GD400HFX120C2S,IGBT Modülü,STARPOWER

Sembolik

Açıklama

Değer

Birim

V CES

Toplayıcı-Sütücü Voltajı

1200

V

V GES

Kapı-Emitör Voltajı

±20

V

Ben C

Toplayıcı Akımı @ T C =25 o C

@ T C =90 o C

595

400

A

Ben CM

Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t p = 1ms

800

A

P D

Maksimum güç Dağılımı @ T j =175 o C

1875

W

Sembolik

Açıklama

Değer

Birim

V RRM

Tekrarlanan Zirve Ters Voltajı

1200

V

Ben F

Diyot Sürekli İleri Kur kira

400

A

Ben Fm

Diyot Maksimum İleri Akımı t p =1ms

800

A

Sembolik

Açıklama

Değer

Birim

T jmax

En yüksek kavşak sıcaklığı

175

o C

T yapma

Hareket noktası sıcaklığı

-40 ile +150 arasında

o C

T STG

Depolama Sıcaklığı Menzil

-40'tan +125'e kadar

o C

V ISO

İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t=1 min

4000

V

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birim

V CE (sat)

Toplayıcıdan Verene

Doymak Voltajı

Ben C =400A,V GE = 15V, T j =25 o C

1.75

2.20

V

Ben C =400A,V GE = 15V, T j =125 o C

2.00

Ben C =400A,V GE = 15V, T j =150 o C

2.05

V GE (th )

Geçit-Bölücü Sınırı Voltaj

Ben C = 10.0mA,V CE =V GE , T j =25 o C

5.2

6.0

6.8

V

Ben CES

Toplayıcı Kes -OFF

Akım

V CE = V CES ,V GE =0V,

T j =25 o C

5.0

mA

Ben GES

Geçit-Emitör Sızıntıları Akım

V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 o C

400

nA

R Gint

İç kapı direnci - Ne?

0.5

ω

C ies

Girdi Kapasitesi

V CE =25V,f=1MHz,

V GE =0V

37.3

nF

C res

Geriye dönüştürme

Kapasite

1.04

nF

Q G

Geçit Ücreti

V GE - Hayır. 15...+15V

2.80

μC

t d (oN )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =400A, R G =2.0Ω,

V GE =±15V, T j =25 o C

205

ns

t r

Kalkma zamanı.

77

ns

t d (oFF )

Kapalı Gecikme süresi

597

ns

t f

Sonbahar zamanı

98

ns

E oN

Aç Anahtarlama

Kayıp

18.8

mJ

E oFF

Kapatma Değiştirme

Kayıp

32.3

mJ

t d (oN )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =400A, R G =2.0Ω,

V GE =±15V, T j = 125o C

214

ns

t r

Kalkma zamanı.

86

ns

t d (oFF )

Kapalı Gecikme süresi

626

ns

t f

Sonbahar zamanı

137

ns

E oN

Aç Anahtarlama

Kayıp

28.4

mJ

E oFF

Kapatma Değiştirme

Kayıp

48.9

mJ

t d (oN )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =400A, R G =2.0Ω,

V GE =±15V, T j = 150o C

198

ns

t r

Kalkma zamanı.

94

ns

t d (oFF )

Kapalı Gecikme süresi

646

ns

t f

Sonbahar zamanı

147

ns

E oN

Aç Anahtarlama

Kayıp

30.8

mJ

E oFF

Kapatma Değiştirme

Kayıp

53.8

mJ

Ben SC

SC Verileri

t P ≤ 10μs,V GE = 15V,

T j =150 o C,V CC =900V, V CEM ≤ 1200V

1440

A

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birim

V F

Diyot ileriye

Voltaj

Ben F =400A,V GE =0V,T j =25 o C

1.75

2.15

V

Ben F =400A,V GE =0V,T j = 125o C

1.65

Ben F =400A,V GE =0V,T j = 150o C

1.65

Q r

Geri Alınan Ücret

V R =600V,I F =400A,

-di/dt=5000A/μs,V GE - Hayır. 15V T j =25 o C

40

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

299

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

20.0

mJ

Q r

Geri Alınan Ücret

V R =600V,I F =400A,

-di/dt=5000A/μs,V GE - Hayır. 15V T j = 125o C

70

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

399

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

38.4

mJ

Q r

Geri Alınan Ücret

V R =600V,I F =400A,

-di/dt=5000A/μs,V GE - Hayır. 15V T j = 150o C

80

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

419

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

43.9

mJ

Sembolik

Parametre

Min.

Tipik.

Max.

Birim

L CE

Savrulan endüktansa

15

nH

R CC+EE

Modül Kurşun Direnci nce, terminal chip'e

0.25

mΩ

R - Yürü

İlişki (İGB başına) T)

Çaprazla bağlantı (Di başına) (çıkış)

0.080

0.095

K/W

R thCH

Kürsüden ısı toplayıcıya (her IGBT)

Kürsüden ısı fıskiyesine (p) diyot)

Kürsüden ısı toplayıcıya (her Modül)

0.037

0.044

0.010

K/W

M

Terminal Bağlantı Döner, M6 Çivit Montaj Döner, M6 Çivit

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

G

Ağırlık ile ilgili Modül

300

g