GD150HFX170C1S, IGBT-modul, STARPOWER

Symbol

Beskrivning

Värde

Enhet

V CES

Kollektor-emitterspänning

1700

V

V GES

Gate-emitter spänning

±20

V

Jag C

Samlarström @ T C =25 o C @ T C = 95 o C

229

150

A

Jag CM

Pulsad samlarström t p =1 ms

300

A

P D

Maximal effekt Dissipation @ T j = 175 o C

815

W

Symbol

Beskrivning

Värde

Enhet

V RRM

Upprepad topp omvänd volt ålder

1700

V

Jag F

Diod Kontinuerlig Framåt Cu rent

150

A

Jag FM

Diodens maximala framåtriktade ström t p =1 ms

300

A

Symbol

Beskrivning

Värde

Enhet

T jmax

Maximal temperatur vid korsningen

175

o C

T - Vad?

Användningstemperatur vid kryssningsstationen

-40 till +150

o C

T STG

Lagrings temperaturintervall

-40 till +125

o C

V ISO

Isoleringsspänning RMS,f=50Hz,t= 1 minut.

4000

V

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enhet

V CE (sat)

Samlare till emitterare Mätningsspänning

Jag C =150A,V Generella =15V, T j =25 o C

1.85

2.30

V

Jag C =150A,V Generella =15V, T j =125 o C

2.25

Jag C =150A,V Generella =15V, T j = 150 o C

2.35

V Generella (th )

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

Jag C = 6,0 mA ,V Ce = V Generella , T j =25 o C

5.6

6.2

6.8

V

Jag CES

Samlar Avbrott -Avstängd Nuvarande

V Ce = V CES ,V Generella =0V, T j =25 o C

5.0

mA

Jag GES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella = V GES ,V Ce =0V, T j =25 o C

400

nA

R Gint

Inre portmotstånd

5.0

ω

C ies

Inmatningskapacitet

V Ce =25V, f=1MHz, V Generella =0V

18.1

nF

C res

Omvänd överföring Kapacitet

0.44

nF

Q G

Portavgift

V Generella =-15 ...+15V

1.41

μC

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC = 900 V,I C =150A, R G = 3,3Ω,V Generella =± 15 V, L S = 70 nH , T j =25 o C

303

n

t r

Uppgångstid

75

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

417

n

t f

Hösttid

352

n

E på

Tänd Växling Förlust

42.3

mJ

E avstängd

Avstängning Förlust

25.3

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC = 900 V,I C =150A, R G = 3,3Ω,V Generella =± 15 V, L S = 70 nH ,T j =125 o C

323

n

t r

Uppgångstid

88

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

479

n

t f

Hösttid

509

n

E på

Tänd Växling Förlust

58.9

mJ

E avstängd

Avstängning Förlust

34.9

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC = 900 V,I C =150A, R G = 3,3Ω,V Generella =± 15 V, L S = 70 nH ,T j = 150 o C

327

n

t r

Uppgångstid

90

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

498

n

t f

Hösttid

608

n

E på

Tänd Växling Förlust

65.6

mJ

E avstängd

Avstängning Förlust

40.2

mJ

Jag SC

SK-uppgifter

t P ≤10μs, V Generella =15V,

T j = 150 o C,V CC =1000V, V CEM ≤ 1700V

600

A

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enhet

V F

Diod framåt Spänning

Jag F =150A,V Generella =0V,T j =25 o C

1.80

2.25

V

Jag F =150A,V Generella =0V,T j =1 25o C

1.90

Jag F =150A,V Generella =0V,T j =1 50o C

1.95

Q r

Återkrävt avgift

V R = 900 V,I F =150A,

-di/dt=1510A/μs,V Generella =-15V L S = 70 nH , T j =25 o C

26.2

μC

Jag RM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

131

A

E rec

Omvänd återhämtning Energi

21.6

mJ

Q r

Återkrävt avgift

V R = 900 V,I F =150A,

-di/dt=1280A/μs,V Generella =-15V L S =70nH, T j =125 o C

48.0

μC

Jag RM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

140

A

E rec

Omvänd återhämtning Energi

40.1

mJ

Q r

Återkrävt avgift

V R = 900 V,I F =150A,

-di/dt=1240A/μs,V Generella =-15V L S =70nH, T j = 150 o C

52.3

μC

Jag RM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

142

A

E rec

Omvänd återhämtning Energi

42.5

mJ

Symbol

Parameter

Min.

Typ.

Max.

Enhet

L Ce

Strömavtryck

30

nH

R CC+EE

Modul blymotstånd Terminal till chip

0.65

mΩ

R tJC

Tvättpunkt -till -Housse (perIGBT ) Sammanslagning till förpackning (per Di) (s.d.)

0.184 0.368

K/W

R thCH

Hylsa till värmesänk (per IGBT) Kapsling-till-kylfläns (pe r diod) Kapsling-till-kylfläns (per M odul)

0.150 0.300 0.050

K/W

M

Terminalanslutningsmoment Skruv M5 Monteringsmoment Skruv M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

G

Vikt av Modul

150

g