM |
Çığ tersine
Geri kazanım akımı
|
|
385 |
|
A |
E - Bilmiyorum. |
Ters Çıkarma Enerji |
|
27.8 |
|
mJ |
Q r |
Geri Alınan Ücret |
V R =800V,I F =600A,
-di/dt=6679A/μs, L Sahip =24n H, V GE =-8V, T vj =175 o C
|
|
80.7 |
|
μC |
Ben RM |
Çığ tersine
Geri kazanım akımı
|
|
392 |
|
A |
E - Bilmiyorum. |
Ters Çıkarma Enerji |
|
30.7 |
|
mJ |
NTC Özellikler T F =25 o C tabii ki aksi takdirde not edildi
Sembolik |
Parametre |
Test koşulları |
Min. |
Tipik. |
Max. |
Birim |
R 25 |
Rating direnci |
|
|
5.0 |
|
kΩ |
∆R/R |
Değişim ile ilgili R 100 |
T C =100 o C r 100= 493.3Ω |
-5 |
|
5 |
% |
P 25 |
Güç
Dağılım
|
|
|
|
20.0 |
mW |
B 25/50 |
B değeri |
R 2=R 25exp [B 25/50 1/T 2- 1/(298.15K))] |
|
3375 |
|
K |
B 25/80 |
B değeri |
R 2=R 25exp [B 25/80 1/T 2- 1/(298.15K))] |
|
3411 |
|
K |
B 25/100 |
B değeri |
R 2=R 25exp [B 25/100 1/T 2- 1/(298.15K))] |
|
3433 |
|
K |
Modül Özellikler T F =25 o C tabii ki aksi takdirde not edildi
Sembolik |
Parametre |
Min. |
Tipik. |
Max. |
Birim |
L CE |
Savrulan endüktansa |
|
8 |
|
nH |
R CC+EE |
Modül Kurşun Direnci, Çip'e terminal |
|
0.75 |
|
mΩ |
|
p
|
Soğutma Devresinde Maksimum Basınç - Çabuk
T taban plakası <40 o C
T taban plakası 40o C
(başlangıçtaki basınç)
|
|
|
2.5 2.0 |
bar
|
|
R thJF
|
Kavşak -için -Soğutma Sıvı (perIGBT )Soğutma Sıvısına Kavuşan Birleşim (per Di (çıkış) △ V/ △ t=10.0 dm 3/min ,T F =75 o C |
|
0.072 0.104 |
0.083 0.120 |
K/W |
M |
Terminal Bağlantı Döner, M5 vida Montaj Döner, M4 vida |
3.6 1.8 |
|
4.4 2.2 |
N.M |
G |
Ağırlık ile ilgili Modül |
|
750 |
|
g |
EN
