GD50PIX170C6SA,IGBT Modülü,STARPOWER

Sembolik

AÇIKLAMA

Değer

BİRİM

V CES

Toplayıcı-Sütücü Voltajı

1700

V

V GES

Kapı-Emitör Voltajı

±20

V

IC

Toplayıcı Akımı @ T C=25o C @ T C=100o C

100

50

A

ICm

Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t p =1ms

100

A

PD

Maksimum güç Dağılımı @ T j =175o C

384

G

Sembolik

AÇIKLAMA

Değer

BİRİM

V RRM

Tekrarlanan Zirve Ters Volt yaş

1700

V

IF

Diyot Sürekli İleri Cu kiralık

50

A

IFm

Diyot Maksimum İleri Akımı t p =1ms

100

A

Sembolik

AÇIKLAMA

Değer

BİRİM

V RRM

Tekrarlanan Zirve Ters Volt yaş

1600

V

IO

Ortalama Çıkış Akımı 5 0Hz/60Hz, sinus dalga

50

A

IFSM

Artımlı İleri Akım V Çubuk =0V,T p =10ms,T j =45o C

850

A

I2t

I2t-değeri,V Çubuk =0V,T p =10m s,T j =45o C

3610

A2s

Sembolik

AÇIKLAMA

Değer

BİRİM

V CES

Toplayıcı-Sütücü Voltajı

1700

V

V GES

Kapı-Emitör Voltajı

±20

V

IC

Toplayıcı Akımı @ T C=25o C @ T C=100o C

100

50

A

ICm

Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t p =1ms

100

A

PD

Maksimum güç Dağılımı @ T j =175o C

384

G

Sembolik

AÇIKLAMA

Değer

BİRİM

V RRM

Tekrarlanan Zirve Ters Volt yaş

1700

V

IF

Diyot Sürekli İleri Cu kiralık

50

A

IFm

Diyot Maksimum İleri Akımı t p =1ms

100

A

Sembolik

AÇIKLAMA

Değer

BİRİM

T jmax

Maksimum Birleşim Sıcaklığı (inverter,fren) Maksimum Birleşim Sıcaklığı (diktleme)

175

150

o C

T yapma

Hareket noktası sıcaklığı

-40 ile +150 arasında

o C

T STG

Depolama sıcaklık aralığı

-40'tan +125'e kadar

o C

V ISO

İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t =1 dakikada

4000

V

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

BİRİM

V CE (sat)

Toplayıcıdan Verene Doymak Voltajı

IC=50A,V GE =15V, T j =25o C

1.85

2.20

V

IC=50A,V GE =15V, T j =125o C

2.25

IC=50A,V GE =15V, T j =150o C

2.35

V GE (th)

Geçit-Bölücü Sınırı Voltaj

IC=2.0mA ,V CE =V GE , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Toplayıcı Kesilir -OFF Mevcut

V CE =V CES ,V GE =0V, T j =25o C

5.0

mA

IGES

Geçit-Emitör Sızıntıları Mevcut

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

Çubuk Gint

İç kapı direnci - Çabuk

9.5

ω

Cies

Girdi Kapasitesi

V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V

6.02

nF

Cres

Geriye dönüştürme Kapasite

0.15

nF

S G

Geçit Ücreti

V GE =-15 ...+15V

0.47

μC

t d (açık )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =900V,I C=50A, Çubuk G=9.6Ω,V GE =±15V, T j =25o C

163

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

44

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

290

ns

t f

Sonbahar zamanı

347

ns

Eaçık

Aç Anahtarlama Kayıp

12.7

mJ

EoFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

7.28

mJ

t d (açık )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =900V,I C=50A, Çubuk G=9.6Ω,V GE =±15V, T j =125o C

186

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

51

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

361

ns

t f

Sonbahar zamanı

535

ns

Eaçık

Aç Anahtarlama Kayıp

17.9

mJ

EoFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

11.1

mJ

t d (açık )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =900V,I C=50A, Çubuk G=9.6Ω,V GE =±15V, T j =150o C

192

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

52

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

374

ns

t f

Sonbahar zamanı

566

ns

Eaçık

Aç Anahtarlama Kayıp

20.0

mJ

EoFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

12.0

mJ

ISC

SC Verileri

t P≤ 10μs, V GE =15V,

T j =150o C,V CC =1000V, V CEM ≤1700V

200

A

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

BİRİM

V F

Diyot ileriye Voltaj

IF =50A,V GE =0V,T j =25o C

1.80

2.25

V

IF =50A,V GE =0V,T j =125o C

1.95

IF =50A,V GE =0V,T j =150o C

1.90

S çubuk

Geri Alınan Ücret

V Çubuk =900V,I F =50A,

-di/dt=850A/μs,V GE =-15V T j =25o C

11.8

μC

IRM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

48

A

E- Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

6.08

mJ

S çubuk

Geri Alınan Ücret

V Çubuk =900V,I F =50A,

-di/dt=850A/μs,V GE =-15V T j =125o C

20.7

μC

IRM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

52

A

E- Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

11.4

mJ

S çubuk

Geri Alınan Ücret

V Çubuk =900V,I F =50A,

-di/dt=850A/μs,V GE =-15V T j =150o C

23.7

μC

IRM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

54

A

E- Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

13.1

mJ

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

BİRİM

V F

Diyot ileriye Voltaj

IF =50A, V GE =0V, T j =150o C

1.14

V

IÇubuk

Ters akım

T j =150o C,V Çubuk =1600V

3.0

mA

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

BİRİM

V CE (sat)

