Tüm Kategoriler
Teklif Alın

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz yakında sizinle iletişime geçecek.
E-posta
Ad
Şirket adı
Mesaj
0/1000

IGBT Modülü 1200V

IGBT Modülü 1200V

Ana Sayfa/Ürünler/IGBT modülü/IGBT Modülü 1200V

GD400SGY120C2S,IGBT Modülü,STARPOWER

IGBT Modülü,1200V 450A

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD400SGY120C2S
  • Giriş
  • Çizelge
Giriş

Kısa tanıtım

IGBT modülü , STARPOWER tarafından üretilmiştir. 1200V 400A.

Özellikler

  • Düşük VCE (satürn) Trench IGBT teknolojisi
  • 10μs kısa devre kapasitesi
  • Pozitif sıcaklık katsayısı olan VCE (sat)
  • En yüksek bağlantı sıcaklığı 175oC
  • Düşük endüktansa olan bir vaka
  • Hızlı ve yumuşak geri kazanım paralel karşı FWD
  • İzole bakır taban plakası DBC teknolojisi kullanarak

Tipik Uygulamalar

  • Motorlu tahrik için inverter
  • AC ve DC servo sürücü amplifikatörü
  • Kesintisiz güç kaynağı

Mutlak Maksimum Değerlendirmeler T C=25o C tabii ki aksi takdirde not edildi

IGBT

Sembolik

AÇIKLAMA

Değer

BİRİM

V CES

Toplayıcı-Sütücü Voltajı

1200

V

V GES

Kapı-Emitör Voltajı

±20

V

IC

Toplayıcı Mevcut @ T C=25o C

@ T C= 100o C

630

400

A

ICm

Yuvarlanan Toplayıcı Mevcut t p =1ms

800

A

PD

Maksimum Güç Dağılım @ T j =175o C

2083

G

Diyot

Sembolik

AÇIKLAMA

Değer

BİRİM

V RRM

Tekrarlanan Zirve Ters Voltajı

1200

V

IF

Diyot Sürekli İleri Akım

400

A

IFm

Diyot Maksimum İleri Akımı t p =1ms

800

A

Modül

Sembolik

AÇIKLAMA

Değer

BİRİM

T jmax

En yüksek kavşak sıcaklığı atür

175

o C

T yapma

Hareket noktası sıcaklığı

-40 ile +150

o C

T STG

Depolama sıcaklık aralığı

-40 ile +125

o C

V ISO

İzolasyon Voltaj RMS , f=50 Hz , t=1 dK

4000

V

IGBT Özellikler T C=25o C tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

BİRİM

V CE (sat )

Toplayıcıdan Verene

Doymak Voltajı

IC=400A, V GE =15V, T j =25o C

1.70

2.15

V

IC=400A, V GE =15V, T j =125o C

1.95

IC=400A, V GE =15V, T j =150o C

2.00

V GE (th)

Geçit-Bölücü Sınırı Voltaj

IC= 10.0mA ,V CE =V GE ,T j =25o C

5.2

6.0

6.8

V

ICES

Toplayıcı kesimi

Mevcut

V CE =V CES ,V GE =0V,

T j =25o C

5.0

mA

IGES

Geçit-Emitör Sızıntıları Mevcut

V GE =V GES ,V CE =0V,

T j =25o C

400

nA

Çubuk Gint

İç kapı direnci

1.9

ω

Cies

Girdi Kapasitesi

V CE =25V, f=1 MHz ,

V GE =0V

41.4

nF

Cres

Geriye dönüştürme

Kapasite

1.16

nF

S G

Geçit Ücreti

V GE =- 15V... +15V

3.11

μC

t d (açık )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V, IC=400A, Çubuk G=2.0Ω,

V GE =±15V, T j =25o C

257

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

96

ns

t d (oFF )

Kapalı Gecikme süresi

628

ns

t f

Sonbahar zamanı

103

ns

Eaçık

Anahtarlama

Kayıp

23.5

mJ

EoFF

Kapatma Değiştirme

Kayıp

34.0

mJ

t d (açık )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V, IC=400A, Çubuk G=2.0Ω,

V GE =±15V, T j = 125o C

268

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

107

ns

t d (oFF )

Kapalı Gecikme süresi

659

ns

t f

Sonbahar zamanı

144

ns

Eaçık

Anahtarlama

Kayıp

35.3

mJ

EoFF

Kapatma Değiştirme

Kayıp

51.5

mJ

t d (açık )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V, IC=400A, Çubuk G=2.0Ω,

V GE =±15V, T j = 150o C

278

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

118

ns

t d (oFF )

Kapalı Gecikme süresi

680

ns

t f

Sonbahar zamanı

155

ns

Eaçık

Anahtarlama

Kayıp

38.5

mJ

EoFF

Kapatma Değiştirme

Kayıp

56.7

mJ

ISC

SC Verileri

t P≤ 10μs, V GE =15V,

T j =150o C,V CC =900V, V CEM ≤ 1200V

1600

A

Diyot Özellikler T C=25o C tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

BİRİM

V F

Diyot ileriye

Voltaj

IF =400A, V GE =0V, T j =25o C

1.80

2.25

V

IF =400A, V GE =0V, T j = 125o C

1.85

IF =400A, V GE =0V, T j = 150o C

1.85

S çubuk

Geri Alınan Ücret

V Çubuk =600V, IF =400A,

-di /dt =5000A/μs, V GE =- 15V T j =25o C

38.0

μC

IRM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

285

A

E- Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

19

mJ

S çubuk

Geri Alınan Ücret

V Çubuk =600V, IF =400A,

-di /dt =5000A/μs, V GE =- 15V T j = 125o C

66.5

μC

IRM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

380

A

E- Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

36.6

mJ

S çubuk

Geri Alınan Ücret

V Çubuk =600V, IF =400A,

-di /dt =5000A/μs, V GE =- 15V T j = 150o C

76.0

μC

IRM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

399

A

E- Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

41.8

mJ

Modül Özellikler T C=25o C tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Min.

Tipik.

Max.

BİRİM

LCE

Savrulan endüktansa

20

nH

Çubuk CC ’+EE

Modül Kurşun Direnci, Terminal chip'e

0.18

Çubuk - Yürü

Kavşak -ile -Durum (her IGBT )

Kavşak -ile -Durum (her Diyot )

0.072

0.095

K/W

Çubuk thCH

Durum -ile -Isı çubuğu (her IGBT )

Durum -ile -Isı çubuğu (her Diyot )

Kürsüden ısı alacağı (modül başına)

0.018

0.023

0.010

K/W

M

Terminal Bağlantı Döner, Vurulmuş📌 M6 Montaj Tork , Vurulmuş📌 M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

G

AĞIRLIĞI Modül

300

g

Çizelge

image(6b521639e0).png

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz yakında sizinle iletişime geçecek.
E-posta
Ad
Şirket adı
Mesaj
0/1000

İlgili Ürün

Ürünlerle ilgili sorularınız var mı?

Profesyonel satış ekibimiz sizin danışmanlığınızı bekliyor.
Ürün listesini takip edip ilgilendiğiniz soruları sorabilirsiniz.

Teklif Alın

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz yakında sizinle iletişime geçecek.
E-posta
Ad
Şirket adı
Mesaj
0/1000

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz yakında sizinle iletişime geçecek.
E-posta
Ad
Şirket adı
Mesaj
0/1000