Tüm Kategoriler
Teklif Alın

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz yakında sizinle iletişime geçecek.
E-posta
Ad
Şirket adı
Mesaj
0/1000

IGBT Modülü 1200V

IGBT Modülü 1200V

Ana Sayfa/Ürünler/IGBT modülü/IGBT Modülü 1200V

GD1000HFA120C6S,IGBT Modülü,STARPOWER

1200V 1000A

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD1000HFA120C6S
  • Tanıtım
  • Çizelge
Tanıtım

Kısa tanıtım

IGBT modülü , STARPOWER tarafından üretilmiştir. 1200V 1000A.

Özellikler

  • Düşük V CE (sat) Trench IGB T teknolojisi
  • Kısa devre yeteneği
  • V CE (sat ) ile pozitif sıcaklık katsayı
  • Maksimum çapraz sıcaklık 175ü C
  • Düşük endüktansa olan bir vaka
  • Hızlı ve yumuşak ters geri kazanım paralel karşıt FWD
  • İzole bakır pinfin taban plakası kullanım AMB teknoloji

Tipik Uygulamalar

  • Hibrit ve Elektrikli Araç
  • Motorlu tahrik için inverter
  • Kesintisiz güç kaynağı

Mutlak Maksimum Değerlendirmeler T F =25ü C tabii ki aksi takdirde not edildi

IGBT

Sembolik

AÇIKLAMA

Değerler

BİRİM

V CES

Toplayıcı-Sütücü Voltajı

1200

V

V GES

Kapı-Emitör Voltajı

±20

V

ECN

Uygulanan Kolektör Cu kiralık

1000

K

EC

Toplayıcı Akımı @ T F =75ü C

765

K

ECm

Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t p =1ms

2000

K

PY

Maksimum Güç Dağıtımı ation @ T F =75ü C,T j =175ü C

1515

E

Diyot

Sembolik

AÇIKLAMA

Değerler

BİRİM

V RRM

Tekrarlanan Zirve Ters Volt yaş

1200

V

EFN

Uygulanan Kolektör Cu kiralık

1000

K

EF

Diyot Sürekli İleri Cu kiralık

765

K

EFm

Diyot Maksimum İleri Akımı t p =1ms

2000

K

EFSM

Aşırı Akım t p =10ms @ T j =25ü C @T j =150C

4100

3000

K

E2t

E2t-değeri,t p =10ms@T j =25C @T j =150C

84000

45000

K 2s

Modül

Sembolik

AÇIKLAMA

Değer

BİRİM

T jmax

En yüksek kavşak sıcaklığı

175

ü C

T yapma

Hareket noktası sıcaklığı

-40 ile +150 arasında

ü C

T STG

Depolama sıcaklık aralığı

-40'tan +125'e kadar

ü C

V ISO

İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t= 1 dakikada.

2500

V

IGBT Özellikler T F =25ü C tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Maks.

BİRİM

V CE (sat)

Toplayıcıdan Verene Doymak Voltajı

EC=1000A,V GE =15V, T j =25ü C

1.45

1.90

V

EC=1000A,V GE =15V, T j =125ü C

1.65

EC=1000A,V GE =15V, T j =175ü C

1.80

V GE (th)

Geçit-Bölücü Sınırı Gerilim

EC=24.0mA ,V CE =V GE , T j =25ü C

5.5

6.3

7.0

V

ECES

Toplayıcı Kesilir -OFF Akım

V CE =V CES ,V GE =0V, T j =25ü C

1.0

mA

EGES

Geçit-Emitör Sızıntıları Akım

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25ü C

400

nA

Çubuk Gint

İç kapı direnci - Ne?

