Kısa tanıtım 
IGBT modülü ,üretildi STARPOWER . 1700V 150A. 
Özellikler 
- Düşük VCE (satürn) Trench IGBT teknolojisi 
- 10μs kısa devre kapasitesi 
- Pozitif sıcaklık katsayısı olan VCE (sat) 
- 
Maksimum birleşim sıcaklığı 175 ℃ 
- Düşük endüktansa olan bir vaka 
- Hızlı ve yumuşak geri kazanım paralel karşı FWD 
- İzole bakır taban plakası DBC teknolojisi kullanarak 
Tipik Uygulamalar 
- Motorlu tahrik için inverter 
- AC ve DC servo sürücü amplifikatörü 
- Kesintisiz güç kaynağı 
Mutlak  Maksimum  Değerlendirmeler  T   F =25 o   C    tabii ki  aksi takdirde  not edildi  
IGBT 
| Sembolik  | Açıklama  | Değer  | Birim  | 
| V CES  | Toplayıcı-Sütücü Voltajı  | 1700 | V  | 
| V GES  | Kapı-Emitör Voltajı  | ±20  | V  | 
| Ben   C    | Toplayıcı Akımı @ T C   =25 o   C @ T   C   =100 o   C    | 281 150 | A  | 
| Ben   CM  | Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t p =1ms  | 300 | A  | 
| P D  | Maksimum güç Dağılımı @ T vj =175 o   C    | 1136 | W  | 
Diyot 
 
| Sembolik  | Açıklama  | Değer  | Birim  | 
| V RRM  | Tekrarlanan Zirve Ters Volt yaş  | 1700 | V  | 
| Ben   F  | Diyot Sürekli İleri Cu kiralık  | 150 | A  | 
| Ben   Fm  | Diyot Maksimum İleri Akımı t p =1ms  | 300 | A  | 
Modül 
 
| Sembolik  | Açıklama  | Değer  | Birim  | 
| T   vjmax  | En yüksek kavşak sıcaklığı  | 175 | o   C    | 
| T   vjop  | Hareket noktası sıcaklığı  | -40 ile +150 arasında  | o   C    | 
| T   STG  | Depolama sıcaklık aralığı  | -40'tan +125'e kadar  | o   C    | 
| V ISO    | İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t= 1 dakikada.  | 4000 | V  | 
IGBT  Özellikler  T   C   =25 o   C    tabii ki  aksi takdirde  not edildi 
 
| Sembolik  | Parametre  | Test koşulları  | Min.  | Tipik.  | Max.  | Birim  | 
|     V CE (sat)  |     Toplayıcıdan Verene  Doymak Voltajı  | Ben   C   =150A,V GE =15V,  T   vj =25 o   C    |   | 1.85 | 2.20 |     V  | 
| Ben   C   =150A,V GE =15V,  T   vj =125 o   C    |   | 2.25 |   | 
| Ben   C   =150A,V GE =15V,  T   vj =150 o   C    |   | 2.35 |   | 
| V GE (th   ) | Geçit-Bölücü Sınırı  Voltaj    | Ben   C   =6.00 mA ,V CE = V GE , T   vj =25 o   C    | 5.6 | 6.2 | 6.8 | V  | 
| Ben   CES  | Toplayıcı  Kes -OFF Akım  | V CE = V CES ,V GE =0V,  T   vj =25 o   C    |   |   | 5.0 | mA  | 
| Ben   GES  | Geçit-Emitör Sızıntıları  Akım  | V GE = V GES ,V CE =0V, T   vj =25 o   C    |   |   | 400 | nA  | 
| R Gint  | İç kapı direnci  |   |   | 4.3 |   | ω    | 
| C   ies  | Girdi Kapasitesi  | V CE =25V,f=1MHz,  V GE =0V  |   | 18.1 |   | nF  | 
| C   res  | Geriye dönüştürme  Kapasite  |   | 0.44 |   | nF  | 
| Q G  | Geçit Ücreti  | V GE =-15  ...+15V  |   | 1.41 |   | μC  | 
| t   d (oN ) | Açma Gecikme Zamanı  |     V CC =900V,I C   =150A,     R G =0.51Ω,V GE =±15V,  LS = 48 nH ,T   vj =25 o   C    |   | 206 |   | ns  | 
| t   r  | Kalkma zamanı.  |   | 44 |   | ns  | 
| t   d (((off)  | Kapalı  Gecikme süresi  |   | 337 |   | ns  | 
| t   f  | Sonbahar zamanı  |   | 331 |   | ns  | 
| E oN  | Aç  Anahtarlama  Kayıp  |   | 39.5 |   | mJ  | 
| E oFF  | Kapatma Değiştirme  Kayıp  |   | 21.7 |   | mJ  | 
| t   d (oN ) | Açma Gecikme Zamanı  |     V CC =900V,I C   =150A,     R G =0.51Ω,V GE =±15V,  LS = 48 nH ,T   vj =125 o   C    |   | 232 |   | ns  | 
| t   r  | Kalkma zamanı.  |   | 54 |   | ns  | 
| t   d (((off)  | Kapalı  Gecikme süresi  |   | 422 |   | ns  | 
| t   f  | Sonbahar zamanı  |   | 514 |   | ns  | 
| E oN  | Aç  Anahtarlama  Kayıp  |   | 55.3 |   | mJ  | 
| E oFF  | Kapatma Değiştirme  Kayıp  |   | 32.7 |   | mJ  | 
| t   d (oN ) | Açma Gecikme Zamanı  |     V CC =900V,I C   =150A,     R G =0.51Ω,V GE =±15V,  LS = 48 nH ,T   vj =150 o   C    |   | 239 |   | ns  | 
| t   r  | Kalkma zamanı.  |   | 57 |   | ns  | 
| t   d (((off)  | Kapalı  Gecikme süresi  |   | 442 |   | ns  | 
| t   f  | Sonbahar zamanı  |   | 559 |   | ns  | 
| E oN  | Aç  Anahtarlama  Kayıp  |   | 60.8 |   | mJ  | 
| E oFF  | Kapatma Değiştirme  Kayıp  |   | 34.9 |   | mJ  | 
|   Ben   SC  |   SC Verileri  | t   P ≤ 10μs, V GE =15V,  T   vj =150 o   C,V CC =1000V,  V CEM ≤1700V  |   |   600 |   |   A  | 
Diyot  Özellikler  T   C   =25 o   C    tabii ki  aksi takdirde  not edildi 
 
