Kort introduktion
IGBT-modul ,producerad av STARPOWER . 1200V 150A.
Funktioner
- Låg VCE(sat) Trench IGBT-teknik
- 10 μs kortslutningsförmåga
- VCE(sat) med positiv temperaturkoefficient
-
Maximal fjälltemperatur 175 ℃
- Låg induktanshus
- Snabb och mjuk omvänd återhämtning anti-parallel FWD
- Isolerad kopparbasplatt med DBC-teknik
Typiska Tillämpningar
- Strömförsörjning med växlande läge
- Induktionshäftning
- Elektroniska svetsare
Absolut Maximal Betyg T F =25o C om inte i annat fall noterat
IGBT
Symbol |
Beskrivning |
Värde |
Enhet |
V CES |
Kollektor-emitterspänning |
1200 |
V |
V GES |
Gate-emitter spänning |
±20 |
V |
Jag C |
Samlarström @ T C =25o C @ T C =85o C |
241
150
|
A |
Jag CM |
Pulsad samlarström t p =1 ms |
300 |
A |
P D |
Maximal effekt Dissipation @ T vj =150o C |
1262 |
W |
Diod
Symbol |
Beskrivning |
Värde |
Enhet |
V RRM |
Upprepad topp omvänd volt ålder |
1200 |
V |
Jag F |
Diod Kontinuerlig Framåt Cu rent |
150 |
A |
Jag FM |
Diodens maximala framåtriktade ström t p =1 ms |
300 |
A |
Modul
Symbol |
Beskrivning |
Värde |
Enhet |
T vjmax |
Maximal temperatur vid korsningen |
150 |
o C |
T vjop |
Användningstemperatur vid kryssningsstationen |
-40 till +125 |
o C |
T STG |
Lagrings temperaturintervall |
-40 till +125 |
o C |
V ISO |
Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t =1min |
2500 |
V |
IGBT Egenskaper T C =25o C om inte i annat fall noterat
Symbol |
Parameter |
Testförhållanden |
Min. |
Typ. |
Max. |
Enhet |
|
V CE (sat)
|
Samlare till emitterare Mätningsspänning |
Jag C =150A,V Generella =15V, T vj =25o C |
|
2.90 |
3.35 |
V
|
Jag C =150A,V Generella =15V, T vj =125o C |
|
3.60 |
|
V Generella (th ) |
Gränssnitt för gate-emitterare Spänning |
Jag C =3.0mA ,V CE =V Generella , T vj =25o C |
5.0 |
6.1 |
7.0 |
V |
Jag CES |
Samlar Avbrott -Avstängd Nuvarande |
V CE =V CES ,V Generella =0V, T vj =25o C |
|
|
5.0 |
mA |
Jag GES |
Läckage i port-sändaren Nuvarande |
V Generella =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C |
|
|
400 |
nA |
R Gint |
Inre portmotstånd förhandsbeskrivning |
|
|
1.50 |
|
ω |
C ies |
Inmatningskapacitet |
V CE =30V, f=1MHz, V Generella =0V |
|
19.2 |
|
nF |
C res |
Omvänd överföring Kapacitet |
|
0.60 |
|
nF |
Q G |
Portavgift |
V Generella =-15…+15V |
|
1.83 |
|
μC |
t d (på ) |
Tidsfördröjning för på- |
V CC =600V,I C =150A, R G =6.8Ω, Ls=48nH, V Generella =±15V,T vj =25o C
|
|
74 |
|
n |
t r |
Uppgångstid |
|
92 |
|
n |
t d(off) |
Avstängning Fördröjningstider |
|
401 |
|
n |
t f |
Hösttid |
|
31 |
|
n |
E på |
Tänd Växling Förlust |
|
19.0 |
|
mJ |
E avstängd |
Avstängning Förlust |
|
3.09 |
|
mJ |
t d (på ) |
Tidsfördröjning för på- |
V CC =600V,I C =150A, R G =6.8Ω, Ls=48nH, V Generella =±15V,T vj =125o C
|
|
61 |
|
n |
t r |
Uppgångstid |
|
95 |
|
n |
t d(off) |
Avstängning Fördröjningstider |
|
444 |
|
n |
t f |
Hösttid |
|
47 |
|
n |
E på |
Tänd Växling Förlust |
|
22.5 |
|
mJ |
E avstängd |
Avstängning Förlust |
|
3.99 |
|
mJ |
Jag SC |
SK-uppgifter |
t P ≤10μs, V Generella =15V,
T vj =125o C,V CC =800V, V CEM ≤1200V
|
|
975 |
|
A |
Diod Egenskaper T C =25o C om inte i annat fall noterat
Symbol |
Parameter |
Testförhållanden |
Min. |
Typ. |
Max. |
Enhet |
V F |
Diod framåt Spänning |
Jag F =150A,V Generella =0V,T vj =25o C |
|
1.85 |
2.30 |
V |
Jag F =150A,V Generella =0V,T vj =125o C |
|
1.90 |
|
Q r |
Återkrävt avgift |
V R =600V,I F =150A,
-di/dt=1480A/μs,V Generella = 15 V, Lärare =48nH ,T vj =25o C
|
|
13.7 |
|
μC |
Jag RM |
Höjdpunkt omvänd
Återställningsström
|
|
91 |
|
A |
E rec |
Omvänd återhämtning Energi |
|
4.01 |
|
mJ |
Q r |
Återkrävt avgift |
V R =600V,I F =150A,
-di/dt=1560A/μs,V Generella = 15 V, Lärare =48nH ,T vj =125o C
|
|
22.1 |
|
μC |
Jag RM |
Höjdpunkt omvänd
Återställningsström
|
|
111 |
|
A |
E rec |
Omvänd återhämtning Energi |
|
6.65 |
|
mJ |
Modul Egenskaper T C =25o C om inte i annat fall noterat
Symbol |
Parameter |
Min. |
Typ. |
Max. |
Enhet |
L CE |
Strömavtryck |
|
|
30 |
nH |
R CC+EE |
Modul blymotstånd Terminal till chip |
|
0.35 |
|
mΩ |
R tJC |
Tvättpunkt -till -Case (perIGBT ) Sammanslagning till förpackning (per Di) (s.d.) |
|
|
0.099 0.259 |
K/W |
|
R thCH
|
Hylsa till värmesänk (per IGBT) Kapsling-till-kylfläns (pe r diod) Kapsling-till-kylfläns (per M odul) |
|
0.028 0.072 0.010 |
|
K/W |
M |
Terminalanslutningsmoment Skruv M5 Monteringsmoment Skruv M6 |
2.5 3.0 |
|
5.0 5.0 |
N.M |
G |
Vikt av Modul |
|
300 |
|
g |
EN
