IGBT-modul, GD1000HTA75P6HT Starpower

Symbol

BESKRIVNING

Värden

ENHET

V CES

Kollektor-emitterspänning

750

V

V GES

Gate-emitter spänning

±20

V

ICN

Implementerad samlare Cu rent

1000

A

IC

Samlarström @ T F =125o C

450

A

ICm

Pulsad samlarström t p =1 ms

2000

A

PD

Maximal effektförlust ation @ T F =75o C T vj =175o C

1282

W

Symbol

BESKRIVNING

Värden

ENHET

V RRM

Upprepad topp omvänd volt ålder

750

V

IFN

Implementerad samlare Cu rent

1000

A

IF

Diod Kontinuerlig Framåt Cu rent

450

A

IFM

Diodens maximala framåtriktade ström t p =1 ms

2000

A

Symbol

BESKRIVNING

Värde

ENHET

T vjmax

Maximal temperatur vid korsningen

175

o C

T vjop

Operativ kryssnings temperatur kontinuerlig

I 10 sekunder inom en tidsperiod av 30 sekunder, förekomst maximalt 3000 gånger under livstiden

-40 till +150 +150 till +175

o C

T STG

Lagrings temperaturintervall

-40 till +125

o C

V ISO

Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t=1 mINUT

2500

V

d - Sväpnad.

Terminal till värmesink Terminal till terminal

9.0 9.0

mm

d Klar

Terminal till värmesink Terminal till terminal

4.5 4.5

mm

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

ENHET

V CE (sat)

Samlare till emitterare Mätningsspänning

IC= 450 A, V Generella =15V, T vj =25o C

1.10

1.35

V

IC= 450 A, V Generella =15V, T vj =150o C

1.10

IC= 450 A, V Generella =15V, T vj =175o C

1.10

IC=1000A,V Generella =15V, T vj =25o C

1.40

IC=1000A,V Generella =15V, T vj =175o C

1.60

V Generella (th)

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

IC=12.9mA ,V CE =V Generella , T vj =25o C

5.5

6.4

7.0

V

ICES

Samlar Avbrott -Avstängd Nuvarande

V CE =V CES ,V Generella =0V, T vj =25o C

1.0

mA

IGES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

R Gint

Inre portmotstånd

1.2

ω

Cies

Inmatningskapacitet

V CE =50V,f=100kHz, V Generella =0V

66.7

nF

Cövriga

Utgångskapacitet

1.50

nF

Cres

Omvänd överföring Kapacitet

0.35

nF

QG

Portavgift

V CE =400V,I C = 450 A, V Generella =-15…+15V

4.74

μC

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =400V,I C= 450 A,

R Gon =1.2Ω, R Goff =1,0Ω, V Generella =-8V/+15V,

LS =24nH, T vj =25o C

244

n

t r

Uppgångstid

61

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

557

n

t f

Hösttid

133

n

Epå

Tänd Växling Förlust

11.0

mJ

Eavstängd

Avstängning Förlust

22.8

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =400V,I C= 450 A,

R Gon =1.2Ω, R Goff =1,0Ω, V Generella =-8V/+15V,

LS =24nH, T vj =150o C

260

n

t r

Uppgångstid

68

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

636

n

t f

Hösttid

226

n

Epå

Tänd Växling Förlust

16.9

mJ

Eavstängd

Avstängning Förlust

32.2

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =400V,I C= 450 A,

R Gon =1.2Ω, R Goff =1,0Ω, V Generella =-8V/+15V,

LS =24nH, T vj =175o C

264

n

t r

Uppgångstid

70

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

673

n

t f

Hösttid

239

n

Epå

Tänd Växling Förlust

19.2

mJ

Eavstängd

Avstängning Förlust

33.6

mJ

ISC

SK-uppgifter

t P≤6μs, V Generella =15V,

T vj =25o C,V CC =400V, V CEM ≤750V

4900

A

t P≤3μs, V Generella =15V,

T vj =175o C,V CC =400V, V CEM ≤750V

3800

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

ENHET

V F

Diod framåt Spänning

IF = 450 A, V Generella =0V,T vj =25o C

1.40

1.65

V

IF = 450 A, V Generella =0V,T vj =150o C

1.35

IF = 450 A, V Generella =0V,T vj =175o C

1.30

IF =1000A,V Generella =0V,T vj =25o C

1.80

IF =1000A,V Generella =0V,T vj =175o C

1.80

Qr

Återkrävt avgift

V R =400V,I F = 450 A,

-di/dt=7809A/μs,V Generella =-8V LS =24nH ,T vj =25o C

18.5

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

303

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

3.72

mJ

Qr

Återkrävt avgift

V R =400V,I F = 450 A,

-di/dt=6940A/μs,V Generella =-8V LS =24nH ,T vj =150o C

36.1

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

376

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

8.09

mJ

Qr

Återkrävt avgift

V R =400V,I F = 450 A,

-di/dt=6748A/μs,V Generella =-8V LS =24nH ,T vj =175o C

40.1

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

383

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

9.01

mJ

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

ENHET

R 25

Nominellt motstånd

5.0

kΩ

∆R/R

Avvikelse av R 100

T C=100 o C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P25

Ström

Dissipation

20.0

mW

B 25/50

B-värde

R 2=R 25exp [B 25/50(1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-värde

R 2=R 25exp [B 25/80(1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-värde

R 2=R 25exp [B 25/100(1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Symbol

Parameter

Min.

Typ.

Max.

ENHET

LCE

Strömavtryck

8

nH

R CC+EE

Modul blymotstånd, terminal till chip

0.75

mΩ

p

Maximal tryck i kylcirkulationen svamp

T basplatta <40o C

T basplatta 40o C

(relativ tryck)

2.5 2.0

bar

R thJF

Tvättpunkt -till -Kylning Vätska (perIGBT )Junction-to-Cooling Fluid (per D jod) △V/ △t=10.0 dm 3/mINUT ,T F =75o C

0.068 0.105

0.078 0.120

K/W

M

Terminalanslutningsmoment Skruv M5 Monteringsmoment Skruv M4

3.6 1.8

4.4 2.2

N.M

G

Vikt av Modul

750

g