| Sembolik  | Parametre  | Test koşulları  | Min.  | Tipik.  | Max.  | Birim  | 
|   V F  | Diyot ileriye  Voltaj    | Ben   F =150A,V GE =0V,T vj =2 5o   C    |   | 1.80 | 2.25 |   V  | 
| Ben   F =150A,V GE =0V,T vj =125 o   C    |   | 1.95 |   | 
| Ben   F =150A,V GE =0V,T vj =150 o   C    |   | 1.90 |   | 
| Q r  | Geri Alınan Ücret  |   V R =900V,I F =150A,  -di/dt=2464A/μs,V GE =-15V  LS = 48 nH ,T   vj =25 o   C    |   | 42.8 |   | μC  | 
| Ben   RM  | Çığ tersine  Geri kazanım akımı  |   | 142 |   | A  | 
| E - Bilmiyorum.  | Ters Çıkarma  Enerji  |   | 22.3 |   | mJ  | 
| Q r  | Geri Alınan Ücret  |   V R =900V,I F =150A,  -di/dt=1956A/μs,V GE =-15V  LS = 48 nH ,T   vj =125 o   C    |   | 64.7 |   | μC  | 
| Ben   RM  | Çığ tersine  Geri kazanım akımı  |   | 147 |   | A  | 
| E - Bilmiyorum.  | Ters Çıkarma  Enerji  |   | 35.0 |   | mJ  | 
| Q r  | Geri Alınan Ücret  |   V R =900V,I F =150A,  -di/dt=1795A/μs,V GE =-15V  LS = 48 nH ,T   vj =150 o   C    |   | 72.0 |   | μC  | 
| Ben   RM  | Çığ tersine  Geri kazanım akımı  |   | 148 |   | A  | 
| E - Bilmiyorum.  | Ters Çıkarma  Enerji  |   | 38.8 |   | mJ  | 
 
Modül  Özellikler  T   C   =25 o   C    tabii ki  aksi takdirde  not edildi 
 
| Sembolik  | Parametre  | Min.  | Tipik.  | Max.  | Birim  | 
| L   CE  | Savrulan endüktansa  |   | 20 |   | nH  | 
| R CC+EE  | Modül Kurşun Direnci, Çip'e terminal  |   | 1.10 |   | mΩ  | 
| R - Yürü  | Kavşak -için   -Vaka  (perIGBT ) Çaprazla bağlantı (Di başına) (çıkış)  |   |   | 0.132 0.209 | K/W  | 
|   R thCH  | Kürsüden ısı toplayıcıya (her IGBT) Kasa-Soğutucu (pe r Diyot) Kasa-Soğutucu (per M odül)  |   | 0.029 0.047 0.009 |   | K/W  | 
| M    | Terminal Bağlantı Döner,  M6 Çivit  Montaj Döner,  M5 vida  | 3.0 3.0 |   | 6.0 6.0 | N.M  | 
| G  | Ağırlık  ile ilgili  Modül  |   | 350 |   | g  |