Tüm Kategoriler
Teklif Alın

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz yakında sizinle iletişime geçecek.
E-posta
Ad
Şirket adı
Mesaj
0/1000

IGBT Modülü 1700V

IGBT Modülü 1700V

Ana Sayfa/Ürünler/IGBT modülü/IGBT Modülü 1700V

GD450HFX170C6S,IGBT Modülü,STARPOWER

1700V 450A

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD450HFX170C6S
  • Tanıtım
  • Çizelge
Tanıtım

Kısa tanıtım

IGBT modülü , STARPOWER tarafından üretilmiştir. 1700V 450A.

Özellikler

  • Düşük VCE (satür) Çukur IGBT teknoloji
  • 10μs kısa devre kapasitesi
  • VCE (sat) ile pozitif sıcaklık katsayı
  • En yüksek bağlantı sıcaklığı 175oC
  • Düşük endüktansa olan bir vaka
  • Hızlı ve yumuşak geri kazanım paralel karşı FWD
  • İzole bakır taban plakası DBC teknolojisi kullanarak

Tipik Uygulamalar

  • Motorlu tahrik için inverter
  • AC ve DC servo sürücü amplifikatörü
  • Kesintisiz güç kaynağı

Mutlak Maksimum Değerlendirmeler T C=25ü C tabii ki aksi takdirde not edildi

IGBT

Sembolik

AÇIKLAMA

Değer

BİRİM

V CES

Toplayıcı-Sütücü Voltajı

1700

V

V GES

Kapı-Emitör Voltajı

±20

V

EC

Toplayıcı Akımı @ T C=25ü C

@ T C= 100ü C

706

450

K

ECm

Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t p =1ms

900

K

PY

Maksimum güç Dağılımı @ T =175ü C

2542

E

Diyot

Sembolik

AÇIKLAMA

Değer

BİRİM

V RRM

Tekrarlanan Zirve Ters Voltajı

1700

V

EF

Diyot Sürekli İleri Kur kira

450

K

EFm

Diyot Maksimum İleri Akımı t p =1ms

900

K

Modül

Sembolik

AÇIKLAMA

Değer

BİRİM

T jmax

En yüksek kavşak sıcaklığı

175

ü C

T yapma

Hareket noktası sıcaklığı

-40 ile +150 arasında

ü C

T STG

Depolama Sıcaklığı Menzil

-40'tan +125'e kadar

ü C

V ISO

İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t=1 dK

4000

V

IGBT Özellikler T C=25ü C tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Maks.

BİRİM

V CE (sat)

Toplayıcıdan Verene

Doymak Voltajı

EC=450A,V GE =15V, T j =25ü C

1.85

2.20

V

EC=450A,V GE =15V, T j =125ü C

2.25

EC=450A,V GE =15V, T j =150ü C

2.35

V GE (th)

Geçit-Bölücü Sınırı Gerilim

EC= 18.0mA,V CE =V GE , T j =25ü C

5.6

6.2

6.8

V

ECES

Toplayıcı Kesilir -OFF

Akım

V CE =V CES ,V GE =0V,

T j =25ü C

5.0

mA

EGES

Geçit-Emitör Sızıntıları Akım

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25ü C

400

nA

Çubuk Gint

İç kapı direnci - Ne?

1.67

ω

Cies

Girdi Kapasitesi

V CE =25V,f=1MHz,

V GE =0V

54.2

nF

Cres

Geriye dönüştürme

Kapasite

1.32

nF

S E

Geçit Ücreti

V GE =- 15...+15V

4.24

μC

t l (açık )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =900V,I C=450A, Çubuk E=3.3Ω,V GE =±15V, T j =25ü C

179

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

105

ns

t l (oFF )

Kapalı Gecikme süresi

680

ns

t f

Sonbahar zamanı

375

ns

Eaçık

Aç Anahtarlama

Kayıp

116

mJ

EoFF

Kapatma Değiştirme

Kayıp

113

mJ

t l (açık )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =900V,I C=450A, Çubuk E=3.3Ω,V GE =±15V, T j = 125ü C

