GD400HFX120C2S,IGBT Modul,STARPOWER

Symbol

BESKRIVNING

Värde

Enhet

V CES

Kollektor-emitterspänning

1200

V

V GES

Gate-emitter spänning

±20

V

IC

Samlarström @ T C=25o C

@ T C=90o C

595

400

A

ICm

Pulsad samlarström t p = 1 ms

800

A

PD

Maximal effekt Dissipation @ T j =175o C

1875

W

Symbol

BESKRIVNING

Värde

Enhet

V RRM

Upprepad toppomvänd spänning

1200

V

IF

Diod kontinuerlig framåtström hyra

400

A

IFM

Diodens maximala framåtriktade ström t p =1 ms

800

A

Symbol

BESKRIVNING

Värde

Enhet

T jmax

Maximal temperatur vid korsningen

175

o C

T - Vad?

Användningstemperatur vid kryssningsstationen

-40 till +150

o C

T STG

Lagringstemperatur Räckvidd

-40 till +125

o C

V ISO

Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t=1 mIN

4000

V

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enhet

V CE (sat)

Samlare till emitterare

Mätningsspänning

IC= 400 A,V Generella = 15 V, T j =25o C

1.75

2.20

V

IC= 400 A,V Generella = 15 V, T j =125o C

2.00

IC= 400 A,V Generella = 15 V, T j =150o C

2.05

V Generella (th)

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

IC= 10,0 mA, V CE =V Generella , T j =25o C

5.2

6.0

6.8

V

ICES

Samlar Avbrott – Avstängd

Nuvarande

V CE =V CES ,V Generella =0V,

T j =25o C

5.0

mA

IGES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Inre portmotstånd förhandsbeskrivning

0.5

ω

Cies

Inmatningskapacitet

V CE =25V, f=1MHz,

V Generella =0V

37.3

nF

Cres

Omvänd överföring

Kapacitet

1.04

nF

QG

Portavgift

V Generella =- 15...+15V

2.80

μC

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C= 400A, R G= 2,0Ω,

V Generella =± 15 V, T j =25o C

205

n

t r

Uppgångstid

77

n

t d (avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

597

n

t f

Hösttid

98

n

Epå

Tänd Växling

Förlust

18.8

mJ

Eavstängd

Avstängning

Förlust

32.3

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C= 400A, R G= 2,0Ω,

V Generella =± 15 V, T j = 125o C

214

n

t r

Uppgångstid

86

n

t d (avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

626

n

t f

Hösttid

137

n

Epå

Tänd Växling

Förlust

28.4

mJ

Eavstängd

Avstängning

Förlust

48.9

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C= 400A, R G= 2,0Ω,

V Generella =± 15 V, T j = 150o C

198

n

t r

Uppgångstid

94

n

t d (avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

646

n

t f

Hösttid

147

n

Epå

Tänd Växling

Förlust

30.8

mJ

Eavstängd

Avstängning

Förlust

53.8

mJ

ISC

SK-uppgifter

t P≤ 10 μs, V Generella = 15 V,

T j =150o C,V CC = 900 V, V CEM ≤1200V

1440

A

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enhet

V F

Diod framåt

Spänning

IF = 400 A,V Generella =0V,T j =25o C

1.75

2.15

V

IF = 400 A,V Generella =0V,T j = 125o C

1.65

IF = 400 A,V Generella =0V,T j = 150o C

1.65

Qr

Återkrävt avgift

V R =600V,I F = 400A,

-di/dt=5000A/μs,V Generella =- 15V T j =25o C

40

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

299

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

20.0

mJ

Qr

Återkrävt avgift

V R =600V,I F = 400A,

-di/dt=5000A/μs,V Generella =- 15V T j = 125o C

70

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

399

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

38.4

mJ

Qr

Återkrävt avgift

V R =600V,I F = 400A,

-di/dt=5000A/μs,V Generella =- 15V T j = 150o C

80

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

419

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

43.9

mJ

Symbol

Parameter

Min.

Typ.

Max.

Enhet

LCE

Strömavtryck

15

nH

R CC+EE

Modulledningsresistans nce, terminal till chip

0.25

mΩ

R tJC

Förbindelse till fall (per IGB) T)

Sammanslagning till förpackning (per Di) (s.d.)

0.080

0.095

K/W

R thCH

Hylsa till värmesänk (per IGBT)

Högsta värmeeffekt (p) diod)

Hylsa till värmesänk (per Modul)

0.037

0.044

0.010

K/W

M

Terminalanslutningsmoment Skruv M6 Monteringsmoment Skruv M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

G

Vikt av Modul

300

g