GD200FFY120C6SF, IGBT-modul, STARPOWER

Symbol

BESKRIVNING

Värde

Enhet

V CES

Kollektor-emitterspänning

1200

V

V GES

Gate-emitter spänning

±20

V

IC

Samlarström @ T C=25o C

@ T C=85o C

294

200

A

ICm

Pulsad samlarström t p =1 ms

400

A

PD

Maximal effekt Dissipation @ T =175o C

1056

W

Symbol

BESKRIVNING

Värde

Enhet

V RRM

Upprepad toppomvänd spänning

1200

V

IF

Diod kontinuerlig framåtström hyra

200

A

IFM

Diodens maximala framåtriktade ström t p =1 ms

400

A

Symbol

BESKRIVNING

Värde

Enhet

T jmax

Maximal temperatur vid korsningen

175

o C

T - Vad?

Användningstemperatur vid kryssningsstationen

-40 till +150

o C

T STG

Lagringstemperatur Räckvidd

-40 till +125

o C

V ISO

Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t=1 mIN

4000

V

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enhet

V CE (sat)

Samlare till emitterare

Mätningsspänning

IC=200A,V Generella =15V, T j =25o C

1.90

2.35

V

IC=200A,V Generella =15V, T j = 125o C

2.40

IC=200A,V Generella =15V, T j =150o C

2.55

V Generella (th)

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

IC=5.0mA ,V CE =V Generella , T j =25o C

5.2

6.0

6.8

V

ICES

Samlar Avbrott – Avstängd

Nuvarande

V CE =V CES ,V Generella =0V,

T j =25o C

1.0

mA

IGES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

100

nA

R Gint

Inre portmotstånd förhandsbeskrivning

3.75

ω

Cies

Inmatningskapacitet

V CE =25V, f=1MHz,

V Generella =0V

20.7

nF

Cres

Omvänd överföring

Kapacitet

0.58

nF

QG

Portavgift

V Generella =- 15...+15V

1.55

μC

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C=200A, R G=0.75Ω,V Generella =± 15 V, T j =25o C

374

n

t r

Uppgångstid

50

n

t d (avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

326

n

t f

Hösttid

204

n

Epå

Tänd Växling

Förlust

13.8

mJ

Eavstängd

Avstängning

Förlust

10.4

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C=200A, R G=0.75Ω,V Generella =± 15 V, T j = 125o C

419

n

t r

Uppgångstid

63

n

t d (avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

383

n

t f

Hösttid

218

n

Epå

Tänd Växling

Förlust

20.8

mJ

Eavstängd

Avstängning

Förlust

11.9

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C=200A, R G=0.75Ω,V Generella =± 15 V, T j = 150o C

419

n

t r

Uppgångstid

65

n

t d (avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

388

n

t f

Hösttid

222

n

Epå

Tänd Växling

Förlust

22.9

mJ

Eavstängd

Avstängning

Förlust

11.9

mJ

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enhet

V F

Diod framåt

Spänning

IF =200A,V Generella =0V,T j =25o C

1.90

2.35

V

IF =200A,V Generella =0V,T j = 125o C

1.90

IF =200A,V Generella =0V,T j = 150o C

1.90

Qr

Återkrävt avgift

V R =600V,I F =200A,

-di/dt=3200A/μs,V Generella =- 15V T j =25o C

10.2

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

90

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

3.40

mJ

Qr

Återkrävt avgift

V R =600V,I F =200A,

-di/dt=3200A/μs,V Generella =- 15V T j = 125o C

26.2

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

132

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

9.75

mJ

Qr

Återkrävt avgift

V R =600V,I F =200A,

-di/dt=3200A/μs,V Generella =- 15V T j = 150o C

30.4

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

142

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

11.3

mJ

Symbol

Parameter

Min.

Typ.

Max.

Enhet

LCE

Strömavtryck

15

nH

R CC+EE

Modul blymotstånd Terminal till chip

0.25

mΩ

R tJC

Förbindelse till fall (per IGB) T)

Sammanslagning till fall (per D) jod)

0.142

0.202

K/W

R thCH

Hylsa till värmesänk (per IGBT)

Högsta värmeeffekt (p) diod)

Kapsling-till-kylfläns (per M odul)

0.034

0.048

0.010

K/W

M

Terminalanslutningsmoment Skruv M6 Monteringsmoment Skruv M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

G

Vikt av Modul

300

g