208

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

120

ns

t l (oFF )

Kapalı Gecikme süresi

784

ns

t f

Sonbahar zamanı

613

ns

Eaçık

Aç Anahtarlama

Kayıp

152

mJ

EoFF

Kapatma Değiştirme

Kayıp

171

mJ

t l (açık )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =900V,I C=450A, Çubuk E=3.3Ω,V GE =±15V, T j = 150ü C

208

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

120

ns

t l (oFF )

Kapalı Gecikme süresi

800

ns

t f

Sonbahar zamanı

720

ns

Eaçık

Aç Anahtarlama

Kayıp

167

mJ

EoFF

Kapatma Değiştirme

Kayıp

179

mJ

ESC

SC Verileri

t P≤ 10μs,V GE =15V,

T j =150ü C,V CC = 1000V, V CEM ≤1700V

1800

K

Diyot Özellikler T C=25ü C tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Maks.

BİRİM

V F

Diyot ileriye

Gerilim

EF =450A,V GE =0V,T j =25ü C

1.80

2.25

V

EF =450A,V GE =0V,T j = 125ü C

1.95

EF =450A,V GE =0V,T j = 150ü C

1.90

S çubuk

Geri Alınan Ücret

V Çubuk =900V,I F =450A,

-di/dt=4580A/μs,V GE =- 15V T j =25ü C

105

μC

ERM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

198

K

E- Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

69.0

mJ

S çubuk

Geri Alınan Ücret

V Çubuk =900V,I F =450A,

-di/dt=4580A/μs,V GE =- 15V T j = 125ü C

187

μC

ERM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

578

K

E- Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

129

mJ

S çubuk

Geri Alınan Ücret

V Çubuk =900V,I F =450A,

-di/dt=4580A/μs,V GE =- 15V T j = 150ü C

209

μC

ERM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

585

K

E- Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

150

mJ

NTC Özellikler T C=25ü C tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Maks.

BİRİM

Çubuk 25

Rating direnci

5.0

kΩ

δR/R

Değişim nın Çubuk 100

T C= 100 ü C,R 100= 493.3Ω

-5

5

%

P25

Güç

Dağılım

20.0

mW

B 25/50

B değeri

Çubuk 2=R 25exp [B 25/501/T 2-

1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B değeri

Çubuk 2=R 25exp [B 25/801/T 2-

1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B değeri

Çubuk 2=R 25exp [B 25/1001/T 2-

1/(298.15K))]

3433

K

Modül Özellikler T C=25ü C tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Min.

Tipik.

Maks.

BİRİM

Y CE

Savrulan endüktansa

20

nH

Çubuk CC+EE

Modül Kurşun Direnci, Çip'e terminal

1.10

mΩ

Çubuk - Yürü

İlişki (İGB başına) T)

Çaprazla bağlantı (Di başına) (çıkış)

0.059

0.083

K/W

Çubuk thCH

Kürsüden ısı toplayıcıya (her IGBT)

Kürsüden ısı fıskiyesine (p) diyot)

Kürsüden ısı toplayıcıya (her Modül)

0.031

0.043

0.009

K/W

M

Terminal Bağlantı Döner, M6 Çivit Montaj Döner, M5 vida

3.0

3.0

6.0

6.0

N.M

E

Ağırlık nın Modül

350

e

Çizelge

image(c537ef1333).png

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz yakında sizinle iletişime geçecek.
E-posta
Ad
Şirket adı
Mesaj
0/1000

İlgili Ürün

Ürünlerle ilgili sorularınız var mı?

Profesyonel satış ekibimiz sizin danışmanlığınızı bekliyor.
Ürün listesini takip edip ilgilendiğiniz soruları sorabilirsiniz.

Teklif Alın

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz yakında sizinle iletişime geçecek.
E-posta
Ad
Şirket adı
Mesaj
0/1000

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz yakında sizinle iletişime geçecek.
E-posta
Ad
Şirket adı
Mesaj
0/1000