Kısa tanıtım
IGBT modülü ,sTARPOWER tarafından üretilmiştir. 1200V 200A.
Özellikler
- Düşük VCE (satürn) Trench IGBT teknolojisi
- 10μs kısa devre kapasitesi
- Pozitif sıcaklık katsayısı olan VCE (sat)
- En yüksek bağlantı sıcaklığı 175oC
- Düşük endüktansa olan bir vaka
- Hızlı ve yumuşak geri kazanım paralel karşı FWD
- İzole bakır taban plakası DBC teknolojisi kullanarak
Tipik Uygulamalar
- Motorlu tahrik için inverter
- AC ve DC servo sürücü amplifikatörü
- Kesintisiz güç kaynağı
Mutlak Maksimum Değerlendirmeler T C=25o C tabii ki aksi takdirde not edildi
IGBT
Sembolik |
AÇIKLAMA |
Değerler |
BİRİM |
V CES |
Toplayıcı-Sütücü Voltajı |
1200 |
V |
V GES |
Kapı-Emitör Voltajı |
±20 |
V |
IC |
Toplayıcı Akımı @ T C=25o C
@ T C=100o C
|
340
200
|
A |
ICm |
Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t p =1ms |
400 |
A |
PD |
Maksimum güç Dağılımı @ T j =175o C |
1190 |
G |
Diyot
Sembolik |
AÇIKLAMA |
Değerler |
BİRİM |
V RRM |
Tekrarlanan Zirve Ters Volt yaş |
1200 |
V |
IF |
Diyot Sürekli İleri Cu kiralık |
200 |
A |
IFm |
Diyot Maksimum İleri Akımı t p =1ms |
400 |
A |
Modül
Sembolik |
AÇIKLAMA |
Değerler |
BİRİM |
T jmax |
En yüksek kavşak sıcaklığı |
175 |
o C |
T yapma |
Hareket noktası sıcaklığı |
-40 ile +150 arasında |
o C |
T STG |
Depolama sıcaklık aralığı |
-40'tan +125'e kadar |
o C |
V ISO |
İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t =1 dakikada |
2500 |
V |
IGBT Özellikler T C=25o C tabii ki aksi takdirde not edildi
Sembolik |
Parametre |
Test koşulları |
Min. |
Tipik. |
Max. |
BİRİM |
|
V CE (sat)
|
Toplayıcıdan Verene
Doymak Voltajı
|
IC=200A,V GE =15V, T j =25o C |
|
1.70 |
2.15 |
V
|
IC=200A,V GE =15V, T j =125o C |
|
1.95 |
|
IC=200A,V GE =15V, T j =150o C |
|
2.00 |
|
V GE (th) |
Geçit-Bölücü Sınırı Voltaj |
IC=8.0mA ,V CE =V GE , T j =25o C |
5.6 |
6.2 |
6.8 |
V |
ICES |
Toplayıcı Kesilir -OFF
Mevcut
|
V CE =V CES ,V GE =0V,
T j =25o C
|
|
|
1.0 |
mA |
IGES |
Geçit-Emitör Sızıntıları Mevcut |
V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C |
|
|
400 |
nA |
Çubuk Gint |
İç kapı direnci - Ne? |
|
|
3.75 |
|
ω |
Cies |
Girdi Kapasitesi |
V CE =25V,f=1MHz,
V GE =0V
|
|
20.7 |
|
nF |
Cres |
Geriye dönüştürme
Kapasite
|
|
0.58 |
|
nF |
S G |
Geçit Ücreti |
V GE =- 15...+15V |
|
1.55 |
|
μC |
t d (açık ) |
Açma Gecikme Zamanı |
V CC =600V,I C=200A, Çubuk G=1. 1Ω,V GE =±15V, T j =25o C
|
|
150 |
|
ns |
t çubuk |
Kalkma zamanı. |
|
32 |
|
ns |
t d (((off) |
Kapalı Gecikme süresi |
|
330 |
|
ns |
