GD450HFX170C6S,IGBT-modul,STARPOWER

Symbol

BESKRIVNING

Värde

ENHET

V CES

Kollektor-emitterspänning

1700

V

V GES

Gate-emitter spänning

±20

V

IC

Samlarström @ T C=25o C

@ T C= 100o C

706

450

A

ICm

Pulsad samlarström t p =1 ms

900

A

PD

Maximal effekt Dissipation @ T =175o C

2542

W

Symbol

BESKRIVNING

Värde

ENHET

V RRM

Upprepad toppomvänd spänning

1700

V

IF

Diod kontinuerlig framåtström hyra

450

A

IFM

Diodens maximala framåtriktade ström t p =1 ms

900

A

Symbol

BESKRIVNING

Värde

ENHET

T jmax

Maximal temperatur vid korsningen

175

o C

T - Vad?

Användningstemperatur vid kryssningsstationen

-40 till +150

o C

T STG

Lagringstemperatur Räckvidd

-40 till +125

o C

V ISO

Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t=1 mINUT

4000

V

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

ENHET

V CE (sat)

Samlare till emitterare

Mätningsspänning

IC= 450 A, V Generella =15V, T j =25o C

1.85

2.20

V

IC= 450 A, V Generella =15V, T j =125o C

2.25

IC= 450 A, V Generella =15V, T j =150o C

2.35

V Generella (th)

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

IC= 18,0 mA, V CE =V Generella , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Samlar Avbrott -Avstängd

Nuvarande

V CE =V CES ,V Generella =0V,

T j =25o C

5.0

mA

IGES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Inre portmotstånd förhandsbeskrivning

1.67

ω

Cies

Inmatningskapacitet

V CE =25V, f=1MHz,

V Generella =0V

54.2

nF

Cres

Omvänd överföring

Kapacitet

1.32

nF

QG

Portavgift

V Generella =- 15...+15V

4.24

μC

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC = 900 V,I C= 450 A, R G= 3,3Ω,V Generella =± 15 V, T j =25o C

179

n

t r

Uppgångstid

105

n

t d (avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

680

n

t f

Hösttid

375

n

Epå

Tänd Växling

Förlust

116

mJ

Eavstängd

Avstängning

Förlust

113

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC = 900 V,I C= 450 A, R G= 3,3Ω,V Generella =± 15 V, T j = 125o C

208

n

t r

Uppgångstid

120

n

t d (avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

784

n

t f

Hösttid

613

n

Epå

Tänd Växling

Förlust

152

mJ

Eavstängd

Avstängning

Förlust

171

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC = 900 V,I C= 450 A, R G= 3,3Ω,V Generella =± 15 V, T j = 150o C

208

n

t r

Uppgångstid

120

n

t d (avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

800

n

t f

Hösttid

720

n

Epå

Tänd Växling

Förlust

167

mJ

Eavstängd

Avstängning

Förlust

179

mJ

ISC

SK-uppgifter

t P≤ 10 μs, V Generella =15V,

T j =150o C,V CC = 1000 V, V CEM ≤ 1700V

1800

A

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

ENHET

V F

Diod framåt

Spänning

IF = 450 A, V Generella =0V,T j =25o C

1.80

2.25

V

IF = 450 A, V Generella =0V,T j = 125o C

1.95

IF = 450 A, V Generella =0V,T j = 150o C

1.90

Qr

Återkrävt avgift

V R = 900 V,I F = 450 A,

-di/dt=4580A/μs,V Generella =- 15V T j =25o C

105

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

198

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

69.0

mJ

Qr

Återkrävt avgift

V R = 900 V,I F = 450 A,

-di/dt=4580A/μs,V Generella =- 15V T j = 125o C

187

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

578

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

129

mJ

Qr

Återkrävt avgift

V R = 900 V,I F = 450 A,

-di/dt=4580A/μs,V Generella =- 15V T j = 150o C

209

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

585

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

150

mJ

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

ENHET

R 25

Nominellt motstånd

5.0

kΩ

δR/R

Avvikelse av R 100

T C= 100 o C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P25

Ström

Dissipation

20.0

mW

B 25/50

B-värde

R 2=R 25exp [B 25/50(1/T 2-

1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-värde

R 2=R 25exp [B 25/80(1/T 2-

1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-värde

R 2=R 25exp [B 25/100(1/T 2-

1/(298.15K))]

3433

K

Symbol

Parameter

Min.

Typ.

Max.

ENHET

LCE

Strömavtryck

20

nH

R CC+EE

Modul blymotstånd Terminal till chip

1.10

mΩ

R tJC

Förbindelse till fall (per IGB) T)

Sammanslagning till förpackning (per Di) (s.d.)

0.059

0.083

K/W

R thCH

Hylsa till värmesänk (per IGBT)

Högsta värmeeffekt (p) diod)

Hylsa till värmesänk (per Modul)

0.031

0.043

0.009

K/W

M

Terminalanslutningsmoment Skruv M6 Monteringsmoment Skruv M5

3.0

3.0

6.0

6.0

N.M

G

Vikt av Modul

350

g