GD150HCX170C6SA ,IGBT-modul, STARPOWER

Symbol

Beskrivning

Värde

Enhet

V CES

Kollektor-emitterspänning

1700

V

V GES

Gate-emitter spänning

±20

V

Jag C

Samlarström @ T C =25 o C @ T C =100 o C

281

150

A

Jag CM

Pulsad samlarström t p =1 ms

300

A

P D

Maximal effekt Dissipation @ T vj = 175 o C

1136

W

Symbol

Beskrivning

Värde

Enhet

V RRM

Upprepad topp omvänd volt ålder

1700

V

Jag F

Diod Kontinuerlig Framåt Cu rent

150

A

Jag FM

Diodens maximala framåtriktade ström t p =1 ms

300

A

Symbol

Beskrivning

Värde

Enhet

T vjmax

Maximal temperatur vid korsningen

175

o C

T vjop

Användningstemperatur vid kryssningsstationen

-40 till +150

o C

T STG

Lagrings temperaturintervall

-40 till +125

o C

V ISO

Isoleringsspänning RMS,f=50Hz,t= 1 minut.

4000

V

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enhet

V CE (sat)

Samlare till emitterare Mätningsspänning

Jag C =150A,V Generella =15V, T vj =25 o C

1.85

2.20

V

Jag C =150A,V Generella =15V, T vj =125 o C

2.25

Jag C =150A,V Generella =15V, T vj = 150 o C

2.35

V Generella (th )

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

Jag C =6.00 mA ,V Ce = V Generella , T vj =25 o C

5.6

6.2

6.8

V

Jag CES

Samlar Avbrott -Avstängd Nuvarande

V Ce = V CES ,V Generella =0V, T vj =25 o C

5.0

mA

Jag GES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella = V GES ,V Ce =0V, T vj =25 o C

400

nA

R Gint

Inre portmotstånd

4.3

ω

C ies

Inmatningskapacitet

V Ce =25V, f=1MHz, V Generella =0V

18.1

nF

C res

Omvänd överföring Kapacitet

0.44

nF

Q G

Portavgift

V Generella =-15 ...+15V

1.41

μC

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC = 900 V,I C =150A, R G =0.51Ω,V Generella =± 15 V, Lärare = 48 nH ,T vj =25 o C

206

n

t r

Uppgångstid

44

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

337

n

t f

Hösttid

331

n

E på

Tänd Växling Förlust

39.5

mJ

E avstängd

Avstängning Förlust

21.7

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC = 900 V,I C =150A, R G =0.51Ω,V Generella =± 15 V, Lärare = 48 nH ,T vj =125 o C

232

n

t r

Uppgångstid

54

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

422

n

t f

Hösttid

514

n

E på

Tänd Växling Förlust

55.3

mJ

E avstängd

Avstängning Förlust

32.7

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC = 900 V,I C =150A, R G =0.51Ω,V Generella =± 15 V, Lärare = 48 nH ,T vj = 150 o C

239

n

t r

Uppgångstid

57

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

442

n

t f

Hösttid

559

n

E på

Tänd Växling Förlust

60.8

mJ

E avstängd

Avstängning Förlust

34.9

mJ

Jag SC

SK-uppgifter

t P ≤10μs, V Generella =15V,

T vj = 150 o C,V CC =1000V,

V CEM ≤ 1700V

600

A

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enhet

V F

Diod framåt Spänning

Jag F =150A,V Generella =0V,T vj =2 5o C

1.80

2.25

V

Jag F =150A,V Generella =0V,T vj =125 o C

1.95

Jag F =150A,V Generella =0V,T vj = 150 o C

1.90

Q r

Återkrävt avgift

V R = 900 V,I F =150A,

-di/dt=2464A/μs,V Generella =-15V Lärare = 48 nH ,T vj =25 o C

42.8

μC

Jag RM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

142

A

E rec

Omvänd återhämtning Energi

22.3

mJ

Q r

Återkrävt avgift

V R = 900 V,I F =150A,

-di/dt=1956A/μs,V Generella =-15V Lärare = 48 nH ,T vj =125 o C

64.7

μC

Jag RM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

147

A

E rec

Omvänd återhämtning Energi

35.0

mJ

Q r

Återkrävt avgift

V R = 900 V,I F =150A,

-di/dt=1795A/μs,V Generella =-15V Lärare = 48 nH ,T vj = 150 o C

72.0

μC

Jag RM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

148

A

E rec

Omvänd återhämtning Energi

38.8

mJ

Symbol

Parameter

Min.

Typ.

Max.

Enhet

L Ce

Strömavtryck

20

nH

R CC+EE

Modul blymotstånd Terminal till chip

1.10

mΩ

R tJC

Tvättpunkt -till -Housse (perIGBT ) Sammanslagning till förpackning (per Di) (s.d.)

0.132 0.209

K/W

R thCH

Hylsa till värmesänk (per IGBT) Kapsling-till-kylfläns (pe r diod) Kapsling-till-kylfläns (per M odul)

0.029 0.047 0.009

K/W

M

Terminalanslutningsmoment Skruv M6 Monteringsmoment Skruv M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.M

G

Vikt av Modul

350

g