Tüm Kategoriler
Teklif Alın

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz yakında sizinle iletişime geçecek.
E-posta
Ad
Şirket adı
Mesaj
0/1000

IGBT Modülü 1200V

IGBT Modülü 1200V

Ana Sayfa/Ürünler/IGBT modülü/IGBT Modülü 1200V

GD900SGF120A3SN,IGBT Modülü,STARPOWER

1200V 1200A

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD900SGF120A3SN
  • Giriş
  • Çizelge
Giriş

Kısa tanıtım

IGBT modülü ,üretildi STARPOWER .1200V 900A.

Özellikler

  • Düşük VCE (satürn) Trench IGBT teknolojisi
  • Pozitif sıcaklık katsayısı olan VCE (sat)
  • Hızlı ve yumuşak geri kazanım paralel karşı FWD
  • Düşük endüktansa olan bir vaka
  • Yüksek güçlü bisiklet kapasitesi için AlSiC taban plaka
  • AlN altyapısı düşük ısı direnci için

Tipik Uygulamalar

  • Motorlu tahrik için inverter
  • AC ve DC servo sürücü amplifikatörü
  • Kesintisiz güç kaynağı

Mutlak Maksimum Değerlendirmeler T F =25o C tabii ki aksi takdirde not edildi

IGBT

Sembolik

AÇIKLAMA

Değer

BİRİM

V CES

Toplayıcı-Sütücü Voltajı

1200

V

V GES

Kapı-Emitör Voltajı

±20

V

IC

Toplayıcı Akımı @ T C=25o C @ T C=100o C

1466

900

A

ICm

Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t p =1ms

1800

A

PD

Maksimum güç Dağılımı @ T vj =175o C

5.34

kw

Diyot

Sembolik

AÇIKLAMA

Değer

BİRİM

V RRM

Tekrarlanan Zirve Ters Volt yaş

1200

V

IF

Diyot Sürekli İleri Cu kiralık

900

A

IFm

Diyot Maksimum İleri Akımı t p =1ms

1800

A

Modül

Sembolik

AÇIKLAMA

Değer

BİRİM

T vjmax

En yüksek kavşak sıcaklığı

175

o C

T vjop

Hareket noktası sıcaklığı

-40 ile +150 arasında

o C

T STG

Depolama sıcaklık aralığı

-40'tan +125'e kadar

o C

V ISO

İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t= 1 dakikada.

4000

V

IGBT Özellikler T C=25o C tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

BİRİM

V CE (sat)

Toplayıcıdan Verene Doymak Voltajı

IC=900A,V GE =15V, T vj =25o C

2.00

2.45

V

IC=900A,V GE =15V, T vj =125o C

2.50

IC=900A,V GE =15V, T vj =150o C

2.65

V GE (th)

Geçit-Bölücü Sınırı Voltaj

IC=32.0mA ,V CE =V GE , T vj =25o C

5.2

6.0

6.8

V

ICES

Toplayıcı Kesilir -OFF Mevcut

V CE =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

1.0

mA

IGES

Geçit-Emitör Sızıntıları Mevcut

V GE =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

Çubuk Gint

İç kapı direnci - Ne?

1.44

ω

t d (açık )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C=900A, Çubuk Git =1Ω, Çubuk Goff =2Ω, Ls=50nH,

V GE =-10/+15V, T vj =25o C

520

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

127

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

493

ns

t f

Sonbahar zamanı

72

ns

Eaçık

Anahtarlama Kayıp

76.0

mJ

EoFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

85.0

mJ

t d (açık )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C=900A, Çubuk Git =1Ω, Çubuk Goff =2Ω, Ls=50nH,

V GE =-10/+15V, T vj =125o C

580

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

168

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

644

ns

t f

Sonbahar zamanı

89

ns

Eaçık

Anahtarlama Kayıp

127

mJ

EoFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

98.5

mJ

t d (açık )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C=900A, Çubuk Git =1Ω, Çubuk Goff =2Ω, Ls=50nH,

V GE =-10/+15V, T vj =150o C

629

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

176

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

676

ns

t f

Sonbahar zamanı

96

ns

Eaçık

Anahtarlama Kayıp

134

mJ

EoFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

99.0

mJ

Diyot Özellikler T C=25o C tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

BİRİM

V F

Diyot ileriye Voltaj

IF =900A,V GE =0V,T vj =25o C

1.95

2.40

V

IF =900A,V GE =0V,T vj =125o C

2.00

IF =900A,V GE =0V,T vj =150o C

2.05

S çubuk

Geri Alınan Ücret

V Çubuk =600V,I F =900A,

-di/dt=7100A/μs, Ls=50nH, V GE =-10V,

T vj =25o C

80

μC

IRM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

486

A

E- Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

35.0

mJ

S çubuk

Geri Alınan Ücret

V Çubuk =600V,I F =900A,

-di/dt=5180A/μs, Ls=50nH, V GE =-10V,

T vj =125o C

153

μC

IRM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

510

A

E- Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

64.0

mJ

S çubuk

Geri Alınan Ücret

V Çubuk =600V,I F =900A,

-di/dt=4990A/μs, Ls=50nH, V GE =-10V,

T vj =150o C

158

μC

IRM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

513

A

E- Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

74.0

mJ

Modül Özellikler T C=25o C tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Min.

Tipik.

Max.

BİRİM

LCE

Savrulan endüktansa

12

nH

Çubuk CC+EE

Modül Kurşun Direnci, Çip'e terminal

0.19

Çubuk - Yürü

Kavşak -ile -Durum (perIGBT ) Çaprazla bağlantı (Di başına) (çıkış)

28.1 44.1

K/kW

Çubuk thCH

Kürsüden ısı toplayıcıya (her IGBT) Kasa-Soğutucu (pe r Diyot) Kürsüden ısı toplayıcıya (her Modül)

9.82 15.4 6.0

K/kW

M

Terminal Bağlantı Döner, M4 vida Terminal Bağlantı Döner, M8 vida Montaj Döner, M6 Çivit

1.8 8.0 4.25

2.1

10

5.75

N.M

G

Ağırlık nın Modül

1050

g

Çizelge

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz yakında sizinle iletişime geçecek.
E-posta
Ad
Şirket adı
Mesaj
0/1000

İlgili Ürün

Ürünlerle ilgili sorularınız var mı?

Profesyonel satış ekibimiz sizin danışmanlığınızı bekliyor.
Ürün listesini takip edip ilgilendiğiniz soruları sorabilirsiniz.

Teklif Alın

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz yakında sizinle iletişime geçecek.
E-posta
Ad
Şirket adı
Mesaj
0/1000

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz yakında sizinle iletişime geçecek.
E-posta
Ad
Şirket adı
Mesaj
0/1000