Kısa tanıtım
IGBT modülü ,H yüksek akım IGBT modül , CRRC tarafından üretilen tek anahtar IGBT modülleri. 1700V 2400A.
Ana Parametreler
V C ES |
1700 V |
V CE (sat) |
(tip ) 1.75 V |
Ben C |
(max ) 2400 A |
Ben C(RM) |
(max ) 4800 A |
Tipik Uygulamalar
- Traction drives
- Motor Kontrol Cihazları
-
Akıllı Izgara
-
Yüksek Güvenilirlik Değiştiriciler
Özellikler
-
AlSiC Temel
-
AIN Alt Yapılar
-
Yüksek Termal Döngü Yetenek
-
10μ sahip Kısa DEVRE Dayanın.
-
Düşük V cE (sat ) cihazı
-
Yüksek akım yoğunluk
Mutlak Maksimum Değerlendirme
(Sembol) |
(Parametre) |
(Test Koşulları) |
(değer) |
(Birim) |
VCES |
Toplayıcı-Sütücü Voltajı |
V GE = 0V,Tvj = 25°C |
1700 |
V |
V GES |
Kapı-Emitör Voltajı |
|
± 20 |
V |
I C |
Kollektör-emiter akımı |
T case = 100 °C, Tvj = 150 °C |
2400 |
A |
I C(PK) |
Zirve kollektör akımı |
tp = 1ms |
4800 |
A |
P max |
Max. transistör güç kaybı |
Tvj = 150°C, T case = 25 °C |
19.2 |
kw |
I 2t |
Diyot I2t |
VR =0V, t P = 10ms, Tvj = 150 °C |
1170 |
kA2s |
|
Visol
|
İzolasyon voltajı – modül başına |
( Ortak terminaller taban plakasına bağlıdır),
AC RMS,1 dk, 50Hz
|
4000
|
V
|
Q PD |
Kısmi deşarj – modül başına |
IEC1287. V 1 = 1800V, V2 = 1300V, 50Hz RMS |
10 |
pC |
Elektriksel Karakteristikler
Tcase = 25 °C T case = 25°C unless stated otherwise |
|
(Sembol) |
(Parametre) |
(Test Koşulları) |
(Min) |
(Tip) |
(Maks) |
(Birim) |
|
|
I CES
|
Kollektör kesme akımı
|
V GE = 0V, VCE = VCES |
|
|
1 |
mA |
|
V GE = 0V, VCE = VCES , T case =125 °C |
|
|
40 |
mA |
|
V GE = 0V, VCE = VCES , T case =150 °C |
|
|
60 |
mA |
|
I GES |
Kapı sızıntı akımı |
V GE = ±20V, VCE = 0V |
|
|
1 |
μA |
|
V GE (TH) |
Kapı eşik voltajı |
I C = 80mA, V GE = VCE |
5.0 |
6.0 |
7.0 |
V |
|
|
VCE (sat)(*1)
|
Kollektör-emiter doygunluğu
voltaj
|
VGE =15V, IC = 2400A |
|
1.75 |
|
V |
|
VGE =15V, IC = 2400A,Tvj = 125 °C |
|
1.95 |
|
V |
|
VGE =15V, IC = 2400A,Tvj = 150 °C |
|
2.05 |
|
V |
|
I F |
Diyot ileri akımı |
DC |
|
2400 |
|
A |
|
I FRM |
Diyot maksimum ileri akımı |
t P = 1ms |
|
4800 |
|
A |
|
|
VF(*1)
|
Diyot ileri voltajı
|
IF = 2400A |
|
1.65 |
|
V |
|
IF = 2400A, Tvj = 125 °C |
|
1.75 |
|
V |
|
IF = 2400A, Tvj = 150 °C |
|
1.75 |
|
V |
|
- Evet. |
Girdi Kapasitesi |
VCE = 25V, V GE = 0V, f = 1MHz |
|
400 |
|
nF |
|
Genel Merkezi |
Geçit Ücreti |
±15V |
|
19 |
|
μC |
|
Cres |
Ters transfer kapasitansı |
VCE = 25V, V GE = 0V, f = 1MHz |
|
3 |
|
nF |
|
L M |
Modül endüktansı |
|
|
10 |
|
nH |
|
R INT |
Dahili transistör direnci |
|
|
110 |
|
μΩ |
|
|
I SC
|
Kısa devre akımı, ISC
|
Tvj = 150°C, V CC = 1000V, V GE ≤15V, tp ≤10μs,
