GD400HTX120P4SD,IGBT Modülü,STARPOWER

Sembolik

Açıklama

Değer

Birim

V RRM

Tekrarlanan Zirve Ters Volt yaş

1200

V

Ben FN

Uygulanan Forward Cu kiralık

400

A

Ben F

Diyot Sürekli İleri Cu kiralık

300

A

Ben Fm

Diyot Maksimum İleri Akımı t p =1ms

800

A

Sembolik

Açıklama

Değer

Birim

T jmax

En yüksek kavşak sıcaklığı

175

o C

T yapma

Hareket noktası sıcaklığı

-40 ile +150 arasında

o C

T STG

Depolama sıcaklık aralığı

-40'tan +125'e kadar

o C

V ISO

İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t =1 dakikada

2500

V

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birim

V CE (sat)

Toplayıcıdan Verene Doymak Voltajı

Ben C =300A,V GE =15V, T j =25 o C

1.50

1.95

V

Ben C =300A,V GE =15V, T j =125 o C

1.60

Ben C =300A,V GE =15V, T j =150 o C

1.65

V GE (th )

Geçit-Bölücü Sınırı Voltaj

Ben C = 16.0 mA ,V CE = V GE , T j =25 o C

5.3

5.8

6.3

V

Ben CES

Toplayıcı Kes -OFF Akım

V CE = V CES ,V GE =0V, T j =25 o C

1.0

mA

Ben GES

Geçit-Emitör Sızıntıları Akım

V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 o C

400

nA

R Gint

İç kapı direnci

0.5

ω

C ies

Girdi Kapasitesi

V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V

41.4

nF

C res

Geriye dönüştürme Kapasite

1.16

nF

Q G

Geçit Ücreti

V GE =15V

3.11

μC

t d (oN )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =500V,I C =300A, R G =1.5Ω,V GE =±15V, LS =25 nH ,T j =25 o C

223

ns

t r

Kalkma zamanı.

32

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

354

ns

t f

Sonbahar zamanı

228

ns

E oN

Aç Anahtarlama Kayıp

6.24

mJ

E oFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

20.1

mJ

t d (oN )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =500V,I C =300A, R G =1.5Ω,V GE =±15V, Ls=25nH,T j =125 o C

229

ns

t r

Kalkma zamanı.

36

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

411

ns

t f

Sonbahar zamanı

344

ns

E oN

Aç Anahtarlama Kayıp

11.0

mJ

E oFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

28.6

mJ

t d (oN )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =500V,I C =300A, R G =1.5Ω,V GE =±15V, Ls=25nH,T j =150 o C

231

ns

t r

Kalkma zamanı.

38

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

421

ns

t f

Sonbahar zamanı

352

ns

E oN

Aç Anahtarlama Kayıp

12.2

mJ

E oFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

29.7

mJ

Ben SC

SC Verileri

t P ≤ 10μs, V GE =15V,

T j =150 o C,V CC =900V, V CEM ≤ 1200V

1600

A

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birim

V F

Diyot ileriye Voltaj

Ben F =300A,V GE =0V,T j =25 o C

1.35

1.80

V

Ben F =300A,V GE =0V,T j =1 25o C

1.35

Ben F =300A,V GE =0V,T j =1 50o C

1.35

Q r

Geri Alınan Ücret

V R =500V,I F =300A,

-di/dt=9700A/μs,V GE =-15V Ls=25nH,T j =25 o C

32.7

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

478

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

22.1

mJ

Q r

Geri Alınan Ücret

V R =500V,I F =300A,

-di/dt=8510A/μs,V GE =-15V Ls=25nH,T j =125 o C

45.9

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

522

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

32.7

mJ

Q r

Geri Alınan Ücret

V R =500V,I F =300A,

-di/dt=8250A/μs,V GE =-15V Ls=25nH,T j =150 o C

51.5

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

537

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

37.4

mJ

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birim

R 25

Rating direnci

5.0

kΩ

∆R/R

Değişim ile ilgili R 100

T C =100 o C r 100= 493.3Ω

-5

5

%

P 25

Güç

Dağılım

20.0

mW

B 25/50

B değeri

R 2=R 25exp [B 25/50 1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B değeri

R 2=R 25exp [B 25/80 1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B değeri

R 2=R 25exp [B 25/100 1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Sembolik

Parametre

Min.

Tipik.

Max.

Birim

△ p

Basınç Düşüşü Soğutma Çember - Çabuk

△ V/ △ t=10.0 dm 3/min ;T F =25 o C ;Soğutma Sıvı=50% Su/50% Etilen Glikol

100

mbar

p

Soğutma Devresinde Maksimum Basınç - Çabuk

2.5

bar

L CE

Savrulan endüktansa

14

nH

R CC+EE

Modül Kurşun Direnci, Çip'e terminal

0.80

mΩ

R thJF

Kavşak -için -Soğutma Sıvı (perIGBT ) Soğutma Sıvısına Kavuşan Birleşim (per Di (çıkış)

0.100 0.125

K/W

M

Terminal Bağlantı Döner, M6 Çivit Montaj Döner, M6 Çivit

2.5 3.0

5.0 6.0

N.M

G

Ağırlık ile ilgili Modül

1340

g