MTC55, Kaynak Thyristor doğrultucu modülü, Hava soğutma

VDRM,VRRM

Tip & Kontur

600V

800V

1000V

1200V

1400V

1600V

1800V

MTC55-06-224H3/224H3B

MTC55-08-224H3/224H3B

MTC55-10-224H3/224H3B

MTC55-12-224H3/224H3B

MTC55-14-224H3/224H3B

MTC55-16-224H3/224H3B

MTC55-18-224H3/224H3B

Sembolik

Karakteristik

Test koşulları

Tj( ℃ )

Değer

Birim

Min

TUR

Max

IT(AV)

Ortalama açık durum akımı

180° yarım sinüs dalgası 50Hz

Tek taraflı soğutmalı, Tc =85 ℃

125

55

A

IT(RMS)

RMS iletken durum akımı

125

86

A

Idrm Irrm

Tekrarlayan tepe akımı

vDRM'de VRRM'de

125

15

mA

ITSM

Ani açık durum akımı

10ms yarım sinüs dalgası VR=60%VRRM

125

1.7

kA

I2t

Birleştirme koordinasyonu için I2t

14.5

10³A ²sahip

VTO

Sınır Voltajı

125

0.75

V

rt

Açık durum eğim direnci

4.05

mΩ

VTM

Zirve açık durum voltajı

ITM= 170A

25

1.60

V

dv/dt

Kapalı durum voltajının kritik artış hızı

VDM=67%VDRM

125

1000

V/μs

di/dt

Açık durumdaki akımın kritik artış hızı

Kapı kaynağı 1.5A

tr ≤0.5μs Tekrarlayıcı

125

200

A/μs

IGT

Kapı tetikleme akımı

VA= 12V, IA= 1A

25

30

200

mA

Vgt

Kapı tetikleme voltajı

0.6

2.5

V

IH

Tutma akımı

10

250

mA

İL

Kilitleme akımı

1000

mA

VGD

Tetiklenmeyen kapı voltajı

VDM=67%VDRM

125

0.2

V

Rth(j-c)

Termal direnç Kesişimden kasaya

Tek taraflı soğutmalı, çip başına

0.47

℃ )/W

Rth(c-h)

Termal direnç kasa ile soğutucu arasında

Tek taraflı soğutmalı, çip başına

0.15

℃ ) /W

VISO

İzolasyon voltajı

50Hz,R.M.S,t= 1min,Iiso:1mA(MAX)

3000

V

Fm

Termal bağlantı torku (M5)

2.5

4.0

N·m

Montaj torku (M6)

4.5

6.0

N·m

Tvj

Çapraz sıcaklık

-40

125

℃ )

TSTG

Saklama sıcaklığı

-40

125

℃ )

Wt

Ağırlık

100

g

Çizelge

224H3, 224H3B