Kısa tanıtım
IGBT modülü , 3-şevkatli ,sTARPOWER tarafından üretilmiştir. 1200V 200A.
Özellikler
- Düşük VCE (satürn) Trench IGBT teknolojisi
- Pozitif sıcaklık katsayısı olan VCE (sat)
- Düşük geçiş kaybı
- En yüksek bağlantı sıcaklığı 175oC
- Düşük endüktansa olan bir vaka
- Hızlı ve yumuşak geri kazanım paralel karşı FWD
- İzole bakır taban plakası DBC teknolojisi kullanarak
Tipik Uygulamalar
- Motorlu tahrik için inverter
- Kesintisiz güç kaynağı
- Güneş Enerjisi
Mutlak Maksimum Değerlendirmeler T C =25 o C tabii ki aksi takdirde not edildi
T1-T4 IGBT
Sembolik |
Açıklama |
Değer |
Birim |
V CES |
Toplayıcı-Sütücü Voltajı |
1200 |
V |
V GES |
Kapı-Emitör Voltajı |
±20 |
V |
Ben C |
Toplayıcı Akımı @ T C =25 o C
@ T C = 100o C
|
337
200
|
A |
Ben CM |
Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t p =1ms |
400 |
A |
P D |
Maksimum güç Dağılımı @ T j =175 o C |
1162 |
W |
D1-D4 Diod
Sembolik |
Açıklama |
Değer |
Birim |
V RRM |
Tekrarlanan Zirve Ters Voltajı |
1200 |
V |
Ben F |
Diyot Sürekli İleri Kur kira |
200 |
A |
Ben Fm |
Diyot Maksimum İleri Akımı t p =1ms |
400 |
A |
D5,D6 Diod
Sembolik |
Açıklama |
Değer |
Birim |
V RRM |
Tekrarlanan Zirve Ters Voltajı |
1200 |
V |
Ben F |
Diyot Sürekli İleri Kur kira |
200 |
A |
Ben Fm |
Diyot Maksimum İleri Akımı t p =1ms |
400 |
A |
Modül
Sembolik |
Açıklama |
Değer |
Birim |
T jmax |
En yüksek kavşak sıcaklığı |
175 |
o C |
T yapma |
Hareket noktası sıcaklığı |
-40 ile +150 arasında |
o C |
T STG |
Depolama Sıcaklığı Menzil |
-40'tan +125'e kadar |
o C |
V ISO |
İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t=1 min |
2500 |
V |
T1-T4 IGBT Özellikler T C =25 o C tabii ki aksi takdirde not edildi
Sembolik |
Parametre |
Test koşulları |
Min. |
Tipik. |
Max. |
Birim |
V CE (sat)
|
Toplayıcıdan Verene
Doymak Voltajı
|
Ben C =200A,V GE =15V, T j =25 o C |
|
1.70 |
2.15 |
V
|
Ben C =200A,V GE =15V, T j =125 o C |
|
1.95 |
|
Ben C =200A,V GE =15V, T j =150 o C |
|
2.00 |
|
V GE (th ) |
Geçit-Bölücü Sınırı Voltaj |
Ben C =5.0 mA ,V CE = V GE , T j =25 o C |
5.2 |
6.0 |
6.8 |
V |
Ben CES |
Toplayıcı Kes -OFF
Akım
|
V CE = V CES ,V GE =0V,
T j =25 o C
|
|
|
1.0 |
mA |
Ben GES |
Geçit-Emitör Sızıntıları Akım |
V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 o C |
|
