Alla kategorier
Begär ett citat

Få ett kostnadsfritt offertförslag

Vår representant kommer att kontakta dig inom kort.
E-post
Namn
Företagsnamn
Meddelande
0/1000

IGBT-modul 1700V

IGBT-modul 1700V

Startsida/Produkter/IGBT-modul/IGBT-modul 1700V

GD2400SGX170C4S,IGBT Modul,Högströms IGBT-modul,STARPOWER

1700V 2400A, C4

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD2400SGX170C4S
  • Introduktion
  • Översikt
  • Ekvivalent krets schema
Introduktion

Kort introduktion

IGBT-modul ,tillverkad av STARPOWER. 1 700V 2400A,C4 .

Funktioner

  • Låg VCE(sat) Trench IGBT-teknik
  • 10 μs kortslutningsförmåga
  • VCE(sat) med positiv temperaturkoefficient
  • Maximal temperatur vid sammankopplingen 175oC
  • Låg induktanshus
  • Snabb och mjuk omvänd återhämtning anti-parallel FWD
  • AlSiC-basplattor för cykelförmåga med hög effekt
  • AlN-underlag för låg termisk resistans cE

Vanliga användningsområden

  • Hög effektomvandlare
  • Motorstyrningar

Absolut Maximal Betyg T C=25o C om inte i annat fall noterat

IGBT

Symbol

BESKRIVNING

Värde

Enhet

V CES

Kollektor-emitterspänning

1700

V

V GES

Gate-emitter spänning

±20

V

IC

Samlarström @ T C=100o C

2400

A

ICm

Pulsad samlarström t p =1 ms

4800

A

PD

Maximal effekt Dissipation @ T j =175o C

13.7

kW

Diod

Symbol

BESKRIVNING

Värde

Enhet

V RRM

Upprepad topp omvänd volt ålder

1700

V

IF

Diod Kontinuerlig Framåt Cu rent

2400

A

IFM

Diodens maximala framåtriktade ström t p =1 ms

4800

A

IFSM

Spetsström framåt V R =0V,T p =10ms, @T j =25o C @T j =150o C

18.65 15.25

kA

I2t

I2t-värde,V R =0V,T p =10m s,T j =25o CI2t-värde,V R =0V,T p =10ms ,t j =150o C

1739

1162

kA2s

Modul

Symbol

BESKRIVNING

Värde

Enhet

T jmax

Maximal temperatur vid korsningen

175

o C

T - Vad?

Användningstemperatur vid kryssningsstationen

-40 till +150

o C

T STG

Lagrings temperaturintervall

-40 till +125

o C

V ISO

Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t =1min

4000

V

IGBT Egenskaper T C=25o C om inte i annat fall noterat

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enhet

V CE (sat)

Samlare till emitterare Mätningsspänning

IC= 2400A,V Generella =15V, T j =25o C

1.85

2.30

V

IC= 2400A,V Generella =15V, T j =125o C

2.25

IC= 2400A,V Generella =15V, T j =150o C

2.35

V Generella (th)

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

IC=96.0mA ,V CE =V Generella , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Samlar Avbrott Avstängd Nuvarande

V CE =V CES ,V Generella =0V, T j =25o C

5.0

mA

IGES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Inre portresis - Självklart.

0.6

ω

Cies

Inmatningskapacitet

V CE =25V, f=100kHz, V Generella =0V

285

nF

Cres

Omvänd överföring Kapacitet

7.13

nF

QG

Portavgift

V Generella =-15…+15V

23.5

μC

t d ()

Tidsfördröjning för på-

V CC = 900 V,I C= 2400A, R G=0.82Ω, LS =32nH ,V Generella =-9V/+15V,

T j =25o C

609

n

t r

Uppgångstid

232

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

1676

n

t f

Hösttid

192

n

E

Tänd Växling Förlust

784

mJ

Eavstängd

Avstängning Förlust

785

mJ

t d ()

Tidsfördröjning för på-

V CC = 900 V,I C= 2400A, R G=0.82Ω, LS =32nH ,V Generella =-9V/+15V,

T j =125o C

732

n

t r

Uppgångstid

280

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

2171

n

t f

Hösttid

243

n

E

Tänd Växling Förlust

1350

mJ

Eavstängd

Avstängning Förlust

1083

mJ

t d ()

Tidsfördröjning för på-

V CC = 900 V,I C= 2400A, R G=0.82Ω, LS =32nH ,V Generella =-9V/+15V,

T j =150o C

772

n

t r

Uppgångstid

298

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

2294

n

t f

Hösttid

298

n

E

Tänd Växling Förlust

1533

mJ

Eavstängd

Avstängning Förlust

1126

mJ

ISC

SK-uppgifter

t P≤10μs, V Generella =15V,

T j =150o C,V CC =1000V, V CEM ≤ 1700V

10.5

kA

Diod Egenskaper T C=25o C om inte i annat fall noterat

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enhet

V F

Diod framåt Spänning

IF = 2400A,V Generella =0V,T j =25o C

1.80

2.25

V

IF = 2400A,V Generella =0V,T j =125o C

1.90

IF = 2400A,V Generella =0V,T j =150o C

1.95

Qr

Återkrävt avgift

V R = 900 V,I F = 2400A,

-di/dt=9570A/μs,V Generella =-9V, LS =32nH ,T j =25o C

243

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

1656

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

274

mJ

Qr

Återkrävt avgift

V R = 900 V,I F = 2400A,

-di/dt=7500A/μs,V Generella =-9V, LS =32nH ,T j =125o C

425

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

1692

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

438

mJ

Qr

Återkrävt avgift

V R = 900 V,I F = 2400A,

-di/dt=6990A/μs,V Generella =-9V, LS =32nH ,T j =150o C

534

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

1809

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

563

mJ

Modul Egenskaper T C=25o C om inte i annat fall noterat

Symbol

Parameter

Min.

Typ.

Max.

Enhet

LCE

Strömavtryck

6.0

nH

R CC+EE

Modul blymotstånd Terminal till chip

0.10

R tJC

Tvättpunkt till Fall (perIGBT ) Sammanslagning till förpackning (per Di) (s.d.)

10.9 20.9

K/kW

R thCH

Fall till Värmesänkande (perIGBT )Kapsling-till-kylfläns (pe r diod) Kapsling-till-kylfläns (per M odul)

6.1 11.7 4.0

K/kW

d - Sväpnad.

Terminal-till-kylare Terminal-till-terminal

32.2 32.2

mm

d Klar

Terminal-till-kylare Terminal-till-terminal

19.1 19.1

mm

M

Terminalanslutningsmoment Skruv M4 Terminalanslutningsmoment Skruv M8 Monteringsmoment Skruv M6

1.8 8.0 4.25

2.1

10

5.75

N.M

G

Vikt av Modul

1500

g

Översikt

Ekvivalent krets schema

Få ett kostnadsfritt offertförslag

Vår representant kommer att kontakta dig inom kort.
E-post
Namn
Företagsnamn
Meddelande
0/1000

Relaterad produkt

Har du frågor om några produkter?

Vårt professionella säljteam väntar på din konsultation.
Du kan följa deras produktlista och ställa frågor om vad du bryr dig om.

Begär ett citat

Få ett kostnadsfritt offertförslag

Vår representant kommer att kontakta dig inom kort.
E-post
Namn
Företagsnamn
Meddelande
0/1000

Få ett kostnadsfritt offertförslag

Vår representant kommer att kontakta dig inom kort.
E-post
Namn
Företagsnamn
Meddelande
0/1000