Kısa tanıtım
IGBT modülü , STARPOWER tarafından üretilmiştir. 1200V 1000A.
Özellikler
-
Düşük V CE (sat) Trench IGB T teknolojisi
- Kısa devre yeteneği
-
V CE (sat ) ile pozitif sıcaklık katsayı
-
Maksimum çapraz sıcaklık 175o C
- Düşük endüktansa olan bir vaka
-
Hızlı ve yumuşak ters geri kazanım paralel karşıt FWD
-
İzole bakır pinfin taban plakası kullanım AMB tEKNOLOJİ
Tipik Uygulamalar
- Hibrit ve Elektrikli Araç
- Motorlu tahrik için inverter
- Kesintisiz güç kaynağı
Mutlak Maksimum Değerlendirmeler T F =25o C tabii ki aksi takdirde not edildi
IGBT
Sembolik |
Açıklama |
Değerler |
Birim |
V CES |
Toplayıcı-Sütücü Voltajı |
1200 |
V |
V GES |
Kapı-Emitör Voltajı |
±20 |
V |
B Çin |
Uygulanan Kolektör Cu kiralık |
1000 |
Bir |
B C |
Toplayıcı Akımı @ T F =75o C |
765 |
Bir |
B CM |
Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t p =1ms |
2000 |
Bir |
P D |
Maksimum Güç Dağıtımı ation @ T F =75o C ,T j =175o C |
1515 |
G |
Diyot
Sembolik |
Açıklama |
Değerler |
Birim |
V RRM |
Tekrarlanan Zirve Ters Volt yaş |
1200 |
V |
B FN |
Uygulanan Kolektör Cu kiralık |
1000 |
Bir |
B F |
Diyot Sürekli İleri Cu kiralık |
765 |
Bir |
B Fm |
Diyot Maksimum İleri Akımı t p =1ms |
2000 |
Bir |
B FSM |
Aşırı Akım t p =10ms @ T j =25o C @T j =150C |
4100
3000
|
Bir |
B 2t |
B 2t-değeri,t p =10ms@T j =25C @T j =150C |
84000
45000
|
Bir 2s |
Modül
Sembolik |
Açıklama |
Değer |
Birim |
T jmax |
En yüksek kavşak sıcaklığı |
175 |
o C |
T yapma |
Hareket noktası sıcaklığı |
-40 ile +150 arasında |
o C |
T STG |
Depolama sıcaklık aralığı |
-40'tan +125'e kadar |
o C |
V ISO |
İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t= 1 dakikada. |
2500 |
V |
IGBT Özellikler T F =25o C tabii ki aksi takdirde not edildi
Sembolik |
Parametre |
Test koşulları |
Min. |
Tipik. |
Max. |
Birim |
|
V CE (sat)
|
Toplayıcıdan Verene Doymak Voltajı
|
B C =1000A,V GE =15V, T j =25o C |
|
1.45 |
1.90 |
V
|
B C =1000A,V GE =15V, T j =125o C |
|
1.65 |
|
B C =1000A,V GE =15V, T j =175o C |
|
1.80 |
|
V GE (th) |
Geçit-Bölücü Sınırı Voltaj |
B C =24.0mA ,V CE =V GE , T j =25o C |
5.5 |
6.3 |
7.0 |
V |
B CES |
Toplayıcı Kesilir -OFF Mevcut |
V CE =V CES ,V GE =0V, T j =25o C |
|
|
1.0 |
mA |
B GES |
Geçit-Emitör Sızıntıları Mevcut |
V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C |
|
|
400 |
nA |
Çubuk Gint |
İç kapı direnci - Ne? |
|
|
0.5 |
|
ω |
C ies |
Girdi Kapasitesi |
V CE =25V,f=100kHz, V GE =0V |
|
51.5 |
|
nF |
C res |
Geriye dönüştürme Kapasite |
|
0.36 |
|
nF |
Q G |
Geçit Ücreti |
V GE =-15…+15V |
|
13.6 |
|
μC |
t d (üzerinde ) |
Açma Gecikme Zamanı |
V CC =600V,I C =900A, Çubuk G =0.51Ω, L S =40nH, V GE =-8V/+15V,
T j =25o C
|
|
330 |
|
ns |
t çubuk |
Kalkma zamanı. |
|
140 |
|
ns |
t d (((off) |
Kapalı Gecikme süresi |
|
842 |
|
ns |
t f |
Sonbahar zamanı |
|
84 |
|
ns |
E üzerinde |
Aç Anahtarlama Kayıp |
|
144 |
|
mJ |
E oFF |
Kapatma Değiştirme Kayıp |
|
87.8 |
|
mJ |
t d (üzerinde ) |
Açma Gecikme Zamanı |