t f |
Sonbahar zamanı |
|
93 |
|
ns |
Eaçık |
Aç Anahtarlama
Kayıp
|
|
9.7 |
|
mJ |
EoFF |
Kapatma Değiştirme
Kayıp
|
|
11.3 |
|
mJ |
t d (açık ) |
Açma Gecikme Zamanı |
V CC =600V,I C=200A, Çubuk G=1. 1Ω,V GE =±15V, T j =125o C
|
|
161 |
|
ns |
t çubuk |
Kalkma zamanı. |
|
37 |
|
ns |
t d (((off) |
Kapalı Gecikme süresi |
|
412 |
|
ns |
t f |
Sonbahar zamanı |
|
165 |
|
ns |
Eaçık |
Aç Anahtarlama
Kayıp
|
|
20.2 |
|
mJ |
EoFF |
Kapatma Değiştirme
Kayıp
|
|
17.0 |
|
mJ |
t d (açık ) |
Açma Gecikme Zamanı |
V CC =600V,I C=200A, Çubuk G=1. 1Ω,V GE =±15V, T j =150o C
|
|
161 |
|
ns |
t çubuk |
Kalkma zamanı. |
|
43 |
|
ns |
t d (((off) |
Kapalı Gecikme süresi |
|
433 |
|
ns |
t f |
Sonbahar zamanı |
|
185 |
|
ns |
Eaçık |
Aç Anahtarlama
Kayıp
|
|
22.4 |
|
mJ |
EoFF |
Kapatma Değiştirme
Kayıp
|
|
19.1 |
|
mJ |
|
ISC
|
SC Verileri
|
t P≤ 10μs, V GE =15V,
T j =150o C,V CC =800V, V CEM ≤ 1200V
|
|
800
|
|
A
|
Diyot Özellikler T C=25o C tabii ki aksi takdirde not edildi
Sembolik |
Parametre |
Test koşulları |
Min. |
Tipik. |
Max. |
Birimler |
|
V F
|
Diyot ileriye
Voltaj
|
IF =200A,V GE =0V,T j =25o C |
|
2.40 |
2.90 |
V
|
IF =200A,V GE =0V,T j =125o C |
|
1.95 |
|
IF =200A,V GE =0V,T j =150o C |
|
1.80 |
|
S çubuk |
Geri Alınan Ücret |
V Çubuk =600V,I F =200A,
-di/dt=4950A/μs,V GE =- 15V T j =25o C
|
|
20.3 |
|
μC |
IRM |
Çığ tersine
Geri kazanım akımı
|
|
160 |
|
A |
E- Bilmiyorum. |
Ters Çıkarma Enerji |
|
8.0 |
|
mJ |
S çubuk |
Geri Alınan Ücret |
V Çubuk =600V,I F =200A,
-di/dt=4950A/μs,V GE =- 15V T j =125o C
|
|
38.4 |
|
μC |
IRM |
Çığ tersine
Geri kazanım akımı
|
|
201 |
|
A |
E- Bilmiyorum. |
Ters Çıkarma Enerji |
|
14.2 |
|
mJ |
S çubuk |
Geri Alınan Ücret |
V Çubuk =600V,I F =200A,
-di/dt=4950A/μs,V GE =- 15V T j =150o C
|
|
44.2 |
|
μC |
IRM |
Çığ tersine
Geri kazanım akımı
|
|
212 |
|
A |
E- Bilmiyorum. |
Ters Çıkarma Enerji |
|
15.6 |
|
mJ |
Modül Özellikler T C=25o C tabii ki aksi takdirde not edildi
Sembolik |
Parametre |
Min. |
Tipik. |
Max. |
BİRİM |
LCE |
Savrulan endüktansa |
|
|
20 |
nH |
Çubuk CC+EE |
Modül Bağlantı Direnci, Terminalden Çipe |
|
0.35 |
|
mΩ |
Çubuk - Yürü |
İlişki (İGB başına) T)
Çaprazla bağlantı (Di başına) (çıkış)
|
|
|
0.126
0.211
|
K/W |
|
Çubuk thCH
|
Kürsüden ısı toplayıcıya (her IGBT)
Kasa-Soğutucu (pe r Diyot)
Kasa-Soğutucu (per M odül)
|
|
0.032
0.053
0.010
|
|
K/W |
M |
Terminal Bağlantı Döner, M6 Çivit Montaj Döner, M6 Çivit |
2.5
3.0
|
|
5.0
5.0
|
N.M |
G |
Ağırlık nın Modül |
|
300 |
|
g |