0.5

ω

Cies

Girdi Kapasitesi

V CE =25V,f=100kHz, V GE =0V

51.5

nF

Cres

Geriye dönüştürme Kapasite

0.36

nF

S E

Geçit Ücreti

V GE =-15…+15V

13.6

μC

t l (açık )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C=900A, Çubuk E=0.51Ω, L S =40nH, V GE =-8V/+15V,

T j =25ü C

330

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

140

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

842

ns

t f

Sonbahar zamanı

84

ns

Eaçık

Aç Anahtarlama Kayıp

144

mJ

EoFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

87.8

mJ

t l (açık )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C=900A, Çubuk E=0.51Ω, L S =40nH, V GE =-8V/+15V,

T j =125ü C

373

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

155

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

915

ns

t f

Sonbahar zamanı

135

ns

Eaçık

Aç Anahtarlama Kayıp

186

mJ

EoFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

104

mJ

t l (açık )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C=900A, Çubuk E=0.51Ω, L S =40nH, V GE =-8V/+15V,

T j =175ü C

390

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

172

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

950

ns

t f

Sonbahar zamanı

162

ns

Eaçık

Aç Anahtarlama Kayıp

209

mJ

EoFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

114

mJ

ESC

SC Verileri

t P≤8μs, V GE =15V,

T j =150ü C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

3200

K

t P≤6μs, V GE =15V,

T j =175ü C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

3000

K

Diyot Özellikler T F =25ü C tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Maks.

Birimler

V F

Diyot ileriye Gerilim

EF =1000A,V GE =0V,T j =25ü C

1.60

2.05

V

EF =1000A,V GE =0V,T j =125ü C

1.70

EF =1000A,V GE =0V,T j =175ü C

1.60

S çubuk

Geri Alınan Ücret

V Çubuk =600V,I F =900A,

-di/dt=4930A/μs,V GE =-8V, Y S =40nH ,T j =25ü C

91.0

μC

ERM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

441

K

E- Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

26.3

mJ

S çubuk

Geri Alınan Ücret

V Çubuk =600V,I F =900A,

-di/dt=4440A/μs,V GE =-8V, Y S =40nH ,T j =125ü C

141

μC

ERM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

493

K

E- Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

42.5

mJ

S çubuk

Geri Alınan Ücret

V Çubuk =600V,I F =900A,

-di/dt=4160A/μs,V GE =-8V, Y S =40nH ,T j =175ü C

174

μC

ERM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

536

K

E- Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

52.4

mJ

NTC Özellikler T F =25ü C tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Maks.

BİRİM

Çubuk 25

Rating direnci

5.0

kΩ

∆R/R

Değişim nın Çubuk 100

T C=100 ü Cr 100= 493.3Ω

-5

5

%

P25

Güç

Dağılım

20.0

mW

B 25/50

B değeri

Çubuk 2=R 25exp [B 25/501/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B değeri

Çubuk 2=R 25exp [B 25/801/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B değeri

Çubuk 2=R 25exp [B 25/1001/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Modül Özellikler T F =25ü C tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Min.

Tipik.

Maks.

BİRİM

Y CE

Savrulan endüktansa

20

nH

Çubuk CC+EE

Modül Bağlantı Direnci, Terminalden Çipe

0.80

mΩ

Çubuk thJF

Kavşak -ile -Soğutma Sıvı (perIGBT )Soğutma Sıvısına Kavuşan Birleşim (per Di (çıkış) △V/ △t=10.0 dm 3/dK ,T F =75ü C

0.066 0.092

K/W

M

Terminal Bağlantı Döner, M6 Çivit Montaj Döner, M5 vida

3.0 3.0

6.0 6.0

N.M

E

Ağırlık nın Modül

400

e

Çizelge

image(c537ef1333).png

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz yakında sizinle iletişime geçecek.
E-posta
Ad
Şirket adı
Mesaj
0/1000

İlgili Ürün

Ürünlerle ilgili sorularınız var mı?

Profesyonel satış ekibimiz sizin danışmanlığınızı bekliyor.
Ürün listesini takip edip ilgilendiğiniz soruları sorabilirsiniz.

Teklif Alın

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz yakında sizinle iletişime geçecek.
E-posta
Ad
Şirket adı
Mesaj
0/1000

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz yakında sizinle iletişime geçecek.
E-posta
Ad
Şirket adı
Mesaj
0/1000