|
400 |
nA |
R Gint |
İç kapı direnci - Ne? |
|
|
4.0 |
|
ω |
C ies |
Girdi Kapasitesi |
V CE =25V,f=1MHz,
V GE =0V
|
|
20.7 |
|
nF |
C res |
Geriye dönüştürme
Kapasite
|
|
0.58 |
|
nF |
Q G |
Geçit Ücreti |
V GE - Hayır. 15...+15V |
|
1.55 |
|
μC |
t d (oN ) |
Açma Gecikme Zamanı |
V CC =600V,I C =200A, R G = 1. 1Ω,V GE =±15V, T j =25 o C
|
|
150 |
|
ns |
t r |
Kalkma zamanı. |
|
32 |
|
ns |
t d (oFF ) |
Kapalı Gecikme süresi |
|
330 |
|
ns |
t f |
Sonbahar zamanı |
|
93 |
|
ns |
E oN |
Aç Anahtarlama
Kayıp
|
|
11.2 |
|
mJ |
E oFF |
Kapatma Değiştirme
Kayıp
|
|
11.3 |
|
mJ |
t d (oN ) |
Açma Gecikme Zamanı |
V CC =600V,I C =200A, R G = 1. 1Ω,V GE =±15V, T j = 125o C
|
|
161 |
|
ns |
t r |
Kalkma zamanı. |
|
37 |
|
ns |
t d (oFF ) |
Kapalı Gecikme süresi |
|
412 |
|
ns |
t f |
Sonbahar zamanı |
|
165 |
|
ns |
E oN |
Aç Anahtarlama
Kayıp
|
|
19.8 |
|
mJ |
E oFF |
Kapatma Değiştirme
Kayıp
|
|
17.0 |
|
mJ |
t d (oN ) |
Açma Gecikme Zamanı |
V CC =600V,I C =200A, R G = 1. 1Ω,V GE =±15V, T j = 150o C
|
|
161 |
|
ns |
t r |
Kalkma zamanı. |
|
43 |
|
ns |
t d (oFF ) |
Kapalı Gecikme süresi |
|
433 |
|
ns |
t f |
Sonbahar zamanı |
|
185 |
|
ns |
E oN |
Aç Anahtarlama
Kayıp
|
|
21.9 |
|
mJ |
E oFF |
Kapatma Değiştirme
Kayıp
|
|
19.1 |
|
mJ |
Ben SC
|
SC Verileri
|
t P ≤ 10μs,V GE =15V,
T j =150 o C,V CC =900V, V CEM ≤ 1200V
|
|
800
|
|
A
|
D1-D4 Diyot Özellikler T C =25 o C tabii ki aksi takdirde not edildi
Sembolik |
Parametre |
Test koşulları |
Min. |
Tipik. |
Max. |
Birimler |
V F
|
Diyot ileriye
Voltaj
|
Ben F =200A,V GE =0V,T j =25 o C |
|
1.65 |
2.10 |
V
|
Ben F =200A,V GE =0V,T j = 125o C |
|
1.65 |
|
Ben F =200A,V GE =0V,T j = 150o C |
|
1.65 |
|
Q r |
Geri Alınan Ücret |
V R =600V,I F =200A,
-di/dt=5400A/μs,V GE - Hayır. 15V T j =25 o C
|
|
17.6 |
|
μC |
Ben RM |
Çığ tersine
Geri kazanım akımı
|
|
228 |
|
A |
E - Bilmiyorum. |
Ters Çıkarma Enerji |
|
7.7 |
|
mJ |
Q r |
Geri Alınan Ücret |
V R =600V,I F =200A,
-di/dt=5400A/μs,V GE - Hayır. 15V T j =125 o C
|
|
31.8 |
|
μC |
Ben RM |
Çığ tersine
Geri kazanım akımı
|
|
238 |
|
A |
E - Bilmiyorum. |
Ters Çıkarma Enerji |
|
13.8 |
|
mJ |
Q r |
Geri Alınan Ücret |
V R =600V,I F =200A,
-di/dt=5400A/μs,V GE - Hayır. 15V T j =150 o C
|
|
36.6 |
|
μC |
Ben RM |
Çığ tersine
Geri kazanım akımı
