Tüm Kategoriler
Teklif Alın

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz yakında sizinle iletişime geçecek.
E-posta
Ad
Şirket adı
Mesaj
0/1000

IGBT Modülü 1200V

IGBT Modülü 1200V

Ana Sayfa/Ürünler/IGBT modülü/IGBT Modülü 1200V

GD450HFY120C2S,IGBT Modülü,STARPOWER

1200V 450A

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD450HFY120C2S
  • Giriş
  • Çizelge
Giriş

Kısa tanıtım

IGBT modülü , STARPOWER tarafından üretilmiş. 1200V 450A.

Özellikler

  • Düşük V CE (sat ) Çukur IGBT teknoloji
  • 10 μs kısa devre kapasitesi i̇letişim
  • V CE (sat ) ile pozitif sıcaklık katsayı
  • Maksimum çapraz sıcaklık 175o C
  • Düşük endüktans durum
  • Hızlı ve yumuşak ters geri kazanım paralel karşıt FWD
  • İzole bakır taban plakası DBC teknolojisi kullanarak

Tipik Uygulamalar

  • Motor için inverter d rIV
  • AC ve DC servoyu çekiş amplifikatörü
  • Kesintisiz güç tedarik

Mutlak Maksimum Değerlendirmeler T C=25o C tabii ki aksi takdirde not edildi

IGBT

Sembolik

AÇIKLAMA

Değer

BİRİM

V CES

Toplayıcı-Sütücü Voltajı

1200

V

V GES

Kapı-Emitör Voltajı

±20

V

IC

Toplayıcı Akımı @ T C=25o C

@ T C= 100o C

680

450

A

ICm

Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t p =1ms

900

A

PD

Maksimum güç Dağılımı @ T =175o C

2173

G

Diyot

Sembolik

AÇIKLAMA

Değer

BİRİM

V RRM

Tekrarlanan Zirve Ters Voltajı

1200

V

IF

Diyot Sürekli İleri Kur kira

450

A

IFm

Diyot Maksimum İleri Akımı t p =1ms

900

A

Modül

Sembolik

AÇIKLAMA

Değer

BİRİM

T jmax

En yüksek kavşak sıcaklığı

175

o C

T yapma

Hareket noktası sıcaklığı

-40 ile +150 arasında

o C

T STG

Depolama Sıcaklığı Menzil

-40'tan +125'e kadar

o C

V ISO

İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t=1 dK

4000

V

IGBT Özellikler T C=25o C tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

BİRİM

V CE (sat)

Toplayıcıdan Verene

Doymak Voltajı

IC=450A,V GE =15V, T j =25o C

1.70

2.05

V

IC=450A,V GE =15V, T j =125o C

1.95

IC=450A,V GE =15V, T j =150o C

2.00

V GE (th)

Geçit-Bölücü Sınırı Voltaj

IC=11.3mA ,V CE =V GE ,T j =25o C

5.2

6.0

6.8

V

ICES

Toplayıcı Kesilir -OFF

Mevcut

V CE =V CES ,V GE =0V,

T j =25o C

1.0

mA

IGES

Geçit-Emitör Sızıntıları Mevcut

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

Çubuk Gint

İç kapı direnci - Ne?

1.7

ω

Cies

Girdi Kapasitesi

V CE =25V,f=1MHz,

V GE =0V

46.6

nF

Cres

Geriye dönüştürme

Kapasite

1.31

nF

S G

Geçit Ücreti

V GE =- 15...+15V

3.50

μC

t d (açık )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C=450A, Çubuk G=1.5Ω,

V GE =±15V, T j =25o C

328

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

76

ns

t d (oFF )

Kapalı Gecikme süresi

539

ns

t f

Sonbahar zamanı

108

ns

Eaçık

Anahtarlama

Kayıp

19.5

mJ

EoFF

Kapatma Değiştirme

Kayıp

46.6

mJ

t d (açık )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C=450A, Çubuk G=1.5Ω,

V GE =±15V, T j =125o C

376

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

86

ns

t d (oFF )

Kapalı Gecikme süresi

595

ns

t f

Sonbahar zamanı

214

ns

Eaçık

Anahtarlama

Kayıp

36.3

mJ

EoFF

Kapatma Değiştirme

Kayıp

53.5

mJ

t d (açık )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C=450A, Çubuk G=1.5Ω,

V GE =±15V, T j =150o C

380

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

89

ns

t d (oFF )

Kapalı Gecikme süresi

608

ns

t f

Sonbahar zamanı

232

ns

Eaçık

Anahtarlama

Kayıp

41.7

mJ

EoFF

Kapatma Değiştirme

Kayıp

55.5

mJ

ISC

SC Verileri

t P≤ 10μs,V GE =15V,

T j =150o C,V CC =800V, V CEM ≤ 1200V

1800

A

Diyot Özellikler T C=25o C tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

BİRİM

V F

Diyot ileriye

Voltaj

IF =450A,V GE =0V,T j =25o C

1.65

2.10

V

IF =450A,V GE =0V,T j =125o C

1.65

IF =450A,V GE =0V,T j =150o C

1.65

S çubuk

Geri Alınan Ücret

V CC =600V,I F =450A,

-di/dt=4370A/μs,V GE =- 15V, T j =25o C

29.4

μC

IRM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

275

A

E- Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

13.2

mJ

S çubuk

Geri Alınan Ücret

V CC =600V,I F =450A,

-di/dt=4370A/μs,V GE =- 15V, T j =125o C

68.8

μC

IRM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

342

A

E- Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

31.6

mJ

S çubuk

Geri Alınan Ücret

V CC =600V,I F =450A,

-di/dt=4370A/μs,V GE =- 15V, T j =150o C

79.6

μC

IRM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

354

A

E- Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

35.8

mJ

Modül Özellikler T C=25o C tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Min.

Tipik.

Max.

BİRİM

LCE

Savrulan endüktansa

20

nH

Çubuk CC+EE

Modül Kurşun Direnci nce, terminal chip'e

0.35

Çubuk - Yürü

İlişki (İGB başına) T)

Çaprazla bağlantı (Di başına) (çıkış)

0.069

0.108

K/W

Çubuk thCH

Kürsüden ısı toplayıcıya (her IGBT)

Kürsüden ısı fıskiyesine (p) diyot)

Kürsüden ısı toplayıcıya (her Modül)

0.033

0.051

0.010

K/W

M

Terminal Bağlantı Döner, M6 Çivit Montaj Döner, M6 Çivit

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

G

Ağırlık nın Modül

300

g

Çizelge

image(c537ef1333).png

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz yakında sizinle iletişime geçecek.
E-posta
Ad
Şirket adı
Mesaj
0/1000

İlgili Ürün

Ürünlerle ilgili sorularınız var mı?

Profesyonel satış ekibimiz sizin danışmanlığınızı bekliyor.
Ürün listesini takip edip ilgilendiğiniz soruları sorabilirsiniz.

Teklif Alın

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz yakında sizinle iletişime geçecek.
E-posta
Ad
Şirket adı
Mesaj
0/1000

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz yakında sizinle iletişime geçecek.
E-posta
Ad
Şirket adı
Mesaj
0/1000