Tüm Kategoriler
Teklif Alın

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz yakında sizinle iletişime geçecek.
E-posta
Ad
Şirket adı
Mesaj
0/1000

IGBT Modülü 1200V

IGBT Modülü 1200V

Ana Sayfa/Ürünler/IGBT modülü/IGBT Modülü 1200V

GD900HFX120P1SA,IGBT Modülü,STARPOWER

1200V 900A, Paket:P1

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD900HFX120P1SA
  • Tanıtım
  • Çizelge
Tanıtım

Kısa tanıtım

IGBT modülü , STARPOWER tarafından üretilmiştir. 1200V 900A.

Özellikler

  • Düşük V CE (sat ) Çukur IGBT teknoloji
  • 10 μs kısa devre kapasitesi i̇letişim
  • V CE (sat ) ile pozitif sıcaklık katsayı
  • Maksimum çapraz sıcaklık 175ü C
  • Düşük endüktans durum
  • İzole bakır taban plakası DBC teknolojisi kullanarak
  • Yüksek güç ve ısı döngüsü kapasabil bu

Tipik Uygulamalar

  • Yüksek Güçlü Değiştiricisi
  • Güneş Enerjisi
  • Hibrit ve Elektrikli Araç

Mutlak Maksimum Değerlendirmeler T C=25ü C tabii ki aksi takdirde not edildi

IGBT

Sembolik

AÇIKLAMA

Değerler

BİRİM

V CES

Toplayıcı-Sütücü Voltajı

1200

V

V GES

Kapı-Emitör Voltajı

±20

V

EC

Toplayıcı Akımı @ T C=25ü C

@ T C= 100ü C

1522

900

K

ECm

Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t p =1ms

1800

K

PY

Maksimum güç Dağılımı @ T j =175ü C

5.24

kw

Diyot

Sembolik

AÇIKLAMA

Değerler

BİRİM

V RRM

Tekrarlanan Zirve Ters Voltajı

1200

V

EF

Diyot Sürekli İleri Kur kira

900

K

EFm

Diyot Maksimum İleri Akımı t p =1ms

1800

K

Modül

Sembolik

AÇIKLAMA

Değer

BİRİM

T jmax

En yüksek kavşak sıcaklığı

175

ü C

T yapma

Hareket noktası sıcaklığı

-40 ile +150 arasında

ü C

T STG

Depolama Sıcaklığı Menzil

-40'tan +125'e kadar

ü C

V ISO

İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t=1 dK

4000

V

IGBT Özellikler T C=25ü C tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Maks.

BİRİM

V CE (sat)

Toplayıcıdan Verene

Doymak Voltajı

EC=900A,V GE =15V, T j =25ü C

1.70

2.15

V

EC=900A,V GE =15V, T j =125ü C

1.95

EC=900A,V GE =15V, T j =150ü C

2.00

V GE (th)

Geçit-Bölücü Sınırı Gerilim

EC=22.5mA ,V CE =V GE , T j =25ü C

5.2

6.0

6.8

V

ECES

Toplayıcı Kesilir -OFF

Akım

V CE =V CES ,V GE =0V,

T j =25ü C

1.0

mA

EGES

Geçit-Emitör Sızıntıları Akım

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25ü C

400

nA

Çubuk Gint

İç kapı direnci - Ne?

0.63

ω

Cies

Girdi Kapasitesi

V CE =25V,f=1MHz,

V GE =0V

93.2

nF

Cres

Geriye dönüştürme

Kapasite

2.61

nF

S E

Geçit Ücreti

V GE =-15 ﹍+15V

6.99

μC

t l (açık )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C=900A, Çubuk E=1.6Ω,

V GE =±15V, T j =25ü C

214

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

150

ns

t l (oFF )

Kapalı Gecikme süresi

721

ns

t f

Sonbahar zamanı

206

ns

Eaçık

Aç Anahtarlama

Kayıp

76

mJ

EoFF

Kapatma Değiştirme

Kayıp

128

mJ

t l (açık )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C=900A, Çubuk E=1.6Ω,

