Tüm Kategoriler
Teklif Alın

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz yakında sizinle iletişime geçecek.
E-posta
Ad
Şirket adı
Mesaj
0/1000

IGBT Modülü 1200V

IGBT Modülü 1200V

Ana Sayfa/Ürünler/IGBT modülü/IGBT Modülü 1200V

GD600HFY120C6S,IGBT Modülü,STARPOWER

IGBT Modülü,1200V 600A

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD600HFY120C6S
  • Tanıtım
  • Çizelge
Tanıtım

Kısa tanıtım

IGBT modülü , STARPOWER tarafından üretilmiştir. 1200V 600A.

Özellikler

  • Düşük VCE (satürn) Trench IGBT teknolojisi
  • 10μs kısa devre kapasitesi
  • Pozitif sıcaklık katsayısı olan VCE (sat)
  • Maksimum çapraz sıcaklık 175oC
  • Düşük endüktansa olan bir vaka
  • Hızlı ve yumuşak geri kazanım paralel karşı FWD
  • İzole bakır taban plakası DBC teknolojisi kullanarak

Tipik Uygulamalar

  • Hibrit ve elektrikli ve hicle
  • Motor için inverter l rIV
  • Kesintisiz güç çubuk tedarik

Mutlak Maksimum Değerlendirmeler T C=25ü C tabii ki aksi takdirde not edildi

IGBT

Sembolik

AÇIKLAMA

Değer

BİRİM

V CES

Toplayıcı-Sütücü Voltajı

1200

V

V GES

Kapı-Emitör Voltajı

±20

V

EC

Toplayıcı Akımı @ T C=25ü C

@ T C= 100ü C

1090

600

K

ECm

Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t p =1ms

1200

K

PY

Maksimum güç Dağılımı @ T j =175ü C

3947

E

Diyot

Sembolik

AÇIKLAMA

Değer

BİRİM

V RRM

Tekrarlanan Zirve Ters Voltajı

1200

V

EF

Diyot Sürekli İleri Kur kira

600

K

EFm

Diyot Maksimum İleri Akımı t p =1ms

1200

K

Modül

Sembolik

AÇIKLAMA

Değer

BİRİM

T jmax

En yüksek kavşak sıcaklığı

175

ü C

T yapma

Hareket noktası sıcaklığı

-40 ile +150 arasında

ü C

T STG

Depolama Sıcaklığı Menzil

-40'tan +125'e kadar

ü C

V ISO

İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t=1 dK

2500

V

IGBT Özellikler T C=25ü C tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Maks.

BİRİM

V CE (sat)

Toplayıcıdan Verene

Doymak Voltajı

EC=600A,V GE =15V, T j =25ü C

1.70

2.15

V

EC=600A,V GE =15V, T j =125ü C

1.90

EC=600A,V GE =15V, T j =150ü C

1.95

V GE (th)

Geçit-Bölücü Sınırı Gerilim

EC=24.0mA ,V CE =V GE , T j =25ü C

5.2

5.8

6.4

V

ECES

Toplayıcı Kesilir -OFF

Akım

V CE =V CES ,V GE =0V,

T j =25ü C

1.0

mA

EGES

Geçit-Emitör Sızıntıları Akım

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25ü C

400

nA

Çubuk Gint

İç kapı direnci - Ne?

0.7

ω

Cies

Girdi Kapasitesi

V CE =25V,f=1MHz,

V GE =0V

62.1

nF

Cres

Geriye dönüştürme

Kapasite

1.74

nF

S E

Geçit Ücreti

V GE =- 15...+15V

4.62

μC

t l (açık )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C=600A, Çubuk E=1.5Ω,V GE =±15V, T j =25ü C

136

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

77

ns

t l (oFF )

Kapalı Gecikme süresi

494

ns

t f

Sonbahar zamanı

72

ns

Eaçık

Aç Anahtarlama

Kayıp

53.1

mJ

EoFF

Kapatma Değiştirme

Kayıp

48.4

mJ

t l (açık )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C=600A, Çubuk E=1.5Ω,V GE =±15V, T j =125ü C

