H100KPU, fasstyrningstyristor

Symbol

Egenskap

Testförhållanden

Tj(℃ )

Värde

Enhet

Min

TYP

Max

IT(AV)

Medel påslagsström

180。halv sinusvåg 50Hz dubbelsidigt kyld

TC=70 。C

115

2000

A

Idrm Irrm

Återkommande toppström

vid VDRM tp= 10ms vid VRRM tp= 10ms

115

600

mA

ITSM

Överspännings påslagsström

10ms halv sinusvåg VR=0.6VRRM

115

35

kA

I2t

I2t för smältkoordination

6125

103A2s

VTO

Tröskelspänning

115

1.32

V

rt

Påslags lutningsmotstånd

0.52

mΩ

VTM

Topp påslags spänning

ITM= 1500A, F=90kN

25

2.00

V

dv/dt

Kritisk hastighet av ökning av avstängningsspänning

VDM=0.67VDRM

115

2000

V/μs

di/dt

Kritisk hastighet av ökning av på-lägesström

VDM=67%VDRM,

Gatepuls tr ≤0.5μs IGM= 1.5A

115

200

A/μs

Qrr

Återställningsladdning

ITM=2000A, tp=4000μs, di/dt=-5A/μs, VR=50V

115

5000

μC

IGT

Portutlösningsström

VA= 12V, IA= 1A

25

40

300

mA

Vgt

Portutlösningsspänning

0.8

3.0

V

IH

Hållström

25

200

mA

VGD

Icke-utlösningsportspänning

VDM=67%VDRM

115

0.3

V

Rth(j-c)

Termisk resistans från junction till hölje

Tvåsidig kylning Spänningskraft 90kN

0.0057

。C /W

Rth(c-h)

Termisk resistans hölje till kylfläns

0.0015

FM

Monteringskraft

81

90

108

kN

Tvj

Sammanslagningstemperatur

-40

115

℃

TSTG

Lagringstemperatur

-40

140

℃

Wt

Vikt

2500

g

Översikt

KT100dT