Tüm Kategoriler
Teklif Alın

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz yakında sizinle iletişime geçecek.
E-posta
Ad
Şirket adı
Mesaj
0/1000

IGBT Modülü 1200V

IGBT Modülü 1200V

Ana Sayfa/Ürünler/IGBT modülü/IGBT Modülü 1200V

GD200HFX120C2SA_B36,IGBT Modülü,STARPOWER

1200V 200A

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD200HFX120C2SA_B36
  • Giriş
  • Çizelge
  • Eşdeğer Devre Şeması
Giriş

Kısa tanıtım

IGBT modülü ,sTARPOWER tarafından üretilmiştir. 1200V 200A.

Özellikler

  • Düşük VCE (satürn) Trench IGBT teknolojisi
  • 10μs kısa devre kapasitesi
  • Pozitif sıcaklık katsayısı olan VCE (sat)
  • En yüksek bağlantı sıcaklığı 175oC
  • Düşük endüktansa olan bir vaka
  • Hızlı ve yumuşak geri kazanım paralel karşı FWD
  • İzole bakır taban plakası DBC teknolojisi kullanarak

Tipik Uygulamalar

  • Motorlu tahrik için inverter
  • AC ve DC servo sürücü amplifikatörü
  • Kesintisiz güç kaynağı

Mutlak Maksimum Değerlendirmeler T C=25o C tabii ki aksi takdirde not edildi

IGBT

Sembolik

AÇIKLAMA

Değerler

BİRİM

V CES

Toplayıcı-Sütücü Voltajı

1200

V

V GES

Kapı-Emitör Voltajı

±20

V

IC

Toplayıcı Akımı @ T C=25o C

@ T C=100o C

340

200

A

ICm

Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t p =1ms

400

A

PD

Maksimum güç Dağılımı @ T j =175o C

1190

G

Diyot

Sembolik

AÇIKLAMA

Değerler

BİRİM

V RRM

Tekrarlanan Zirve Ters Volt yaş

1200

V

IF

Diyot Sürekli İleri Cu kiralık

200

A

IFm

Diyot Maksimum İleri Akımı t p =1ms

400

A

Modül

Sembolik

AÇIKLAMA

Değerler

BİRİM

T jmax

En yüksek kavşak sıcaklığı

175

o C

T yapma

Hareket noktası sıcaklığı

-40 ile +150 arasında

o C

T STG

Depolama sıcaklık aralığı

-40'tan +125'e kadar

o C

V ISO

İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t =1 dakikada

2500

V

IGBT Özellikler T C=25o C tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

BİRİM

V CE (sat)

Toplayıcıdan Verene

Doymak Voltajı

IC=200A,V GE =15V, T j =25o C

1.70

2.15

V

IC=200A,V GE =15V, T j =125o C

1.95

IC=200A,V GE =15V, T j =150o C

2.00

V GE (th)

Geçit-Bölücü Sınırı Voltaj

IC=8.0mA ,V CE =V GE , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Toplayıcı Kesilir -OFF

Mevcut

V CE =V CES ,V GE =0V,

T j =25o C

1.0

mA

IGES

Geçit-Emitör Sızıntıları Mevcut

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

Çubuk Gint

İç kapı direnci - Ne?

3.75

ω

Cies

Girdi Kapasitesi

V CE =25V,f=1MHz,

V GE =0V

20.7

nF

Cres

Geriye dönüştürme

Kapasite

0.58

nF

S G

Geçit Ücreti

V GE =- 15...+15V

1.55

μC

t d (açık )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C=200A, Çubuk G=1. 1Ω,V GE =±15V, T j =25o C

150

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

32

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

330

ns

t f

Sonbahar zamanı

93

ns

Eaçık

Anahtarlama

Kayıp

9.7

mJ

EoFF

Kapatma Değiştirme

Kayıp

11.3

mJ

t d (açık )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C=200A, Çubuk G=1. 1Ω,V GE =±15V, T j =125o C

161

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

37

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

412

ns

t f

Sonbahar zamanı

165

ns

Eaçık

Anahtarlama

Kayıp

20.2

mJ

EoFF

Kapatma Değiştirme

Kayıp

17.0

mJ

t d (açık )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C=200A, Çubuk G=1. 1Ω,V GE =±15V, T j =150o C

161

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

43

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

433

ns

t f

Sonbahar zamanı

185

ns

Eaçık

Anahtarlama

Kayıp

22.4

mJ

EoFF

Kapatma Değiştirme

Kayıp

19.1

mJ

ISC

SC Verileri

t P≤ 10μs, V GE =15V,

T j =150o C,V CC =800V, V CEM ≤ 1200V

800

A

Diyot Özellikler T C=25o C tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birimler

V F

Diyot ileriye

Voltaj

IF =200A,V GE =0V,T j =25o C

2.40

2.90

V

IF =200A,V GE =0V,T j =125o C

1.95

IF =200A,V GE =0V,T j =150o C

1.80

S çubuk

Geri Alınan Ücret

V Çubuk =600V,I F =200A,

-di/dt=4950A/μs,V GE =- 15V T j =25o C

20.3

μC

IRM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

160

A

E- Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

8.0

mJ

S çubuk

Geri Alınan Ücret

V Çubuk =600V,I F =200A,

-di/dt=4950A/μs,V GE =- 15V T j =125o C

38.4

μC

IRM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

201

A

E- Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

14.2

mJ

S çubuk

Geri Alınan Ücret

V Çubuk =600V,I F =200A,

-di/dt=4950A/μs,V GE =- 15V T j =150o C

44.2

μC

IRM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

212

A

E- Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

15.6

mJ

Modül Özellikler T C=25o C tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Min.

Tipik.

Max.

BİRİM

LCE

Savrulan endüktansa

20

nH

Çubuk CC+EE

Modül Bağlantı Direnci, Terminalden Çipe

0.35

Çubuk - Yürü

İlişki (İGB başına) T)

Çaprazla bağlantı (Di başına) (çıkış)

0.126

0.211

K/W

Çubuk thCH

Kürsüden ısı toplayıcıya (her IGBT)

Kasa-Soğutucu (pe r Diyot)

Kasa-Soğutucu (per M odül)

0.032

0.053

0.010

K/W

M

Terminal Bağlantı Döner, M6 Çivit Montaj Döner, M6 Çivit

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

G

Ağırlık nın Modül

300

g

Çizelge

Eşdeğer Devre Şeması

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz yakında sizinle iletişime geçecek.
E-posta
Ad
Şirket adı
Mesaj
0/1000

İlgili Ürün

Ürünlerle ilgili sorularınız var mı?

Profesyonel satış ekibimiz sizin danışmanlığınızı bekliyor.
Ürün listesini takip edip ilgilendiğiniz soruları sorabilirsiniz.

Teklif Alın

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz yakında sizinle iletişime geçecek.
E-posta
Ad
Şirket adı
Mesaj
0/1000

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz yakında sizinle iletişime geçecek.
E-posta
Ad
Şirket adı
Mesaj
0/1000