179

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

77

ns

t l (oFF )

Kapalı Gecikme süresi

628

ns

t f

Sonbahar zamanı

113

ns

Eaçık

Aç Anahtarlama

Kayıp

70.6

mJ

EoFF

Kapatma Değiştirme

Kayıp

74.2

mJ

t l (açık )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C=600A, Çubuk E=1.5Ω,V GE =±15V, T j =150ü C

179

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

85

ns

t l (oFF )

Kapalı Gecikme süresi

670

ns

t f

Sonbahar zamanı

124

ns

Eaçık

Aç Anahtarlama

Kayıp

76.5

mJ

EoFF

Kapatma Değiştirme

Kayıp

81.9

mJ

ESC

SC Verileri

t P≤ 10μs,V GE =15V,

T j =150ü C,V CC =800V, V CEM ≤ 1200V

2400

K

Diyot Özellikler T C=25ü C tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Maks.

BİRİM

V F

Diyot ileriye

Gerilim

EF =600A,V GE =0V,T j =25ü C

1.95

2.40

V

EF =600A,V GE =0V,T j =125ü C

2.05

EF =600A,V GE =0V,T j =150ü C

2.10

S çubuk

Geri Alınan Ücret

V CC =600V,I F =600A,

-di/dt=4300A/μs,V GE =- 15V, T j =25ü C

58.9

μC

ERM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

276

K

E- Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

20.9

mJ

S çubuk

Geri Alınan Ücret

V CC =600V,I F =600A,

-di/dt=4300A/μs,V GE =- 15V, T j =125ü C

109

μC

ERM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

399

K

E- Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

41.8

mJ

S çubuk

Geri Alınan Ücret

V CC =600V,I F =600A,

-di/dt=4300A/μs,V GE =- 15V, T j =150ü C

124

μC

ERM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

428

K

E- Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

48.5

mJ

NTC Özellikler T C=25ü C tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Maks.

BİRİM

Çubuk 25

Rating direnci

5.0

kΩ

δR/R

Değişim nın Çubuk 100

T C= 100 ü C,R 100= 493.3Ω

-5

5

%

P25

Güç

Dağılım

20.0

mW

B 25/50

B değeri

Çubuk 2=R 25exp [B 25/501/T 2-

1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B değeri

Çubuk 2=R 25exp [B 25/801/T 2-

1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B değeri

Çubuk 2=R 25exp [B 25/1001/T 2-

1/(298.15K))]

3433

K

Modül Özellikler T C=25ü C tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Min.

Tipik.

Maks.

BİRİM

Çubuk - Yürü

İlişki (İGB başına) T)

Çapraz-Kase (D başına) (iod)

0.038

0.066

K/W

Çubuk thCH

Kürsüden ısı toplayıcıya (her IGBT)

Kürsüden ısı fıskiyesine (p) diyot)

Kürsüden ısı toplayıcıya (her Modül)

0.028

0.049

0.009

K/W

M

Terminal Bağlantı Döner, M6 Çivit Montaj Döner, M5 vida

3.0

3.0

6.0

6.0

N.M

E

Ağırlık nın Modül

350

e

Çizelge

image(c537ef1333).png

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz yakında sizinle iletişime geçecek.
E-posta
Ad
Şirket adı
Mesaj
0/1000

İlgili Ürün

Ürünlerle ilgili sorularınız var mı?

Profesyonel satış ekibimiz sizin danışmanlığınızı bekliyor.
Ürün listesini takip edip ilgilendiğiniz soruları sorabilirsiniz.

Teklif Alın

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz yakında sizinle iletişime geçecek.
E-posta
Ad
Şirket adı
Mesaj
0/1000

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz yakında sizinle iletişime geçecek.
E-posta
Ad
Şirket adı
Mesaj
0/1000