|
|
247 |
|
A |
E - Bilmiyorum. |
Ters Çıkarma Enerji |
|
15.2 |
|
mJ |
D5,D6 Diyot Özellikler T C =25 o C tabii ki aksi takdirde not edildi
Sembolik |
Parametre |
Test koşulları |
Min. |
Tipik. |
Max. |
Birimler |
V F
|
Diyot ileriye
Voltaj
|
Ben F =200A,V GE =0V,T j =25 o C |
|
1.65 |
2.10 |
V
|
Ben F =200A,V GE =0V,T j = 125o C |
|
1.65 |
|
Ben F =200A,V GE =0V,T j = 150o C |
|
1.65 |
|
Q r |
Geri Alınan Ücret |
V R =600V,I F =200A,
-di/dt=5400A/μs,V GE - Hayır. 15V T j =25 o C
|
|
17.6 |
|
μC |
Ben RM |
Çığ tersine
Geri kazanım akımı
|
|
228 |
|
A |
E - Bilmiyorum. |
Ters Çıkarma Enerji |
|
7.7 |
|
mJ |
Q r |
Geri Alınan Ücret |
V R =600V,I F =200A,
-di/dt=5400A/μs,V GE - Hayır. 15V T j =125 o C
|
|
31.8 |
|
μC |
Ben RM |
Çığ tersine
Geri kazanım akımı
|
|
238 |
|
A |
E - Bilmiyorum. |
Ters Çıkarma Enerji |
|
13.8 |
|
mJ |
Q r |
Geri Alınan Ücret |
V R =600V,I F =200A,
-di/dt=5400A/μs,V GE - Hayır. 15V T j =150 o C
|
|
36.6 |
|
μC |
Ben RM |
Çığ tersine
Geri kazanım akımı
|
|
247 |
|
A |
E - Bilmiyorum. |
Ters Çıkarma Enerji |
|
15.2 |
|
mJ |
NTC Özellikler T C =25 o C tabii ki aksi takdirde not edildi
Sembolik |
Parametre |
Test koşulları |
Min. |
Tipik. |
Max. |
Birim |
R 25 |
Rating direnci |
|
|
5.0 |
|
kΩ |
δR/R |
Değişim ile ilgili R 100 |
T C = 100 o C,R 100= 493.3Ω |
-5 |
|
5 |
% |
P 25 |
Güç
Dağılım
|
|
|
|
20.0 |
mW |
B 25/50 |
B değeri |
R 2=R 25exp [B 25/50 1/T 2-
1/(298.15K))]
|
|
3375 |
|
K |
B 25/80 |
B değeri |
R 2=R 25exp [B 25/80 1/T 2-
1/(298.15K))]
|
|
3411 |
|
K |
B 25/100 |
B değeri |
R 2=R 25exp [B 25/100 1/T 2-
1/(298.15K))]
|
|
3433 |
|
K |
Modül Özellikler T C =25 o C tabii ki aksi takdirde not edildi
Sembolik |
Parametre |
Min. |
Tipik. |
Max. |
Birim |
R - Yürü
|
Bağlantı Noktası-Şasi (T başına göre) 1-T4 IGBT)
Bağlantı Noktası-Şasi (D1-D4 Diodu başına göre) (çıkış)
Bağlantı Noktası-Şasi (D5,D6 Diodu başına göre) de)
|
|
|
0.129
0.237
0.232
|
K/W |
R thCH
|
Kürsüden ısı toplayıcıya (her T1-T4 IGBT)
Şasi-Işıl Alıcı (D1-D4 başına göre) Diyot)
Kasa-Isı Sigortası (D5,D6 başına) Diyot)
Kürsüden ısı toplayıcıya (her Modül)
|
|
0.073
0.134
0.131
0.010
|
|
K/W
|
M |
Terminal Bağlantı Döner, M6 Çivit Montaj Döner, M6 Çivit |
2.5
3.0
|
|
5.0
5.0
|
|
G |
Ağırlık ile ilgili Modül |
|
340 |
|
g |