VCE(max) = VCES – L (*2) ×di/dt, IEC 6074-9
|
|
12000
|
|
A
|
|
td ((off) |
Kapatma gecikme süresi |
I C = 2400A
VCE = 900V
L S ~ 50nH
V GE = ±15V
R G(ON) = 0.5Ω
R G(OFF)= 0.5Ω
|
|
2320 |
|
ns |
t f |
Sonbahar zamanı |
|
500 |
|
ns |
E OFF |
Kapatma enerji kaybı |
|
1050 |
|
mJ |
td ((on) |
Açma Gecikme Zamanı |
|
450 |
|
ns |
tr |
Kalkma zamanı. |
|
210 |
|
ns |
Eon |
Açma enerji kaybı |
|
410 |
|
mJ |
Qrr |
Diyot ters geri yükleme yükü |
I F = 2400A
VCE = 900V
diF/dt =10000A/us
|
|
480 |
|
μC |
I rr |
Diyot ters geri yükleme akımı |
|
1000 |
|
A |
Erec |
Diyot ters geri yükleme enerjisi |
|
320 |
|
mJ |
td ((off) |
Kapatma gecikme süresi |
I C = 2400A
VCE = 900V
L S ~ 50nH
V GE = ±15V
R G(ON) = 0.5Ω
R G(OFF)= 0.5Ω
|
|
2340 |
|
ns |
t f |
Sonbahar zamanı |
|
510 |
|
ns |
E OFF |
Kapatma enerji kaybı |
|
1320 |
|
mJ |
td ((on) |
Açma Gecikme Zamanı |
|
450 |
|
ns |
tr |
Kalkma zamanı. |
|
220 |
|
ns |
Eon |
Açma enerji kaybı |
|
660 |
|
mJ |
Qrr |
Diyot ters geri yükleme yükü |
I F = 2400A
VCE = 900V
diF/dt =10000A/us
|
|
750 |
|
μC |
I rr |
Diyot ters geri yükleme akımı |
|
1200 |
|
A |
Erec |
Diyot ters geri yükleme enerjisi |
|
550 |
|
mJ |
td ((off) |
Kapatma gecikme süresi |
I C = 2400A
VCE = 900V
L S ~ 50nH
V GE = ±15V
R G(ON) = 0.5Ω
R G(OFF)= 0.5Ω
|
|
2340 |
|
ns |
t f |
Sonbahar zamanı |
|
510 |
|
ns |
E OFF |
Kapatma enerji kaybı |
|
1400 |
|
mJ |
td ((on) |
Açma Gecikme Zamanı |
|
450 |
|
ns |
tr |
Kalkma zamanı. |
|
220 |
|
ns |
Eon |
Açma enerji kaybı |
|
820 |
|
mJ |
Qrr |
Diyot ters geri yükleme yükü |
I F = 2400A
VCE = 900V
diF/dt =12000A/us
|
|
820 |
|
μC |
I rr |
Diyot ters geri yükleme akımı |
|
1250 |
|
A |
Erec |
Diyot ters geri yükleme enerjisi |
|
620 |
|
mJ |
Hakkımızda
IGBT'nin uygulama üzerine odaklanıyoruz ürünler . IGBT'nin uygulamasına dayanarak ürün yelpazemizi yüksek performanslı Güç Modülleri'ne kadar özelleştirerek genişletmiş bulunmaktayız. Aynı zamanda iş alanımız otomasyon kontrol ürünlerine de yayılmış olup, ADC/DAC, LDO, enstrümantasyon amplifikatörleri, elektromanyetik röleler, PhotoMOS ve MOSFET gibi ürünler de bu kapsamdadır. Bu sayede uzmanlık alanlarımızda üst düzey Çinli üreticilerle iş birliği yaparak müşterilerimize güvenilir ve maliyet açısından etkin ürünler sunabiliyoruz.
Yenilik ve mükemmellik ilkeleri üzerine kurulmuş olarak, yarı iletken alternatif çözümler ve teknolojide öncü konumdayız.
Vizyonumuz, müşterilerimize alternatif çözümler sunmak, uygulama çözümlerinin maliyet performansını artırmak ve Çin'de üretim yoluyla tedarik zincirlerinin güvenliğini sağlamakdır.
EN
