Alla kategorier
Få ett citat

Få ett kostnadsfritt offertförslag

Vår representant kommer att kontakta dig inom kort.
E-post
Namn
Företagsnamn
Meddelande
0/1000

IGBT-modul 1200V

IGBT-modul 1200V

Startsida/Produkter/IGBT-modul/IGBT-modul 1200V

GD400HTX120P4S ,IGBT-modul,STARPOWER

1200V 400A Förpackning:P4

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD400HTX120P4S
  • Introduktion
  • Översikt
  • Ekvivalent krets schema
Introduktion

Kort introduktion

IGBT-modul ,producerad av STARPOWER .1200V 400A.

Egenskaper

  • Låg VCE(sat) Trench IGBT-teknik
  • Låga bytesförluster
  • 10 μs kortslutningsförmåga
  • VCE(sat) med positiv temperaturkoefficient
  • Maximal fjälltemperatur 175
  • Låg induktanshus
  • Snabb och mjuk omvänd återhämtning anti-parallel FWD
  • Isolerad koppar pinfin basplatta med DBC-teknik

Vanliga användningsområden

  • Hybrid- och elfordon
  • Inverterare för motordrivning
  • Oavbrutbar strömförsörjning

Absolut Maximal Betyg T F =25o C om inte i annat fall noterat

IGBT

Symbol

BESKRIVNING

Värde

ENHET

V CES

Kollektor-emitterspänning

1200

V

V GES

Gate-emitter spänning

±20

V

ICN

Implementerad samlare Cu rent

400

A

IC

Samlarström @ T F =25o C @ T F =75o C

400

300

A

ICm

Pulsad samlarström t p =1 ms

800

A

PD

Maximal effekt Dissipation @ T j =175o C

1500

W

Diod

Symbol

BESKRIVNING

Värde

ENHET

V RRM

Upprepad topp omvänd volt ålder

1200

V

IFN

Implementerad Forward Cu rent

400

A

IF

Diod Kontinuerlig Framåt Cu rent

300

A

IFM

Diodens maximala framåtriktade ström t p =1 ms

800

A

Modul

Symbol

BESKRIVNING

Värde

ENHET

T jmax

Maximal temperatur vid korsningen

175

o C

T - Vad?

Användningstemperatur vid kryssningsstationen

-40 till +150

o C

T STG

Lagrings temperaturintervall

-40 till +125

o C

V ISO

Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

IGBT Egenskaper T F =25o C om inte i annat fall noterat

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

ENHET

V CE (sat)

Samlare till emitterare Mätningsspänning

IC=300A,V Generella =15V, T j =25o C

1.50

1.95

V

IC=300A,V Generella =15V, T j =125o C

1.60

IC=300A,V Generella =15V, T j =150o C

1.65

V Generella (th)

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

IC=16.0mA ,V CE =V Generella , T j =25o C

5.3

5.8

6.3

V

ICES

Samlar Avbrott -Avstängd Nuvarande

V CE =V CES ,V Generella =0V, T j =25o C

1.0

mA

IGES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Inre portmotstånd

0.5

ω

Cies

Inmatningskapacitet

V CE =25V, f=1MHz, V Generella =0V

41.4

nF

Cres

Omvänd överföring Kapacitet

1.16

nF

QG

Portavgift

V Generella =15V

3.11

μC

t d ()

Tidsfördröjning för på-

V CC =500V,I C=300A, R G= 1,5Ω,V Generella =± 15 V, T j =25o C

171

n

t r

Uppgångstid

54

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

433

n

t f

Hösttid

41

n

E

Tänd Växling Förlust

18.2

mJ

Eavstängd

Avstängning Förlust

13.4

mJ

t d ()

Tidsfördröjning för på-

V CC =500V,I C=300A, R G= 1,5Ω,V Generella =± 15 V, T j =125o C

193

n

t r

Uppgångstid

54

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

546

n

t f

Hösttid

93

n

E

Tänd Växling Förlust

25.7

mJ

Eavstängd

Avstängning Förlust

26.8

mJ

t d ()

Tidsfördröjning för på-

V CC =500V,I C=300A, R G= 1,5Ω,V Generella =± 15 V, T j =150o C

203

n

t r

Uppgångstid

64

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

628

n

t f

Hösttid

93

n

E

Tänd Växling Förlust

27.8

mJ

Eavstängd

Avstängning Förlust

30.9

mJ

ISC

SK-uppgifter

t P≤10μs, V Generella =15V,

T j =150o C,V CC = 900 V, V CEM ≤1200V

1600

A

Diod Egenskaper T F =25o C om inte i annat fall noterat

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

ENHET

V F

Diod framåt Spänning

IF =300A,V Generella =0V,T j =25o C

1.55

1.80

V

IF =300A,V Generella =0V,T j =125o C

1.50

IF =300A,V Generella =0V,T j =150o C

1.45

Qr

Återkrävt avgift

V R =500V,I F =300A,

-di/dt=3150A/μs,V Generella =-15V T j =25o C

25.7

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

229

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

6.7

mJ

Qr

Återkrävt avgift

V R =500V,I F =300A,

-di/dt=3150A/μs,V Generella =-15V T j =125o C

49.0

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

380

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

17.1

mJ

Qr

Återkrävt avgift

V R =500V,I F =300A,

-di/dt=3150A/μs,V Generella =-15V T j =150o C

57.0

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

380

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

20.0

mJ

NTC Egenskaper T F =25o C om inte i annat fall noterat

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

ENHET

R 25

Nominellt motstånd

5.0

∆R/R

Avvikelse av R 100

T C=100 o C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P25

Ström

Dissipation

20.0

mW

B 25/50

B-värde

R 2=R 25exp [B 25/50(1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-värde

R 2=R 25exp [B 25/80(1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-värde

R 2=R 25exp [B 25/100(1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Modul Egenskaper T F =25o C om inte i annat fall noterat

Symbol

Parameter

Min.

Typ.

Max.

ENHET

p

Tryckfall Kyl Cir svamp

V/ t=10.0 dm 3/mINUT ;T F =25o C;Kylning Vätska=50% Vatten/50% Etylenglykol

100

mbar

p

Maximal tryck i kylcirkulationen svamp

2.5

bar

LCE

Strömavtryck

14

nH

R CC+EE

Modul blymotstånd Terminal till chip

0.80

R thJF

Tvättpunkt -till -Kylning Vätska (perIGBT ) Junction-till-kylvätska (per Di (s.d.)

0.100 0.125

K/W

M

Terminalanslutningsmoment Skruv M6 Monteringsmoment Skruv M6

2.5 3.0

5.0 6.0

N.M

G

Vikt av Modul

1250

g

Översikt

Ekvivalent krets schema

Få ett kostnadsfritt offertförslag

Vår representant kommer att kontakta dig inom kort.
E-post
Namn
Företagsnamn
Meddelande
0/1000

Relaterad produkt

Har du frågor om några produkter?

Vårt professionella försäljningsteam väntar på dina frågor.
Du kan följa deras produktlista och ställa frågor om vad du bryr dig om.

Få ett citat

Få ett kostnadsfritt offertförslag

Vår representant kommer att kontakta dig inom kort.
E-post
Namn
Företagsnamn
Meddelande
0/1000

Få ett kostnadsfritt offertförslag

Vår representant kommer att kontakta dig inom kort.
E-post
Namn
Företagsnamn
Meddelande
0/1000