Tüm Kategoriler
Teklif Alın

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz kısa süre içinde sizinle iletişime geçecektir.
E-posta
Ad
Şirket Adı
Mesaj
0/1000

IGBT Modülü 1700V

IGBT Modülü 1700V

Ana Sayfa /  Ürünler /  IGBT modülü /  IGBT Modülü 1700V

GD1200HFX170C3S,IGBT Modülü,Yüksek akım igbt modülü,STARPOWER

1700V 1200A, A3

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD1200HFX170C3S
  • Giriş
  • Çizelge
  • Eşdeğer Devre Şeması
Giriş

Kısa tanıtım

IGBT modülü ,sTARPOWER tarafından üretilmiştir. 1 700V 1200Bir ,A3 .

Özellikler

  • Düşük VCE (satürn) Trench IGBT teknolojisi
  • 10μs kısa devre kapasitesi
  • Pozitif sıcaklık katsayısı olan VCE (sat)
  • En yüksek bağlantı sıcaklığı 175oC
  • Düşük endüktansa olan bir vaka
  • Hızlı ve yumuşak geri kazanım paralel karşı FWD
  • İzole bakır taban plakası DBC teknolojisi kullanarak

Tipik Uygulamalar

  • Yüksek Güçlü Değiştiriciler
  • Motor Sürücüleri
  • Rüzgar Türbinleri

Mutlak Maksimum Değerlendirmeler T C =25o C tabii ki aksi takdirde not edildi

IGBT

Sembolik

Açıklama

Değer

Birim

V CES

Toplayıcı-Sütücü Voltajı

1700

V

V GES

Kapı-Emitör Voltajı

±20

V

B C

Toplayıcı Akımı @ T C =25o C @ T C =100o C

1965

1200

Bir

B CM

Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t p =1ms

2400

Bir

P D

Maksimum güç Dağılımı @ T vj =175o C

6.55

kw

Diyot

Sembolik

Açıklama

Değer

Birim

V RRM

Tekrarlanan Zirve Ters Volt yaş

1700

V

B F

Diyot Sürekli İleri Cu kiralık

1200

Bir

B Fm

Diyot Maksimum İleri Akımı t p =1ms

2400

Bir

Modül

Sembolik

Açıklama

Değer

Birim

T vjmax

En yüksek kavşak sıcaklığı

175

o C

T vjop

Hareket noktası sıcaklığı

-40 ile +150 arasında

o C

T STG

Depolama sıcaklık aralığı

-40'tan +125'e kadar

o C

V ISO

İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t =1 dakikada

4000

V

IGBT Özellikler T C =25o C tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birim

V CE (sat)

Toplayıcıdan Verene Doymak Voltajı

B C =1200A,V GE =15V, T vj =25o C

1.85

2.30

V

B C =1200A,V GE =15V, T vj =125o C

2.25

B C =1200A,V GE =15V, T vj =150o C

2.35

V GE (th)

Geçit-Bölücü Sınırı Voltaj

B C =48.0mA ,V CE =V GE , T vj =25o C

5.6

6.2

6.8

V

B CES

Toplayıcı Kesilir -OFF Mevcut

V CE =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

5.0

mA

B GES

Geçit-Emitör Sızıntıları Mevcut

V GE =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

Çubuk Gint

İç kapı direnci - Ne?

1.6

ω

C ies

Girdi Kapasitesi

V CE =25V,f=100kHz, V GE =0V

142

nF

C res

Geriye dönüştürme Kapasite

3.57

nF

Q G

Geçit Ücreti

V GE =-15 ...+15V

11.8

μC

t d (üzerinde )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =900V,I C =1200A, Çubuk Git =1.5Ω, Çubuk Goff =3.3Ω, V GE =-10/+15V,

L S =110nH,T vj =25o C

700

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

420

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

1620

ns

t f

Sonbahar zamanı

231

ns

E üzerinde

Anahtarlama Kayıp

616

mJ

E oFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

419

mJ

t d (üzerinde )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =900V,I C =1200A, Çubuk Git =1.5Ω, Çubuk Goff =3.3Ω, V GE =-10/+15V,

L S =110nH,T vj =125o C

869

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

495

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

1976

ns

t f

Sonbahar zamanı

298

ns

E üzerinde

Anahtarlama Kayıp

898

mJ

E oFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

530

mJ

t d (üzerinde )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =900V,I C =1200A, Çubuk Git =1.5Ω, Çubuk Goff =3.3Ω, V GE =-10/+15V,

L S =110nH,T vj =150o C

941

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

508

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

2128

ns

t f

Sonbahar zamanı

321

ns

E üzerinde

Anahtarlama Kayıp

981

mJ

E oFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

557

mJ

B SC

SC Verileri

t P ≤ 10μs, V GE =15V,

T vj =150o C ,V CC =1000V,

V CEM ≤1700V

4800

Bir

Diyot Özellikler T C =25o C tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birim

V F

Diyot ileriye Voltaj

B F =1200A,V GE =0V,T vj =25o C

1.80

2.25

V

B F =1200A,V GE =0V,T vj =125o C

1.90

B F =1200A,V GE =0V,T vj =150o C

1.95

Q çubuk

Geri Alınan Ücret

V Çubuk =900V,I F =1200A,

-di/dt=2430A/μs,V GE =-10V, L S =110nH,T vj =25o C

217

μC

B RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

490

Bir

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

108

mJ

Q çubuk

Geri Alınan Ücret

V Çubuk =900V,I F =1200A,

-di/dt=2070A/μs,V GE =-10V, L S =110nH,T vj =125o C

359

μC

B RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

550

Bir

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

165

mJ

Q çubuk

Geri Alınan Ücret

V Çubuk =900V,I F =1200A,

-di/dt=1970A/μs,V GE =-10V, L S =110nH,T vj =150o C

423

μC

B RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

570

Bir

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

200

mJ

Modül Özellikler T C =25o C tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Min.

Tipik.

Max.

Birim

L CE

Savrulan endüktansa

20

nH

Çubuk CC+EE

Modül Kurşun Direnci, Çip'e terminal

0.37

Çubuk - Yürü

Kavşak -karşı -Vaka (perIGBT ) Çaprazla bağlantı (Di başına) (çıkış)

22.9 44.2

K/kW

Çubuk thCH

Kürsüden ısı toplayıcıya (her IGBT) Kasa-Soğutucu (pe r Diyot) Kasa-Soğutucu (per M odül)

18.2 35.2 6.0

K/kW

M

Terminal Bağlantı Döner, M4 vida Terminal Bağlantı Döner, M8 vida Montaj Döner, M6 Çivit

1.8 8.0 4.25

2.1

10

5.75

N.M

G

Ağırlık nın Modül

1500

g

Çizelge

Eşdeğer Devre Şeması

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz kısa süre içinde sizinle iletişime geçecektir.
E-posta
Ad
Şirket Adı
Mesaj
0/1000

İlgili Ürün

Ürünlerle ilgili sorularınız var mı?

Uzman satış ekibimiz danışmanlık için sabırsızca bekliyor.
Ürün listesini takip edip ilgilendiğiniz soruları sorabilirsiniz.

Teklif Alın

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz kısa süre içinde sizinle iletişime geçecektir.
E-posta
Ad
Şirket Adı
Mesaj
0/1000

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz kısa süre içinde sizinle iletişime geçecektir.
E-posta
Ad
Şirket Adı
Mesaj
0/1000