GD150HFU120C2SD, IGBT-modul, STARPOWER

Symbol

BESKRIVNING

Värde

ENHET

V CES

Kollektor-emitterspänning

1200

V

V GES

Gate-emitter spänning

±20

V

IC

Samlarström @ T C=25o C@ T C=85o C

241

150

A

ICm

Pulsad samlarström t p =1 ms

300

A

PD

Maximal effekt Dissipation @ T vj =150o C

1262

W

Symbol

BESKRIVNING

Värde

ENHET

V RRM

Upprepad topp omvänd volt ålder

1200

V

IF

Diod Kontinuerlig Framåt Cu rent

150

A

IFM

Diodens maximala framåtriktade ström t p =1 ms

300

A

Symbol

BESKRIVNING

Värde

ENHET

T vjmax

Maximal temperatur vid korsningen

150

o C

T vjop

Användningstemperatur vid kryssningsstationen

-40 till +125

o C

T STG

Lagrings temperaturintervall

-40 till +125

o C

V ISO

Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

ENHET

V CE (sat)

Samlare till emitterare Mätningsspänning

IC=150A,V Generella =15V, T vj =25o C

2.90

3.35

V

IC=150A,V Generella =15V, T vj =125o C

3.60

V Generella (th)

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

IC=3.0mA ,V CE =V Generella , T vj =25o C

5.0

6.1

7.0

V

ICES

Samlar Avbrott -Avstängd Nuvarande

V CE =V CES ,V Generella =0V, T vj =25o C

5.0

mA

IGES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

R Gint

Inre portmotstånd förhandsbeskrivning

1.50

ω

Cies

Inmatningskapacitet

V CE =30V, f=1MHz, V Generella =0V

19.2

nF

Cres

Omvänd överföring Kapacitet

0.60

nF

QG

Portavgift

V Generella =-15…+15V

1.83

μC

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C=150A, R G=6.8Ω, Ls=48nH, V Generella =±15V,T vj =25o C

74

n

t r

Uppgångstid

92

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

401

n

t f

Hösttid

31

n

Epå

Tänd Växling Förlust

19.0

mJ

Eavstängd

Avstängning Förlust

3.09

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C=150A, R G=6.8Ω, Ls=48nH, V Generella =±15V,T vj =125o C

61

n

t r

Uppgångstid

95

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

444

n

t f

Hösttid

47

n

Epå

Tänd Växling Förlust

22.5

mJ

Eavstängd

Avstängning Förlust

3.99

mJ

ISC

SK-uppgifter

t P≤10μs, V Generella =15V,

T vj =125o C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

975

A

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

ENHET

V F

Diod framåt Spänning

IF =150A,V Generella =0V,T vj =25o C

1.85

2.30

V

IF =150A,V Generella =0V,T vj =125o C

1.90

Qr

Återkrävt avgift

V R =600V,I F =150A,

-di/dt=1480A/μs,V Generella = 15 V, Lärare =48nH ,T vj =25o C

13.7

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

91

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

4.01

mJ

Qr

Återkrävt avgift

V R =600V,I F =150A,

-di/dt=1560A/μs,V Generella = 15 V, Lärare =48nH ,T vj =125o C

22.1

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

111

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

6.65

mJ

Symbol

Parameter

Min.

Typ.

Max.

ENHET

LCE

Strömavtryck

30

nH

R CC+EE

Modul blymotstånd Terminal till chip

0.35

mΩ

R tJC

Tvättpunkt -till -Fall (perIGBT ) Sammanslagning till förpackning (per Di) (s.d.)

0.099 0.259

K/W

R thCH

Hylsa till värmesänk (per IGBT) Kapsling-till-kylfläns (pe r diod) Kapsling-till-kylfläns (per M odul)

0.028 0.072 0.010

K/W

M

Terminalanslutningsmoment Skruv M5 Monteringsmoment Skruv M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

G

Vikt av Modul

300

g