Tüm Kategoriler
Teklif Alın

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz kısa süre içinde sizinle iletişime geçecektir.
E-posta
Ad
Şirket Adı
Mesaj
0/1000

IGBT Modülü 1700V

IGBT Modülü 1700V

Ana Sayfa /  Ürünler /  IGBT modülü /  IGBT Modülü 1700V

GD150HCX170C6SA ,IGBT Modülü,STARPOWER

IGBT Modülü, 1700V 150A

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD150HCX170C6SA
  • Giriş
  • Çizelge
Giriş

Kısa tanıtım

IGBT modülü ,üretildi STARPOWER . 1700V 150A.

Özellikler

  • Düşük VCE (satürn) Trench IGBT teknolojisi
  • 10μs kısa devre kapasitesi
  • Pozitif sıcaklık katsayısı olan VCE (sat)
  • Maksimum birleşim sıcaklığı 175
  • Düşük endüktansa olan bir vaka
  • Hızlı ve yumuşak geri kazanım paralel karşı FWD
  • İzole bakır taban plakası DBC teknolojisi kullanarak

Tipik Uygulamalar

  • Motorlu tahrik için inverter
  • AC ve DC servo sürücü amplifikatörü
  • Kesintisiz güç kaynağı

Mutlak Maksimum Değerlendirmeler T F =25o C tabii ki aksi takdirde not edildi

IGBT

Sembolik

Açıklama

Değer

Birim

V CES

Toplayıcı-Sütücü Voltajı

1700

V

V GES

Kapı-Emitör Voltajı

±20

V

B C

Toplayıcı Akımı @ T C =25o C @ T C =100o C

281

150

Bir

B CM

Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t p =1ms

300

Bir

P D

Maksimum güç Dağılımı @ T vj =175o C

1136

G

Diyot

Sembolik

Açıklama

Değer

Birim

V RRM

Tekrarlanan Zirve Ters Volt yaş

1700

V

B F

Diyot Sürekli İleri Cu kiralık

150

Bir

B Fm

Diyot Maksimum İleri Akımı t p =1ms

300

Bir

Modül

Sembolik

Açıklama

Değer

Birim

T vjmax

En yüksek kavşak sıcaklığı

175

o C

T vjop

Hareket noktası sıcaklığı

-40 ile +150 arasında

o C

T STG

Depolama sıcaklık aralığı

-40'tan +125'e kadar

o C

V ISO

İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t= 1 dakikada.

4000

V

IGBT Özellikler T C =25o C tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birim

V CE (sat)

Toplayıcıdan Verene Doymak Voltajı

B C =150A,V GE =15V, T vj =25o C

1.85

2.20

V

B C =150A,V GE =15V, T vj =125o C

2.25

B C =150A,V GE =15V, T vj =150o C

2.35

V GE (th)

Geçit-Bölücü Sınırı Voltaj

B C =6.00mA ,V CE =V GE , T vj =25o C

5.6

6.2

6.8

V

B CES

Toplayıcı Kesilir -OFF Mevcut

V CE =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

5.0

mA

B GES

Geçit-Emitör Sızıntıları Mevcut

V GE =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

Çubuk Gint

İç kapı direnci

4.3

ω

C ies

Girdi Kapasitesi

V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V

18.1

nF

C res

Geriye dönüştürme Kapasite

0.44

nF

Q G

Geçit Ücreti

V GE =-15 ...+15V

1.41

μC

t d (üzerinde )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =900V,I C =150A, Çubuk G =0.51Ω,V GE =±15V, LS =48nH ,T vj =25o C

206

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

44

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

337

ns

t f

Sonbahar zamanı

331

ns

E üzerinde

Anahtarlama Kayıp

39.5

mJ

E oFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

21.7

mJ

t d (üzerinde )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =900V,I C =150A, Çubuk G =0.51Ω,V GE =±15V, LS =48nH ,T vj =125o C

232

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

54

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

422

ns

t f

Sonbahar zamanı

514

ns

E üzerinde

Anahtarlama Kayıp

55.3

mJ

E oFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

32.7

mJ

t d (üzerinde )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =900V,I C =150A, Çubuk G =0.51Ω,V GE =±15V, LS =48nH ,T vj =150o C

239

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

57

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

442

ns

t f

Sonbahar zamanı

559

ns

E üzerinde

Anahtarlama Kayıp

60.8

mJ

E oFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

34.9

mJ

B SC

SC Verileri

t P ≤ 10μs, V GE =15V,

T vj =150o C,V CC =1000V,

V CEM ≤1700V

600

Bir

Diyot Özellikler T C =25o C tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birim

V F

Diyot ileriye Voltaj

B F =150A,V GE =0V,T vj =25o C

1.80

2.25

V

B F =150A,V GE =0V,T vj =125o C

1.95

B F =150A,V GE =0V,T vj =150o C

1.90

Q çubuk

Geri Alınan Ücret

V Çubuk =900V,I F =150A,

-di/dt=2464A/μs,V GE =-15V LS =48nH ,T vj =25o C

42.8

μC

B RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

142

Bir

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

22.3

mJ

Q çubuk

Geri Alınan Ücret

V Çubuk =900V,I F =150A,

-di/dt=1956A/μs,V GE =-15V LS =48nH ,T vj =125o C

64.7

μC

B RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

147

Bir

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

35.0

mJ

Q çubuk

Geri Alınan Ücret

V Çubuk =900V,I F =150A,

-di/dt=1795A/μs,V GE =-15V LS =48nH ,T vj =150o C

72.0

μC

B RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

148

Bir

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

38.8

mJ

Modül Özellikler T C =25o C tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Min.

Tipik.

Max.

Birim

L CE

Savrulan endüktansa

20

nH

Çubuk CC+EE

Modül Kurşun Direnci, Çip'e terminal

1.10

Çubuk - Yürü

Kavşak -karşı -Vaka (perIGBT ) Çaprazla bağlantı (Di başına) (çıkış)

0.132 0.209

K/W

Çubuk thCH

Kürsüden ısı toplayıcıya (her IGBT) Kasa-Soğutucu (pe r Diyot) Kasa-Soğutucu (per M odül)

0.029 0.047 0.009

K/W

M

Terminal Bağlantı Döner, M6 Çivit Montaj Döner, M5 vida

3.0 3.0

6.0 6.0

N.M

G

Ağırlık nın Modül

350

g

Çizelge

image(c537ef1333).png

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz kısa süre içinde sizinle iletişime geçecektir.
E-posta
Ad
Şirket Adı
Mesaj
0/1000

İlgili Ürün

Ürünlerle ilgili sorularınız var mı?

Uzman satış ekibimiz danışmanlık için sabırsızca bekliyor.
Ürün listesini takip edip ilgilendiğiniz soruları sorabilirsiniz.

Teklif Alın

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz kısa süre içinde sizinle iletişime geçecektir.
E-posta
Ad
Şirket Adı
Mesaj
0/1000

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz kısa süre içinde sizinle iletişime geçecektir.
E-posta
Ad
Şirket Adı
Mesaj
0/1000