Tüm Kategoriler
Teklif Alın

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz kısa süre içinde sizinle iletişime geçecektir.
E-posta
Ad
Şirket Adı
Mesaj
0/1000

IGBT Modülü 1200V

IGBT Modülü 1200V

Ana Sayfa /  Ürünler /  IGBT modülü /  IGBT Modülü 1200V

GD200HFX120C2SA_B36,IGBT Modülü,STARPOWER

1200V 200A

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD200HFX120C2SA_B36
  • Giriş
  • Çizelge
  • Eşdeğer Devre Şeması
Giriş

Kısa tanıtım

IGBT modülü ,sTARPOWER tarafından üretilmiştir. 1200V 200A.

Özellikler

  • Düşük VCE (satürn) Trench IGBT teknolojisi
  • 10μs kısa devre kapasitesi
  • Pozitif sıcaklık katsayısı olan VCE (sat)
  • En yüksek bağlantı sıcaklığı 175oC
  • Düşük endüktansa olan bir vaka
  • Hızlı ve yumuşak geri kazanım paralel karşı FWD
  • İzole bakır taban plakası DBC teknolojisi kullanarak

Tipik Uygulamalar

  • Motorlu tahrik için inverter
  • AC ve DC servo sürücü amplifikatörü
  • Kesintisiz güç kaynağı

Mutlak Maksimum Değerlendirmeler T C =25o C tabii ki aksi takdirde not edildi

IGBT

Sembolik

Açıklama

Değerler

Birim

V CES

Toplayıcı-Sütücü Voltajı

1200

V

V GES

Kapı-Emitör Voltajı

±20

V

B C

Toplayıcı Akımı @ T C =25o C

@ T C =100o C

340

200

Bir

B CM

Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t p =1ms

400

Bir

P D

Maksimum güç Dağılımı @ T j =175o C

1190

G

Diyot

Sembolik

Açıklama

Değerler

Birim

V RRM

Tekrarlanan Zirve Ters Volt yaş

1200

V

B F

Diyot Sürekli İleri Cu kiralık

200

Bir

B Fm

Diyot Maksimum İleri Akımı t p =1ms

400

Bir

Modül

Sembolik

Açıklama

Değerler

Birim

T jmax

En yüksek kavşak sıcaklığı

175

o C

T yapma

Hareket noktası sıcaklığı

-40 ile +150 arasında

o C

T STG

Depolama sıcaklık aralığı

-40'tan +125'e kadar

o C

V ISO

İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t =1 dakikada

2500

V

IGBT Özellikler T C =25o C tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birim

V CE (sat)

Toplayıcıdan Verene

Doymak Voltajı

B C =200A,V GE =15V, T j =25o C

1.70

2.15

V

B C =200A,V GE =15V, T j =125o C

1.95

B C =200A,V GE =15V, T j =150o C

2.00

V GE (th)

Geçit-Bölücü Sınırı Voltaj

B C =8.0mA ,V CE =V GE , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

B CES

Toplayıcı Kesilir -OFF

Mevcut

V CE =V CES ,V GE =0V,

T j =25o C

1.0

mA

B GES

Geçit-Emitör Sızıntıları Mevcut

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

Çubuk Gint

İç kapı direnci - Ne?

3.75

ω

C ies

Girdi Kapasitesi

V CE =25V,f=1MHz,

V GE =0V

20.7

nF

C res

Geriye dönüştürme

Kapasite

0.58

nF

Q G

Geçit Ücreti

V GE =- 15...+15V

1.55

μC

t d (üzerinde )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =200A, Çubuk G =1. 1Ω,V GE =±15V, T j =25o C

150

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

32

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

330

ns

t f

Sonbahar zamanı

93

ns

E üzerinde

Anahtarlama

Kayıp

9.7

mJ

E oFF

Kapatma Değiştirme

Kayıp

11.3

mJ

t d (üzerinde )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =200A, Çubuk G =1. 1Ω,V GE =±15V, T j =125o C

161

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

37

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

412

ns

t f

Sonbahar zamanı

165

ns

E üzerinde

Anahtarlama

Kayıp

20.2

mJ

E oFF

Kapatma Değiştirme

Kayıp

17.0

mJ

t d (üzerinde )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =200A, Çubuk G =1. 1Ω,V GE =±15V, T j =150o C

161

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

43

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

433

ns

t f

Sonbahar zamanı

185

ns

E üzerinde

Anahtarlama

Kayıp

22.4

mJ

E oFF

Kapatma Değiştirme

Kayıp

19.1

mJ

B SC

SC Verileri

t P ≤ 10μs, V GE =15V,

T j =150o C,V CC =800V, V CEM ≤ 1200V

800

Bir

Diyot Özellikler T C =25o C tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birimler

V F

Diyot ileriye

Voltaj

B F =200A,V GE =0V,T j =25o C

2.40

2.90

V

B F =200A,V GE =0V,T j =125o C

1.95

B F =200A,V GE =0V,T j =150o C

1.80

Q çubuk

Geri Alınan Ücret

V Çubuk =600V,I F =200A,

-di/dt=4950A/μs,V GE =- 15V T j =25o C

20.3

μC

B RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

160

Bir

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

8.0

mJ

Q çubuk

Geri Alınan Ücret

V Çubuk =600V,I F =200A,

-di/dt=4950A/μs,V GE =- 15V T j =125o C

38.4

μC

B RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

201

Bir

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

14.2

mJ

Q çubuk

Geri Alınan Ücret

V Çubuk =600V,I F =200A,

-di/dt=4950A/μs,V GE =- 15V T j =150o C

44.2

μC

B RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

212

Bir

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

15.6

mJ

Modül Özellikler T C =25o C tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Min.

Tipik.

Max.

Birim

L CE

Savrulan endüktansa

20

nH

Çubuk CC+EE

Modül Bağlantı Direnci, Terminalden Çipe

0.35

Çubuk - Yürü

İlişki (İGB başına) T)

Çaprazla bağlantı (Di başına) (çıkış)

0.126

0.211

K/W

Çubuk thCH

Kürsüden ısı toplayıcıya (her IGBT)

Kasa-Soğutucu (pe r Diyot)

Kasa-Soğutucu (per M odül)

0.032

0.053

0.010

K/W

M

Terminal Bağlantı Döner, M6 Çivit Montaj Döner, M6 Çivit

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

G

Ağırlık nın Modül

300

g

Çizelge

Eşdeğer Devre Şeması

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz kısa süre içinde sizinle iletişime geçecektir.
E-posta
Ad
Şirket Adı
Mesaj
0/1000

İlgili Ürün

Ürünlerle ilgili sorularınız var mı?

Uzman satış ekibimiz danışmanlık için sabırsızca bekliyor.
Ürün listesini takip edip ilgilendiğiniz soruları sorabilirsiniz.

Teklif Alın

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz kısa süre içinde sizinle iletişime geçecektir.
E-posta
Ad
Şirket Adı
Mesaj
0/1000

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz kısa süre içinde sizinle iletişime geçecektir.
E-posta
Ad
Şirket Adı
Mesaj
0/1000