GD150HCX170C6SA ,IGBT-modul, STARPOWER

Symbol

BESKRIVNING

Värde

ENHET

V CES

Kollektor-emitterspänning

1700

V

V GES

Gate-emitter spänning

±20

V

IC

Samlarström @ T C=25o C @ T C=100o C

281

150

A

ICm

Pulsad samlarström t p =1 ms

300

A

PD

Maximal effekt Dissipation @ T vj =175o C

1136

W

Symbol

BESKRIVNING

Värde

ENHET

V RRM

Upprepad topp omvänd volt ålder

1700

V

IF

Diod Kontinuerlig Framåt Cu rent

150

A

IFM

Diodens maximala framåtriktade ström t p =1 ms

300

A

Symbol

BESKRIVNING

Värde

ENHET

T vjmax

Maximal temperatur vid korsningen

175

o C

T vjop

Användningstemperatur vid kryssningsstationen

-40 till +150

o C

T STG

Lagrings temperaturintervall

-40 till +125

o C

V ISO

Isoleringsspänning RMS,f=50Hz,t= 1 minut.

4000

V

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

ENHET

V CE (sat)

Samlare till emitterare Mätningsspänning

IC=150A,V Generella =15V, T vj =25o C

1.85

2.20

V

IC=150A,V Generella =15V, T vj =125o C

2.25

IC=150A,V Generella =15V, T vj =150o C

2.35

V Generella (th)

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

IC=6.00mA ,V CE =V Generella , T vj =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Samlar Avbrott -Avstängd Nuvarande

V CE =V CES ,V Generella =0V, T vj =25o C

5.0

mA

IGES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

R Gint

Inre portmotstånd

4.3

ω

Cies

Inmatningskapacitet

V CE =25V, f=1MHz, V Generella =0V

18.1

nF

Cres

Omvänd överföring Kapacitet

0.44

nF

QG

Portavgift

V Generella =-15 ...+15V

1.41

μC

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC = 900 V,I C=150A, R G=0.51Ω,V Generella =± 15 V, Lärare =48nH ,T vj =25o C

206

n

t r

Uppgångstid

44

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

337

n

t f

Hösttid

331

n

Epå

Tänd Växling Förlust

39.5

mJ

Eavstängd

Avstängning Förlust

21.7

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC = 900 V,I C=150A, R G=0.51Ω,V Generella =± 15 V, Lärare =48nH ,T vj =125o C

232

n

t r

Uppgångstid

54

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

422

n

t f

Hösttid

514

n

Epå

Tänd Växling Förlust

55.3

mJ

Eavstängd

Avstängning Förlust

32.7

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC = 900 V,I C=150A, R G=0.51Ω,V Generella =± 15 V, Lärare =48nH ,T vj =150o C

239

n

t r

Uppgångstid

57

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

442

n

t f

Hösttid

559

n

Epå

Tänd Växling Förlust

60.8

mJ

Eavstängd

Avstängning Förlust

34.9

mJ

ISC

SK-uppgifter

t P≤10μs, V Generella =15V,

T vj =150o C,V CC =1000V,

V CEM ≤ 1700V

600

A

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

ENHET

V F

Diod framåt Spänning

IF =150A,V Generella =0V,T vj =25o C

1.80

2.25

V

IF =150A,V Generella =0V,T vj =125o C

1.95

IF =150A,V Generella =0V,T vj =150o C

1.90

Qr

Återkrävt avgift

V R = 900 V,I F =150A,

-di/dt=2464A/μs,V Generella =-15V Lärare =48nH ,T vj =25o C

42.8

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

142

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

22.3

mJ

Qr

Återkrävt avgift

V R = 900 V,I F =150A,

-di/dt=1956A/μs,V Generella =-15V Lärare =48nH ,T vj =125o C

64.7

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

147

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

35.0

mJ

Qr

Återkrävt avgift

V R = 900 V,I F =150A,

-di/dt=1795A/μs,V Generella =-15V Lärare =48nH ,T vj =150o C

72.0

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

148

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

38.8

mJ

Symbol

Parameter

Min.

Typ.

Max.

ENHET

LCE

Strömavtryck

20

nH

R CC+EE

Modul blymotstånd Terminal till chip

1.10

mΩ

R tJC

Tvättpunkt -till -Fall (perIGBT ) Sammanslagning till förpackning (per Di) (s.d.)

0.132 0.209

K/W

R thCH

Hylsa till värmesänk (per IGBT) Kapsling-till-kylfläns (pe r diod) Kapsling-till-kylfläns (per M odul)

0.029 0.047 0.009

K/W

M

Terminalanslutningsmoment Skruv M6 Monteringsmoment Skruv M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.M

G

Vikt av Modul

350

g