GD400HTX120P4SD,IGBT Modülü,STARPOWER

Sembolik

AÇIKLAMA

Değer

BİRİM

V RRM

Tekrarlanan Zirve Ters Volt yaş

1200

V

EFN

Uygulanan Forward Cu kiralık

400

K

EF

Diyot Sürekli İleri Cu kiralık

300

K

EFm

Diyot Maksimum İleri Akımı t p =1ms

800

K

Sembolik

AÇIKLAMA

Değer

BİRİM

T jmax

En yüksek kavşak sıcaklığı

175

ü C

T yapma

Hareket noktası sıcaklığı

-40 ile +150 arasında

ü C

T STG

Depolama sıcaklık aralığı

-40'tan +125'e kadar

ü C

V ISO

İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t =1 dakikada

2500

V

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Maks.

BİRİM

V CE (sat)

Toplayıcıdan Verene Doymak Voltajı

EC=300A,V GE =15V, T j =25ü C

1.50

1.95

V

EC=300A,V GE =15V, T j =125ü C

1.60

EC=300A,V GE =15V, T j =150ü C

1.65

V GE (th)

Geçit-Bölücü Sınırı Gerilim

EC=16.0mA ,V CE =V GE , T j =25ü C

5.3

5.8

6.3

V

ECES

Toplayıcı Kesilir -OFF Akım

V CE =V CES ,V GE =0V, T j =25ü C

1.0

mA

EGES

Geçit-Emitör Sızıntıları Akım

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25ü C

400

nA

Çubuk Gint

İç kapı direnci

0.5

ω

Cies

Girdi Kapasitesi

V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V

41.4

nF

Cres

Geriye dönüştürme Kapasite

1.16

nF

S E

Geçit Ücreti

V GE =15V

3.11

μC

t l (açık )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =500V,I C=300A, Çubuk E=1.5Ω,V GE =±15V, LS =25nH ,T j =25ü C

223

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

32

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

354

ns

t f

Sonbahar zamanı

228

ns

Eaçık

Aç Anahtarlama Kayıp

6.24

mJ

EoFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

20.1

mJ

t l (açık )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =500V,I C=300A, Çubuk E=1.5Ω,V GE =±15V, Ls=25nH,T j =125ü C

229

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

36

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

411

ns

t f

Sonbahar zamanı

344

ns

Eaçık

Aç Anahtarlama Kayıp

11.0

mJ

EoFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

28.6

mJ

t l (açık )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =500V,I C=300A, Çubuk E=1.5Ω,V GE =±15V, Ls=25nH,T j =150ü C

231

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

38

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

421

ns

t f

Sonbahar zamanı

352

ns

Eaçık

Aç Anahtarlama Kayıp

12.2

mJ

EoFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

29.7

mJ

ESC

SC Verileri

t P≤ 10μs, V GE =15V,

T j =150ü C,V CC =900V, V CEM ≤ 1200V

1600

K

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Maks.

BİRİM

V F

Diyot ileriye Gerilim

EF =300A,V GE =0V,T j =25ü C

1.35

1.80

V

EF =300A,V GE =0V,T j =125ü C

1.35

EF =300A,V GE =0V,T j =150ü C

1.35

S çubuk

Geri Alınan Ücret

V Çubuk =500V,I F =300A,

-di/dt=9700A/μs,V GE =-15V Ls=25nH,T j =25ü C

32.7

μC

ERM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

478

K

E- Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

22.1

mJ

S çubuk

Geri Alınan Ücret

V Çubuk =500V,I F =300A,

-di/dt=8510A/μs,V GE =-15V Ls=25nH,T j =125ü C

45.9

μC

ERM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

522

K

E- Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

32.7

mJ

S çubuk

Geri Alınan Ücret

V Çubuk =500V,I F =300A,

-di/dt=8250A/μs,V GE =-15V Ls=25nH,T j =150ü C

51.5

μC

ERM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

537

K

E- Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

37.4

mJ

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Maks.

BİRİM

Çubuk 25

Rating direnci

5.0

kΩ

∆R/R

Değişim nın Çubuk 100

T C=100 ü Cr 100= 493.3Ω

-5

5

%

P25

Güç

Dağılım

20.0

mW

B 25/50

B değeri

Çubuk 2=R 25exp [B 25/501/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B değeri

Çubuk 2=R 25exp [B 25/801/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B değeri

Çubuk 2=R 25exp [B 25/1001/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Sembolik

Parametre

Min.

Tipik.

Maks.

BİRİM

△p

Basınç Düşüşü Soğutma Çember - Çabuk

△V/ △t=10.0 dm 3/dK ;T F =25ü C;Soğutma Sıvı=50% Su/50% Etilen Glikol

100

mbar

p

Soğutma Devresinde Maksimum Basınç - Çabuk

2.5

çubuk

Y CE

Savrulan endüktansa

14

nH

Çubuk CC+EE

Modül Kurşun Direnci, Çip'e terminal

0.80

mΩ

Çubuk thJF

Kavşak -ile -Soğutma Sıvı (perIGBT ) Soğutma Sıvısına Kavuşan Birleşim (per Di (çıkış)

0.100 0.125

K/W

M

Terminal Bağlantı Döner, M6 Çivit Montaj Döner, M6 Çivit

2.5 3.0

5.0 6.0

N.M

E

Ağırlık nın Modül

1340

e