GD1200HFX170C3S,IGBT Modülü,Yüksek akım igbt modülü,STARPOWER

Sembolik

Açıklama

Değer

Birim

V CES

Toplayıcı-Sütücü Voltajı

1700

V

V GES

Kapı-Emitör Voltajı

±20

V

Ben C

Toplayıcı Akımı @ T C =25 o C @ T C =100 o C

1965

1200

A

Ben CM

Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t p =1ms

2400

A

P D

Maksimum güç Dağılımı @ T vj =175 o C

6.55

kw

Sembolik

Açıklama

Değer

Birim

V RRM

Tekrarlanan Zirve Ters Volt yaş

1700

V

Ben F

Diyot Sürekli İleri Cu kiralık

1200

A

Ben Fm

Diyot Maksimum İleri Akımı t p =1ms

2400

A

Sembolik

Açıklama

Değer

Birim

T vjmax

En yüksek kavşak sıcaklığı

175

o C

T vjop

Hareket noktası sıcaklığı

-40 ile +150 arasında

o C

T STG

Depolama sıcaklık aralığı

-40'tan +125'e kadar

o C

V ISO

İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t =1 dakikada

4000

V

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birim

V CE (sat)

Toplayıcıdan Verene Doymak Voltajı

Ben C =1200A,V GE =15V, T vj =25 o C

1.85

2.30

V

Ben C =1200A,V GE =15V, T vj =125 o C

2.25

Ben C =1200A,V GE =15V, T vj =150 o C

2.35

V GE (th )

Geçit-Bölücü Sınırı Voltaj

Ben C =48.0 mA ,V CE = V GE , T vj =25 o C

5.6

6.2

6.8

V

Ben CES

Toplayıcı Kes -OFF Akım

V CE = V CES ,V GE =0V, T vj =25 o C

5.0

mA

Ben GES

Geçit-Emitör Sızıntıları Akım

V GE = V GES ,V CE =0V, T vj =25 o C

400

nA

R Gint

İç kapı direnci - Ne?

1.6

ω

C ies

Girdi Kapasitesi

V CE =25V,f=100kHz, V GE =0V

142

nF

C res

Geriye dönüştürme Kapasite

3.57

nF

Q G

Geçit Ücreti

V GE =-15 ...+15V

11.8

μC

t d (oN )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =900V,I C =1200A, R Git =1.5Ω, R Goff =3.3Ω, V GE =-10/+15V,

L S =110nH,T vj =25 o C

700

ns

t r

Kalkma zamanı.

420

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

1620

ns

t f

Sonbahar zamanı

231

ns

E oN

Aç Anahtarlama Kayıp

616

mJ

E oFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

419

mJ

t d (oN )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =900V,I C =1200A, R Git =1.5Ω, R Goff =3.3Ω, V GE =-10/+15V,

L S =110nH,T vj =125 o C

869

ns

t r

Kalkma zamanı.

495

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

1976

ns

t f

Sonbahar zamanı

298

ns

E oN

Aç Anahtarlama Kayıp

898

mJ

E oFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

530

mJ

t d (oN )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =900V,I C =1200A, R Git =1.5Ω, R Goff =3.3Ω, V GE =-10/+15V,

L S =110nH,T vj =150 o C

941

ns

t r

Kalkma zamanı.

508

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

2128

ns

t f

Sonbahar zamanı

321

ns

E oN

Aç Anahtarlama Kayıp

981

mJ

E oFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

557

mJ

Ben SC

SC Verileri

t P ≤ 10μs, V GE =15V,

T vj =150 o C ,V CC =1000V,

V CEM ≤1700V

4800

A

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birim

V F

Diyot ileriye Voltaj

Ben F =1200A,V GE =0V,T vj =25 o C

1.80

2.25

V

Ben F =1200A,V GE =0V,T vj =125 o C

1.90

Ben F =1200A,V GE =0V,T vj =150 o C

1.95

Q r

Geri Alınan Ücret

V R =900V,I F =1200A,

-di/dt=2430A/μs,V GE =-10V, L S =110nH,T vj =25 o C

217

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

490

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

108

mJ

Q r

Geri Alınan Ücret

V R =900V,I F =1200A,

-di/dt=2070A/μs,V GE =-10V, L S =110nH,T vj =125 o C

359

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

550

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

165

mJ

Q r

Geri Alınan Ücret

V R =900V,I F =1200A,

-di/dt=1970A/μs,V GE =-10V, L S =110nH,T vj =150 o C

423

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

570

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

200

mJ

Sembolik

Parametre

Min.

Tipik.

Max.

Birim

L CE

Savrulan endüktansa

20

nH

R CC+EE

Modül Kurşun Direnci, Çip'e terminal

0.37

mΩ

R - Yürü

Kavşak -için -DURUM (perIGBT ) Çaprazla bağlantı (Di başına) (çıkış)

22.9 44.2

K/kW

R thCH

Kürsüden ısı toplayıcıya (her IGBT) Kasa-Soğutucu (pe r Diyot) Kasa-Soğutucu (per M odül)

18.2 35.2 6.0

K/kW

M

Terminal Bağlantı Döner, M4 vida Terminal Bağlantı Döner, M8 vida Montaj Döner, M6 Çivit

1.8 8.0 4.25

2.1

10

5.75

N.M

G

Ağırlık ile ilgili Modül

1500

g