GD900SGF120A3SN,IGBT-modul,STARPOWER

Symbol

BESKRIVNING

Värde

ENHET

V CES

Kollektor-emitterspänning

1200

V

V GES

Gate-emitter spänning

±20

V

IC

Samlarström @ T C=25o C @ T C=100o C

1466

900

A

ICm

Pulsad samlarström t p =1 ms

1800

A

PD

Maximal effekt Dissipation @ T vj =175o C

5.34

kW

Symbol

BESKRIVNING

Värde

ENHET

V RRM

Upprepad topp omvänd volt ålder

1200

V

IF

Diod Kontinuerlig Framåt Cu rent

900

A

IFM

Diodens maximala framåtriktade ström t p =1 ms

1800

A

Symbol

BESKRIVNING

Värde

ENHET

T vjmax

Maximal temperatur vid korsningen

175

o C

T vjop

Användningstemperatur vid kryssningsstationen

-40 till +150

o C

T STG

Lagrings temperaturintervall

-40 till +125

o C

V ISO

Isoleringsspänning RMS,f=50Hz,t= 1 minut.

4000

V

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

ENHET

V CE (sat)

Samlare till emitterare Mätningsspänning

IC=900A,V Generella =15V, T vj =25o C

2.00

2.45

V

IC=900A,V Generella =15V, T vj =125o C

2.50

IC=900A,V Generella =15V, T vj =150o C

2.65

V Generella (th)

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

IC=32.0mA ,V CE =V Generella , T vj =25o C

5.2

6.0

6.8

V

ICES

Samlar Avbrott -Avstängd Nuvarande

V CE =V CES ,V Generella =0V, T vj =25o C

1.0

mA

IGES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

R Gint

Inre portmotstånd förhandsbeskrivning

1.44

ω

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C=900A, R Gon =1Ω, R Goff =2Ω, Ls=50nH,

V Generella =-10/+15V, T vj =25o C

520

n

t r

Uppgångstid

127

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

493

n

t f

Hösttid

72

n

Epå

Tänd Växling Förlust

76.0

mJ

Eavstängd

Avstängning Förlust

85.0

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C=900A, R Gon =1Ω, R Goff =2Ω, Ls=50nH,

V Generella =-10/+15V, T vj =125o C

580

n

t r

Uppgångstid

168

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

644

n

t f

Hösttid

89

n

Epå

Tänd Växling Förlust

127

mJ

Eavstängd

Avstängning Förlust

98.5

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C=900A, R Gon =1Ω, R Goff =2Ω, Ls=50nH,

V Generella =-10/+15V, T vj =150o C

629

n

t r

Uppgångstid

176

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

676

n

t f

Hösttid

96

n

Epå

Tänd Växling Förlust

134

mJ

Eavstängd

Avstängning Förlust

99.0

mJ

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

ENHET

V F

Diod framåt Spänning

IF =900A,V Generella =0V,T vj =25o C

1.95

2.40

V

IF =900A,V Generella =0V,T vj =125o C

2.00

IF =900A,V Generella =0V,T vj =150o C

2.05

Qr

Återkrävt avgift

V R =600V,I F =900A,

-di/dt=7100A/μs, Ls=50nH, V Generella =-10V,

T vj =25o C

80

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

486

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

35.0

mJ

Qr

Återkrävt avgift

V R =600V,I F =900A,

-di/dt=5180A/μs, Ls=50nH, V Generella =-10V,

T vj =125o C

153

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

510

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

64.0

mJ

Qr

Återkrävt avgift

V R =600V,I F =900A,

-di/dt=4990A/μs, Ls=50nH, V Generella =-10V,

T vj =150o C

158

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

513

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

74.0

mJ

Symbol

Parameter

Min.

Typ.

Max.

ENHET

LCE

Strömavtryck

12

nH

R CC+EE

Modul blymotstånd Terminal till chip

0.19

mΩ

R tJC

Tvättpunkt -till -Fall (perIGBT ) Sammanslagning till förpackning (per Di) (s.d.)

28.1 44.1

K/kW

R thCH

Hylsa till värmesänk (per IGBT) Kapsling-till-kylfläns (pe r diod) Hylsa till värmesänk (per Modul)

9.82 15.4 6.0

K/kW

M

Terminalanslutningsmoment Skruv M4 Terminalanslutningsmoment Skruv M8 Monteringsmoment Skruv M6

1.8 8.0 4.25

2.1

10

5.75

N.M

G

Vikt av Modul

1050

g