GD150HFX170C1S,IGBT Modülü,STARPOWER

Sembolik

Açıklama

Değer

Birim

V CES

Toplayıcı-Sütücü Voltajı

1700

V

V GES

Kapı-Emitör Voltajı

±20

V

Ben C

Toplayıcı Akımı @ T C =25 o C @ T C = 95 o C

229

150

A

Ben CM

Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t p =1ms

300

A

P D

Maksimum güç Dağılımı @ T j =175 o C

815

W

Sembolik

Açıklama

Değer

Birim

V RRM

Tekrarlanan Zirve Ters Volt yaş

1700

V

Ben F

Diyot Sürekli İleri Cu kiralık

150

A

Ben Fm

Diyot Maksimum İleri Akımı t p =1ms

300

A

Sembolik

Açıklama

Değer

Birim

T jmax

En yüksek kavşak sıcaklığı

175

o C

T yapma

Hareket noktası sıcaklığı

-40 ile +150 arasında

o C

T STG

Depolama sıcaklık aralığı

-40'tan +125'e kadar

o C

V ISO

İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t= 1 dakikada.

4000

V

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birim

V CE (sat)

Toplayıcıdan Verene Doymak Voltajı

Ben C =150A,V GE =15V, T j =25 o C

1.85

2.30

V

Ben C =150A,V GE =15V, T j =125 o C

2.25

Ben C =150A,V GE =15V, T j =150 o C

2.35

V GE (th )

Geçit-Bölücü Sınırı Voltaj

Ben C =6.0 mA ,V CE = V GE , T j =25 o C

5.6

6.2

6.8

V

Ben CES

Toplayıcı Kes -OFF Akım

V CE = V CES ,V GE =0V, T j =25 o C

5.0

mA

Ben GES

Geçit-Emitör Sızıntıları Akım

V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 o C

400

nA

R Gint

İç kapı direnci

5.0

ω

C ies

Girdi Kapasitesi

V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V

18.1

nF

C res

Geriye dönüştürme Kapasite

0.44

nF

Q G

Geçit Ücreti

V GE =-15 ...+15V

1.41

μC

t d (oN )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =900V,I C =150A, R G =3.3Ω,V GE =±15V, L Sahip = 70 nH , T j =25 o C

303

ns

t r

Kalkma zamanı.

75

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

417

ns

t f

Sonbahar zamanı

352

ns

E oN

Aç Anahtarlama Kayıp

42.3

mJ

E oFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

25.3

mJ

t d (oN )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =900V,I C =150A, R G =3.3Ω,V GE =±15V, L Sahip = 70 nH ,T j =125 o C

323

ns

t r

Kalkma zamanı.

88

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

479

ns

t f

Sonbahar zamanı

509

ns

E oN

Aç Anahtarlama Kayıp

58.9

mJ

E oFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

34.9

mJ

t d (oN )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =900V,I C =150A, R G =3.3Ω,V GE =±15V, L Sahip = 70 nH ,T j =150 o C

327

ns

t r

Kalkma zamanı.

90

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

498

ns

t f

Sonbahar zamanı

608

ns

E oN

Aç Anahtarlama Kayıp

65.6

mJ

E oFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

40.2

mJ

Ben SC

SC Verileri

t P ≤ 10μs, V GE =15V,

T j =150 o C,V CC =1000V, V CEM ≤1700V

600

A

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birim

V F

Diyot ileriye Voltaj

Ben F =150A,V GE =0V,T j =25 o C

1.80

2.25

V

Ben F =150A,V GE =0V,T j =1 25o C

1.90

Ben F =150A,V GE =0V,T j =1 50o C

1.95

Q r

Geri Alınan Ücret

V R =900V,I F =150A,

-di/dt=1510A/μs,V GE =-15V L Sahip = 70 nH , T j =25 o C

26.2

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

131

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

21.6

mJ

Q r

Geri Alınan Ücret

V R =900V,I F =150A,

-di/dt=1280A/μs,V GE =-15V L Sahip =70nH, T j =125 o C

48.0

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

140

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

40.1

mJ

Q r

Geri Alınan Ücret

V R =900V,I F =150A,

-di/dt=1240A/μs,V GE =-15V L Sahip =70nH, T j =150 o C

52.3

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

142

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

42.5

mJ

Sembolik

Parametre

Min.

Tipik.

Max.

Birim

L CE

Savrulan endüktansa

30

nH

R CC+EE

Modül Kurşun Direnci, Çip'e terminal

0.65

mΩ

R - Yürü

Kavşak -için -Vaka (perIGBT ) Çaprazla bağlantı (Di başına) (çıkış)

0.184 0.368

K/W

R thCH

Kürsüden ısı toplayıcıya (her IGBT) Kasa-Soğutucu (pe r Diyot) Kasa-Soğutucu (per M odül)

0.150 0.300 0.050

K/W

M

Terminal Bağlantı Döner, M5 vida Montaj Döner, M6 Çivit

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

G

Ağırlık ile ilgili Modül

150

g