Tüm Kategoriler
Teklif Alın

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz kısa süre içinde sizinle iletişime geçecektir.
E-posta
Ad
Şirket Adı
Mesaj
0/1000

IGBT Modülü 1200V

IGBT Modülü 1200V

Ana Sayfa /  Ürünler /  IGBT modülü /  IGBT Modülü 1200V

GD400HFQ120C2SD,IGBT Modülü,STARPOWER

1200V 400A

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD400HFQ120C2SD
  • Giriş
  • Çizelge
Giriş

Kısa tanıtım

IGBT modülü , STARPOWER tarafından üretilmiştir. 1200V 400A.

Özellikler

  • Düşük VCE (satürn) Trench IGBT teknolojisi
  • 10μs kısa devre kapasitesi
  • Pozitif sıcaklık katsayısı olan VCE (sat)
  • En yüksek bağlantı sıcaklığı 175oC
  • Düşük endüktansa olan bir vaka
  • Hızlı ve yumuşak geri kazanım paralel karşı FWD
  • İzole bakır taban plakası DBC teknolojisi kullanarak

Tipik Uygulamalar

  • Aktarma modu güç kaynağı
  • Indüktif ısıtma
  • Elektronik kaynak

Mutlak Maksimum Değerlendirmeler T C =25o C tabii ki aksi takdirde not edildi

IGBT

Sembolik

Açıklama

Değerler

Birim

V CES

Toplayıcı-Sütücü Voltajı

1200

V

V GES

Kapı-Emitör Voltajı

±20

V

B C

Toplayıcı Akımı @ T C =25o C

@ T C =100o C

769

400

Bir

B CM

Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t p =1ms

800

Bir

P D

Maksimum güç Dağılımı @ T vj =175o C

2272

G

Diyot

Sembolik

Açıklama

Değerler

Birim

V RRM

Tekrarlanan Zirve Ters Volt yaş

1200

V

B F

Diyot Sürekli İleri Cu kiralık

400

Bir

B Fm

Diyot Maksimum İleri Akımı t p =1ms

800

Bir

Modül

Sembolik

Açıklama

Değer

Birim

T vjmax

En yüksek kavşak sıcaklığı

175

o C

T vjop

Hareket noktası sıcaklığı

-40 ile +150 arasında

o C

T STG

Depolama sıcaklık aralığı

-40'tan +125'e kadar

o C

V ISO

İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t= 1 dakikada.

2500

V

IGBT Özellikler T C =25o C tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birim

V CE (sat)

Toplayıcıdan Verene

Doymak Voltajı

B C =400A,V GE =15V, T vj =25o C

1.85

2.30

V

B C =400A,V GE =15V, T vj =125o C

2.25

B C =400A,V GE =15V, T vj =150o C

2.35

V GE (th)

Geçit-Bölücü Sınırı Voltaj

B C =16.00mA ,V CE =V GE ,T vj =25o C

5.6

6.2

6.8

V

B CES

Toplayıcı Kesilir -OFF

Mevcut

V CE =V CES ,V GE =0V,

T vj =25o C

1.0

mA

B GES

Geçit-Emitör Sızıntıları Mevcut

V GE =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

Çubuk Gint

İç kapı direnci

0.5

ω

C ies

Girdi Kapasitesi

V CE =25V,f=100kHz, V GE =0V

43.2

nF

C res

Geriye dönüştürme

Kapasite

1.18

nF

Q G

Geçit Ücreti

V GE =- 15...+15V

3.36

μC

t d (üzerinde )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =400A, Çubuk G =2Ω, L S =45nH ,

V GE =±15V, T vj =25o C

288

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

72

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

314

ns

t f

Sonbahar zamanı

55

ns

E üzerinde

Anahtarlama

Kayıp

43.6

mJ

E oFF

Kapatma Değiştirme

Kayıp

12.4

mJ

t d (üzerinde )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =400A, Çubuk G =2Ω, L S =45nH ,

V GE =±15V, T vj =125o C

291

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

76

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

351

ns

t f

Sonbahar zamanı

88

ns

E üzerinde

Anahtarlama

Kayıp

57.6

mJ

E oFF

Kapatma Değiştirme

Kayıp

17.1

mJ

t d (üzerinde )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =400A, Çubuk G =2Ω, L S =45nH ,

V GE =±15V, T vj =150o C

293

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

78

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

365

ns

t f

Sonbahar zamanı

92

ns

E üzerinde

Anahtarlama

Kayıp

62.8

mJ

E oFF

Kapatma Değiştirme

Kayıp

18.6

mJ

B SC

SC Verileri

t P ≤ 10μs, V GE =15V,

T vj =150o C,V CC =800V, V CEM ≤ 1200V

1500

Bir

Diyot Özellikler T C =25o C tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birimler

V F

Diyot ileriye

Voltaj

B F =400A,V GE =0V,T vj =25o C

1.85

2.30

V

B F =400A,V GE =0V,T vj =125o C

1.90

B F =400A,V GE =0V,T vj =150o C

1.95

Q çubuk

Geri kazanılmış

Şarj

V Çubuk =600V,I F =400A,

-di/dt=4130A/μs,V GE =- 15V, L S =45nH ,T vj =25o C

38.8

μC

B RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

252

Bir

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

11.2

mJ

Q çubuk

Geri kazanılmış

Şarj

V Çubuk =600V,I F =400A,

-di /dt =3860A/μs, V GE =- 15V, L S =45nH ,T vj =125o C

61.9

μC

B RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

255

Bir

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

18.7

mJ

Q çubuk

Geri kazanılmış

Şarj

V Çubuk =600V,I F =400A,

-di /dt =3720A/μs, V GE =- 15V, L S =45nH ,T vj =150o C

75.9

μC

B RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

257

Bir

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

20.5

mJ

Modül Özellikler T C =25o C tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Min.

Tipik.

Max.

Birim

L CE

Savrulan endüktansa

20

nH

Çubuk CC+EE

Modül Bağlantı Direnci, Terminalden Çipe

0.35

Çubuk - Yürü

İlişki (İGB başına) T)

Çaprazla bağlantı (Di başına) (çıkış)

0.066

0.115

K/W

Çubuk thCH

Kürsüden ısı toplayıcıya (her IGBT)

Kasa-Soğutucu (pe r Diyot)

Kasa-Soğutucu (per M odül)

0.031

0.055

0.010

K/W

M

Terminal Bağlantı Döner, M6 Çivit Montaj Döner, M6 Çivit

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

G

Ağırlık nın Modül

300

g

Çizelge

image(c3756b8d25).png

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz kısa süre içinde sizinle iletişime geçecektir.
E-posta
Ad
Şirket Adı
Mesaj
0/1000

İlgili Ürün

Ürünlerle ilgili sorularınız var mı?

Uzman satış ekibimiz danışmanlık için sabırsızca bekliyor.
Ürün listesini takip edip ilgilendiğiniz soruları sorabilirsiniz.

Teklif Alın

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz kısa süre içinde sizinle iletişime geçecektir.
E-posta
Ad
Şirket Adı
Mesaj
0/1000

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz kısa süre içinde sizinle iletişime geçecektir.
E-posta
Ad
Şirket Adı
Mesaj
0/1000