Tüm Kategoriler
Teklif Alın

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz kısa süre içinde sizinle iletişime geçecektir.
E-posta
Ad
Şirket Adı
Mesaj
0/1000

IGBT Ayrı

IGBT Ayrı

Ana Sayfa /  Ürünler /  IGBT Ayırt

IDG75X12T2,IGBT diskret,STARPOWER

1200V,75A

Brand:
STARPOWER
Spu:
DG75X12T2
  • Giriş
Giriş

Nazik hatırlatma :F veya daha fazla IGBT diskret için lütfen bir e-posta gönderin.

Özellikler

  • Düşük VCE (satürn) Trench IGBT teknolojisi
  • 10μs kısa devre kapasitesi
  • Düşük geçiş kaybı
  • En yüksek bağlantı sıcaklığı 175oC
  • Pozitif sıcaklık katsayısı olan VCE (sat)
  • Hızlı ve yumuşak geri kazanım paralel karşı FWD

Tipik Uygulamalar

  • Motorlu tahrik için inverter
  • AC ve DC servisi sürmek amplif ier
  • Kesintisiz güç kaynağı

Mutlak Maksimum Değerlendirmeler T C =25o C tabii ki aksi takdirde not edildi

IGBT

Sembolik

Açıklama

Değerler

Birim

V CES

Toplayıcı-Sütücü Voltajı

1200

V

V GES

Kapı-Emitör Voltajı

±20

V

B C

Toplayıcı Akımı @ T C =25o C @ T C =100o C

150

75

Bir

B CM

Yuvarlanan Toplayıcı Mevcut t p sınırlı - Ne? T vjmax

225

Bir

P D

Maksimum güç Dağılımı @ T vj =175o C

852

G

Diyot

Sembolik

Açıklama

Değerler

Birim

V RRM

Tekrarlanan Zirve Ters Volt yaş

1200

V

B F

Diyot Sürekli İleri Cu kiralık

75

Bir

B Fm

Yuvarlanan Toplayıcı Mevcut t p sınırlı - Ne? T vjmax

225

Bir

Diskret

Sembolik

Açıklama

Değerler

Birim

T vjop

Hareket noktası sıcaklığı

-40 ile +175

o C

T STG

Depolama sıcaklık aralığı

-55 ile +150

o C

T S

Lehimleme Sıcaklığı,1.6mm f rom case for 10s

260

o C

IGBT Özellikler T C =25o C tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birim

V CE (sat)

Toplayıcıdan Verene Doymak Voltajı

B C =75A,V GE =15V, T vj =25o C

1.75

2.20

V

B C =75A,V GE =15V, T vj =150o C

2.10

B C =75A,V GE =15V, T vj =175o C

2.20

V GE (th)

Geçit-Bölücü Sınırı Voltaj

B C =3.00mA ,V CE =V GE , T vj =25o C

5.0

5.8

6.5

V

B CES

Toplayıcı Kesilir -OFF Mevcut

V CE =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

250

μA

B GES

Geçit-Emitör Sızıntıları Mevcut

V GE =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

100

nA

Çubuk Gint

İç kapı direnci

2.0

ω

C ies

Girdi Kapasitesi

V CE =25V,f=100kHz, V GE =0V

6.58

nF

C - Evet.

Çıkış Kapasitesi

0.40

C res

Geriye dönüştürme Kapasite

0.19

nF

Q G

Geçit Ücreti

V GE =-15…+15V

0.49

μC

t d (üzerinde )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =75A, Çubuk G =4.7Ω,

V GE =±15V, Ls=40nH,

T vj =25o C

41

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

135

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

87

ns

t f

Sonbahar zamanı

255

ns

E üzerinde

Anahtarlama Kayıp

12.5

mJ

E oFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

3.6

mJ

t d (üzerinde )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =75A, Çubuk G =4.7Ω,

V GE =±15V, Ls=40nH,

T vj =150o C

46

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

140

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

164

ns

t f

Sonbahar zamanı

354

ns

E üzerinde

Anahtarlama Kayıp

17.6

mJ

E oFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

6.3

mJ

t d (üzerinde )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =75A, Çubuk G =4.7Ω,

V GE =±15V, Ls=40nH,

T vj =175o C

46

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

140

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

167

ns

t f

Sonbahar zamanı

372

ns

E üzerinde

Anahtarlama Kayıp

18.7

mJ

E oFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

6.7

mJ

B SC

SC Verileri

t P ≤ 10μs, V GE =15V,

T vj =175o C,V CC =800V, V CEM ≤ 1200V

300

Bir

Diyot Özellikler T C =25o C tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birim

V F

Diyot ileriye Voltaj

B F =75A,V GE =0V,T vj =25o C

1.75

2.20

V

B F =75A,V GE =0V,T vj =150o C

1.75

B F =75A,V GE =0V,T vj =175o C

1.75

trr

Diyot Ters Geri Kazanım Süresi

V Çubuk =600V,I F =75A,

-di/dt=370A/μs,V GE =-15V, Ls=40nH,

T vj =25o C

267

ns

Q çubuk

Geri Alınan Ücret

4.2

μC

B RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

22

Bir

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

1.1

mJ

trr

Diyot Ters Geri Kazanım Süresi

V Çubuk =600V,I F =75A,

-di/dt=340A/μs,V GE =-15V, Ls=40nH,

T vj =150o C

432

ns

Q çubuk

Geri Alınan Ücret

9.80

μC

B RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

33

Bir

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

2.7

mJ

trr

Diyot Ters Geri Kazanım Süresi

V Çubuk =600V,I F =75A,

-di/dt=320A/μs,V GE =-15V, Ls=40nH,

T vj =175o C

466

ns

Q çubuk

Geri Alınan Ücret

11.2

μC

B RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

35

Bir

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

3.1

mJ

Diskret Özellikler T C =25o C tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Min.

Tipik.

Max.

Birim

Çubuk - Yürü

İlişki (İGB başına) T) Çapraz-Kase (D başına) (iod)

0.176 0.371

K/W

Çubuk thJA

Kavşak-Çevre

40

K/W

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz kısa süre içinde sizinle iletişime geçecektir.
E-posta
Ad
Şirket Adı
Mesaj
0/1000

İlgili Ürün

Ürünlerle ilgili sorularınız var mı?

Uzman satış ekibimiz danışmanlık için sabırsızca bekliyor.
Ürün listesini takip edip ilgilendiğiniz soruları sorabilirsiniz.

Teklif Alın

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz kısa süre içinde sizinle iletişime geçecektir.
E-posta
Ad
Şirket Adı
Mesaj
0/1000

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz kısa süre içinde sizinle iletişime geçecektir.
E-posta
Ad
Şirket Adı
Mesaj
0/1000