V GE =±15V, T j =125ü C

235

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

161

ns

t l (oFF )

Kapalı Gecikme süresi

824

ns

t f

Sonbahar zamanı

412

ns

Eaçık

Aç Anahtarlama

Kayıp

107

mJ

EoFF

Kapatma Değiştirme

Kayıp

165

mJ

t l (açık )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C=900A, Çubuk E=1.6Ω,

V GE =±15V, T j =150ü C

235

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

161

ns

t l (oFF )

Kapalı Gecikme süresi

876

ns

t f

Sonbahar zamanı

464

ns

Eaçık

Aç Anahtarlama

Kayıp

112

mJ

EoFF

Kapatma Değiştirme

Kayıp

180

mJ

ESC

SC Verileri

t P≤ 10μs,V GE =15V,

T j =150ü C,V CC =900V, V CEM ≤ 1200V

3600

K

Diyot Özellikler T C=25ü C tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Maks.

BİRİM

V F

Diyot ileriye

Gerilim

EF =900A,V GE =0V,T j =25ü C

1.90

2.25

V

EF =900A,V GE =0V,T j = 125ü C

1.85

EF =900A,V GE =0V,T j = 150ü C

1.80

S çubuk

Geri Alınan Ücret

V Çubuk =600V,I F =900A,

-di/dt=4800A/μs,V GE =-15V T j =25ü C

86

μC

ERM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

475

K

E- Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

36.1

mJ

S çubuk

Geri Alınan Ücret

V Çubuk =600V,I F =900A,

-di/dt=4800A/μs,V GE =-15V T j = 125ü C

143

μC

ERM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

618

K

E- Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

71.3

mJ

S çubuk

Geri Alınan Ücret

V Çubuk =600V,I F =900A,

-di/dt=4800A/μs,V GE =-15V T j = 150ü C

185

μC

ERM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

665

K

E- Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

75.1

mJ

NTC Özellikler T C=25ü C tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Maks.

BİRİM

Çubuk 25

Rating direnci

5.0

kΩ

δR/R

Değişim nın Çubuk 100

T C= 100 ü C,R 100= 493.3Ω

-5

5

%

P25

Güç

Dağılım

20.0

mW

B 25/50

B değeri

Çubuk 2=R 25exp [B 25/501/T 2-

1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B değeri

Çubuk 2=R 25exp [B 25/801/T 2-

1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B değeri

Çubuk 2=R 25exp [B 25/1001/T 2-

1/(298.15K))]

3433

K

Modül Özellikler T C=25ü C tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Min.

Tipik.

Maks.

BİRİM

Y CE

Savrulan endüktansa

18

nH

Çubuk CC+EE

Modül Bağlantı Direnci, Terminalden Çipe

0.30

mΩ

Çubuk - Yürü

İlişki (İGB başına) T)

Çapraz-Kase (D başına) (iod)

28.6

51.9

K/kW

Çubuk thCH

Kürsüden ısı toplayıcıya (her IGBT)

Kürsüden ısı fıskiyesine (p) diyot)

Kürsüden ısı toplayıcıya (her Modül)

14.0

25.3

4.5

K/kW

M

Terminal Bağlantı Döner, M4 vida Terminal Bağlantısı Tork, M8 vida Montaj Döner, M5 vida

1.8

8.0

3.0

2.1

10

6.0

N.M

E

Ağırlık nın Modül

825

e

Çizelge

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz yakında sizinle iletişime geçecek.
E-posta
Ad
Şirket adı
Mesaj
0/1000

İlgili Ürün

Ürünlerle ilgili sorularınız var mı?

Profesyonel satış ekibimiz sizin danışmanlığınızı bekliyor.
Ürün listesini takip edip ilgilendiğiniz soruları sorabilirsiniz.

Teklif Alın

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz yakında sizinle iletişime geçecek.
E-posta
Ad
Şirket adı
Mesaj
0/1000

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz yakında sizinle iletişime geçecek.
E-posta
Ad
Şirket adı
Mesaj
0/1000