V CC =600V,I C =900A, Çubuk G =0.51Ω, L S =40nH, V GE =-8V/+15V,
T j =125o C
|
|
373 |
|
ns |
t çubuk |
Kalkma zamanı. |
|
155 |
|
ns |
t d (((off) |
Kapalı Gecikme süresi |
|
915 |
|
ns |
t f |
Sonbahar zamanı |
|
135 |
|
ns |
E üzerinde |
Aç Anahtarlama Kayıp |
|
186 |
|
mJ |
E oFF |
Kapatma Değiştirme Kayıp |
|
104 |
|
mJ |
t d (üzerinde ) |
Açma Gecikme Zamanı |
V CC =600V,I C =900A, Çubuk G =0.51Ω, L S =40nH, V GE =-8V/+15V,
T j =175o C
|
|
390 |
|
ns |
t çubuk |
Kalkma zamanı. |
|
172 |
|
ns |
t d (((off) |
Kapalı Gecikme süresi |
|
950 |
|
ns |
t f |
Sonbahar zamanı |
|
162 |
|
ns |
E üzerinde |
Aç Anahtarlama Kayıp |
|
209 |
|
mJ |
E oFF |
Kapatma Değiştirme Kayıp |
|
114 |
|
mJ |
|
B SC
|
SC Verileri
|
t P ≤8μs, V GE =15V,
T j =150o C,V CC =800V, V CEM ≤1200V
|
|
3200
|
|
Bir
|
|
t P ≤6μs, V GE =15V,
T j =175o C,V CC =800V, V CEM ≤1200V
|
|
3000
|
|
Bir
|
Diyot Özellikler T F =25o C tabii ki aksi takdirde not edildi
Sembolik |
Parametre |
Test koşulları |
Min. |
Tipik. |
Max. |
Birimler |
|
V F
|
Diyot ileriye Voltaj |
B F =1000A,V GE =0V,T j =25o C |
|
1.60 |
2.05 |
V
|
B F =1000A,V GE =0V,T j =125o C |
|
1.70 |
|
B F =1000A,V GE =0V,T j =175o C |
|
1.60 |
|
Q çubuk |
Geri Alınan Ücret |
V Çubuk =600V,I F =900A,
-di/dt=4930A/μs,V GE =-8V, L S =40nH ,T j =25o C
|
|
91.0 |
|
μC |
B RM |
Çığ tersine
Geri kazanım akımı
|
|
441 |
|
Bir |
E - Bilmiyorum. |
Ters Çıkarma Enerji |
|
26.3 |
|
mJ |
Q çubuk |
Geri Alınan Ücret |
V Çubuk =600V,I F =900A,
-di/dt=4440A/μs,V GE =-8V, L S =40nH ,T j =125o C
|
|
141 |
|
μC |
B RM |
Çığ tersine
Geri kazanım akımı
|
|
493 |
|
Bir |
E - Bilmiyorum. |
Ters Çıkarma Enerji |
|
42.5 |
|
mJ |
Q çubuk |
Geri Alınan Ücret |
V Çubuk =600V,I F =900A,
-di/dt=4160A/μs,V GE =-8V, L S =40nH ,T j =175o C
|
|
174 |
|
μC |
B RM |
Çığ tersine
Geri kazanım akımı
|
|
536 |
|
Bir |
E - Bilmiyorum. |
Ters Çıkarma Enerji |
|
52.4 |
|
mJ |
NTC Özellikler T F =25o C tabii ki aksi takdirde not edildi
Sembolik |
Parametre |
Test koşulları |
Min. |
Tipik. |
Max. |
Birim |
Çubuk 25 |
Rating direnci |
|
|
5.0 |
|
kΩ |
∆R/R |
Değişim nın Çubuk 100 |
T C =100 o C r 100= 493.3Ω |
-5 |
|
5 |
% |
P 25 |
Güç
Dağılım
|
|
|
|
20.0 |
mW |
B 25/50 |
B değeri |
Çubuk 2=R 25exp [B 25/501/T 2- 1/(298.15K))] |
|
3375 |
|
K |
B 25/80 |
B değeri |
Çubuk 2=R 25exp [B 25/801/T 2- 1/(298.15K))] |
|
3411 |
|
K |
B 25/100 |
B değeri |
Çubuk 2=R 25exp [B 25/1001/T 2- 1/(298.15K))] |
|
3433 |
|
K |
Modül Özellikler T F =25o C tabii ki aksi takdirde not edildi
Sembolik |
Parametre |
Min. |
Tipik. |
Max. |
Birim |
L CE |
Savrulan endüktansa |
|
20 |
|
nH |
Çubuk CC+EE |
Modül Bağlantı Direnci, Terminalden Çipe |
|
0.80 |
|
mΩ |
|
Çubuk thJF
|
Kavşak -karşı -Soğutma Sıvı (perIGBT )Soğutma Sıvısına Kavuşan Birleşim (per Di (çıkış) △V/ △t=10.0 dm 3/min ,T F =75o C |
|
|
0.066 0.092 |
K/W |
M |
Terminal Bağlantı Döner, M6 Çivit Montaj Döner, M5 vida |
3.0 3.0 |
|
6.0 6.0 |
N.M |
G |
Ağırlık nın Modül |
|
400 |
|
g |
EN
