GD2400SGT120C4S,IGBT Modul,STARPOWER

Symbol

BESKRIVNING

GD2400SGT120C4S

Enheter

V CES

Kollektor-emitterspänning

1200

V

V GES

Gate-emitter spänning

±20

V

IC

Samlarström @ T C=25℃

@ T C= 100℃

3800

2400

A

ICm

Pulsad samlarström t p =1ms

4800

A

IF

Diod kontinuerlig framåtström hyra

2400

A

IFM

Diodens maximala framåtriktade ström t p =1 ms

4800

A

PD

Maximal effekt Dissipation @ T j =175℃

12.9

kW

T jmax

Maximal temperatur vid korsningen

175

℃

T - Vad?

Användningstemperatur vid kryssningsstationen

-40 till +150

℃

T STG

Lagringstemperatur Räckvidd

-40 till +125

℃

V ISO

Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t=1 mINUT

3400

V

Montering Vridmoment

Sjukdomsfall:

1.8 till 2.1

Förstärkning av motorn

8.0 till 10

N.M

Monteringsskruv:M6

4,25 till 5,75

Vikt

Vikt av Modul

2300

g

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enheter

V (BR )CES

Samlare-utgivare

Bristningsspänning

T j =25℃

1200

V

ICES

Samlar Avbrott -Avstängd

Nuvarande

V CE =V CES ,V Generella =0V, T j =25℃

5.0

mA

IGES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella =V GES ,V CE =0V, T j =25℃

400

nA

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enheter

V Generella (th)

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

IC=96mA ,V CE =V Generella , T j =25℃

5.0

5.8

6.5

V

V CE (sat)

Samlare till emitterare

Mätningsspänning

IC= 2400A,V Generella =15V, T j =25℃

1.70

2.15

V

IC= 2400A,V Generella =15V, T j =125℃

2.00

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enheter

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C= 2400A, R Gon = 1.2Ω,

R Goff =0.3Ω,

V Generella =±15V,T j =25℃

600

n

t r

Uppgångstid

215

n

t d (avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

810

n

t f

Hösttid

145

n

Epå

Tänd Växling

Förlust

/

mJ

Eavstängd

Avstängning

Förlust

/

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C= 2400A, R Gon = 1.2Ω,

R Goff =0.3Ω,

V Generella =±15V,T j = 125℃

695

n

t r

Uppgångstid

235

n

t d (avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

970

n

t f

Hösttid

182

n

Epå

Tänd Växling

Förlust

488

mJ

Eavstängd

Avstängning

Förlust

382

mJ

Cies

Inmatningskapacitet

V CE =25V, f=1MHz,

V Generella =0V

173

nF

Cövriga

Utgångskapacitet

9.05

nF

Cres

Omvänd överföring

Kapacitet

7.85

nF

ISC

SK-uppgifter

t P≤ 10 μs, V Generella =15 V,

T j =125℃,V CC = 900 V, V CEM ≤1200V

9600

A

QG

Portavgift

V CC =600V,I C= 2400A, V Generella =-15 ﹍+15V

23.0

μC

R Gint

Inre portmotstånd förhandsbeskrivning

0.42

ω

LCE

Strömavtryck

10

nH

R CC+EE

Modulled

Motstånd

Terminal till chip

0.12

mΩ

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enheter

V F

Diod framåt

Spänning

IF = 2400A

V Generella =0V

T j =25℃

1.65

2.05

V

T j =125℃

1.65

Qr

Återställd

Laddning

IF = 2400A,

V R =600 V,

R Gon =0.3Ω,

V Generella =-15V

T j =25℃

240

μC

T j =125℃

460

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

T j =25℃

1650

A

T j =125℃

2150

Erec

Omvänd återhämtning Energi

T j =25℃

/

mJ

T j =125℃

208

Symbol

Parameter

Typ.

Max.

Enheter

R θ JC

Förbindelse till fall (per IGB) T)

11.6

K/kW

R θ JC

Sammanslagning till fall (per D) jod)

19.7

K/kW

R θ CS

Fält-till-sänk (användning av ledande fett) ljuger)

4

K/kW