GD600SGU120C2S,IGBT Modul,STARPOWER

Symbol

Beskrivning

Värde

Enhet

V CES

Kollektor-emitterspänning

1200

V

V GES

Gate-emitter spänning

±20

V

Jag C

Samlarström @ T C =25o C

@ T C =70o C

830

600

A

Jag CM

Pulsad samlarström t p =1 ms

1200

A

P D

Maximal effekt Dissipation @ T j =150o C

4032

W

Symbol

Beskrivning

Värde

Enhet

V RRM

Upprepad toppomvänd spänning

1200

V

Jag F

Diod kontinuerlig framåtström hyra

600

A

Jag FM

Diodens maximala framåtriktade ström t p =1 ms

1200

A

Symbol

Beskrivning

Värde

Enhet

T jmax

Maximal temperatur vid korsningen

150

o C

T - Vad?

Användningstemperatur vid kryssningsstationen

-40 till +125

o C

T STG

Lagringstemperatur Räckvidd

-40 till +125

o C

V ISO

Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t=1 min

2500

V

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enhet

V CE (sat)

Samlare till emitterare

Mätningsspänning

Jag C = 600 A, V Generella =15V, T j =25o C

2.90

3.35

V

Jag C = 600 A, V Generella =15V, T j =125o C

3.60

V Generella (th )

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

Jag C =6.0mA ,V CE =V Generella , T j =25o C

5.0

5.8

6.6

V

Jag CES

Samlar Avbrott -Avstängd

Nuvarande

V CE =V CES ,V Generella =0V,

T j =25o C

5.0

mA

Jag GES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Inre portmotstånd förhandsbeskrivning

0.25

ω

C ies

Inmatningskapacitet

V CE =25V, f=1MHz,

V Generella =0V

39.0

nF

C res

Omvänd överföring

Kapacitet

2.55

nF

Q G

Portavgift

V Generella =- 15...+15V

6.30

μC

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C = 600A, R G = 1. 1Ω,

V Generella =± 15 V, T j =25o C

205

n

t r

Uppgångstid

50

n

t d (avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

265

n

t f

Hösttid

140

n

E på

Tänd Växling

Förlust

50.4

mJ

E avstängd

Avstängning

Förlust

20.0

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C = 600A, R G = 1. 1Ω,

V Generella =± 15 V, T j = 125o C

210

n

t r

Uppgångstid

55

n

t d (avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

275

n

t f

Hösttid

175

n

E på

Tänd Växling

Förlust

66.0

mJ

E avstängd

Avstängning

Förlust

28.9

mJ

Jag SC

SK-uppgifter

t P ≤ 10 μs, V Generella =15V,

T j =125o C,V CC = 900 V, V CEM ≤1200V

3900

A

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enhet

V F

Diod framåt

Spänning

Jag F = 600 A, V Generella =0V,T j =25o C

2.25

2.70

V

Jag F = 600 A, V Generella =0V,T j = 125o C

2.35

Q r

Återkrävt avgift

V CC =600V,I F = 600A,

-di/dt= 12 kA/μs, V Generella =± 15 V, T j =25o C

42.0

μC

Jag RM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

492

A

E rec

Omvänd återhämtning Energi

16.6

mJ

Q r

Återkrävt avgift

V CC =600V,I F = 600A,

-di/dt= 12 kA/μs, V Generella =± 15 V, T j = 125o C

80.4

μC

Jag RM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

672

A

E rec

Omvänd återhämtning Energi

37.9

mJ

Symbol

Parameter

Min.

Typ.

Max.

Enhet

L CE

Strömavtryck

20

nH

R CC+EE

Modul blymotstånd Terminal till chip

0.18

mΩ

R tJC

Förbindelse till fall (per IGB) T)

Sammanslagning till fall (per D) jod)

0.031

0.070

K/W

R thCH

Hylsa till värmesänk (per IGBT)

Högsta värmeeffekt (p) diod)

Hylsa till värmesänk (per Modul)

0.051

0.114

0.035

K/W

M

Terminalanslutningsmoment Skruv M4 Terminalanslutning Moment, Skruv M6 Monteringsmoment Skruv M6

1.1

2.5

3.0

2.0

5.0

5.0

N.M

G

Vikt av Modul

300

g