Toplayıcıdan Verene Doymak Voltajı

IC=50A,V GE =15V, T j =25o C

1.85

2.20

V

IC=50A,V GE =15V, T j =125o C

2.25

IC=50A,V GE =15V, T j =150o C

2.35

V GE (th)

Geçit-Bölücü Sınırı Voltaj

IC=2.0mA ,V CE =V GE , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Toplayıcı Kesilir -OFF Mevcut

V CE =V CES ,V GE =0V, T j =25o C

5.0

mA

IGES

Geçit-Emitör Sızıntıları Mevcut

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

Çubuk Gint

İç kapı direnci

9.5

ω

Cies

Girdi Kapasitesi

V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V

6.02

nF

Cres

Geriye dönüştürme Kapasite

0.15

nF

S G

Geçit Ücreti

V GE =-15 ...+15V

0.47

μC

t d (açık )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =900V,I C=50A, Çubuk G=9.6Ω,V GE =±15V, T j =25o C

163

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

44

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

290

ns

t f

Sonbahar zamanı

347

ns

Eaçık

Aç Anahtarlama Kayıp

12.7

mJ

EoFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

7.28

mJ

t d (açık )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =900V,I C=50A, Çubuk G=9.6Ω,V GE =±15V, T j =125o C

186

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

51

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

361

ns

t f

Sonbahar zamanı

535

ns

Eaçık

Aç Anahtarlama Kayıp

17.9

mJ

EoFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

11.1

mJ

t d (açık )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =900V,I C=50A, Çubuk G=9.6Ω,V GE =±15V, T j =150o C

192

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

52

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

374

ns

t f

Sonbahar zamanı

566

ns

Eaçık

Aç Anahtarlama Kayıp

20.0

mJ

EoFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

12.0

mJ

ISC

SC Verileri

t P≤ 10μs, V GE =15V,

T j =150o C,V CC =1000V, V CEM ≤1700V

200

A

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

BİRİM

V F

Diyot ileriye Voltaj

IF =50A,V GE =0V,T j =25o C

1.80

2.25

V

IF =50A,V GE =0V,T j =125o C

1.95

IF =50A,V GE =0V,T j =150o C

1.90

S çubuk

Geri Alınan Ücret

V Çubuk =900V,I F =50A,

-di/dt=850A/μs,V GE =-15V T j =25o C

11.8

μC

IRM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

48

A

E- Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

6.08

mJ

S çubuk

Geri Alınan Ücret

V Çubuk =900V,I F =50A,

-di/dt=850A/μs,V GE =-15V T j =125o C

20.7

μC

IRM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

52

A

E- Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

11.4

mJ

S çubuk

Geri Alınan Ücret

V Çubuk =900V,I F =50A,

-di/dt=850A/μs,V GE =-15V T j =150o C

23.7

μC

IRM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

54

A

E- Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

13.1

mJ

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

BİRİM

Çubuk 25

Rating direnci

5.0

kΩ

∆R/R

Değişim nın Çubuk 100

T C=100 o Cr 100= 493.3Ω

-5

5

%

P25

Güç

Dağılım

20.0

mW

B 25/50

B değeri

Çubuk 2=R 25exp [B 25/501/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B değeri

Çubuk 2=R 25exp [B 25/801/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B değeri

Çubuk 2=R 25exp [B 25/1001/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Sembolik

Parametre

Min.

Tipik.

Max.

BİRİM

LCE

Savrulan endüktansa

60

nH

Çubuk CC+EE Çubuk AA ’+CC ’

Modül Kurşun Direnci nce, Terminal'den Çip'e

4.00 2.00

mΩ

Çubuk - Yürü

Kavşak -ile -Durum (perIGBT -değiştiriciler ) Birleme-Noktası ile Vucuta (her DIOD-inverter başına ter) Bağlantıdan-Kabuk (her Diyatoda-diktiç) er) Kavşak -ile -Durum (perIGBT -fren )

Bağlantıdan-Kabuk (her Diyatoda-br ake)

0.390 0.554 0.565 0.390 0.554

K/W

Çubuk thCH

Durum -ile -Isı çubuğu (perIGBT -değiştiriciler )Kabuktan-Işığına (her Diyatoda- değiştirici) Kasa-Isı Sigortası (her Diyod için) ctifier Durum -ile -Isı çubuğu (perIGBT -fren )

Kasa-Isı Sigortası (her Dio de-fren) Kürsüden ısı toplayıcıya (her Modül)

0.145 0.205 0.210 0.145 0.205 0.009

K/W

M

Montaj Döner, Vuruş: M5

3.0

6.0

N.M

G

Ağırlık nın Modül

300

g