GD900SGF120A3SN,IGBT-modul,STARPOWER

Symbol

Beskrivning

Värde

Enhet

V CES

Kollektor-emitterspänning

1200

V

V GES

Gate-emitter spänning

±20

V

Jag C

Samlarström @ T C =25 o C @ T C =100 o C

1466

900

A

Jag CM

Pulsad samlarström t p =1 ms

1800

A

P D

Maximal effekt Dissipation @ T vj = 175 o C

5.34

kW

Symbol

Beskrivning

Värde

Enhet

V RRM

Upprepad topp omvänd volt ålder

1200

V

Jag F

Diod Kontinuerlig Framåt Cu rent

900

A

Jag FM

Diodens maximala framåtriktade ström t p =1 ms

1800

A

Symbol

Beskrivning

Värde

Enhet

T vjmax

Maximal temperatur vid korsningen

175

o C

T vjop

Användningstemperatur vid kryssningsstationen

-40 till +150

o C

T STG

Lagrings temperaturintervall

-40 till +125

o C

V ISO

Isoleringsspänning RMS,f=50Hz,t= 1 minut.

4000

V

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enhet

V CE (sat)

Samlare till emitterare Mätningsspänning

Jag C =900A,V Generella =15V, T vj =25 o C

2.00

2.45

V

Jag C =900A,V Generella =15V, T vj =125 o C

2.50

Jag C =900A,V Generella =15V, T vj = 150 o C

2.65

V Generella (th )

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

Jag C =32.0 mA ,V Ce = V Generella , T vj =25 o C

5.2

6.0

6.8

V

Jag CES

Samlar Avbrott -Avstängd Nuvarande

V Ce = V CES ,V Generella =0V, T vj =25 o C

1.0

mA

Jag GES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella = V GES ,V Ce =0V, T vj =25 o C

400

nA

R Gint

Inre portmotstånd förhandsbeskrivning

1.44

ω

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C =900A, R Gon =1Ω, R Goff =2Ω, Ls=50nH,

V Generella =-10/+15V, T vj =25 o C

520

n

t r

Uppgångstid

127

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

493

n

t f

Hösttid

72

n

E på

Tänd Växling Förlust

76.0

mJ

E avstängd

Avstängning Förlust

85.0

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C =900A, R Gon =1Ω, R Goff =2Ω, Ls=50nH,

V Generella =-10/+15V, T vj =125 o C

580

n

t r

Uppgångstid

168

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

644

n

t f

Hösttid

89

n

E på

Tänd Växling Förlust

127

mJ

E avstängd

Avstängning Förlust

98.5

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C =900A, R Gon =1Ω, R Goff =2Ω, Ls=50nH,

V Generella =-10/+15V, T vj = 150 o C

629

n

t r

Uppgångstid

176

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

676

n

t f

Hösttid

96

n

E på

Tänd Växling Förlust

134

mJ

E avstängd

Avstängning Förlust

99.0

mJ

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enhet

V F

Diod framåt Spänning

Jag F =900A,V Generella =0V,T vj =2 5o C

1.95

2.40

V

Jag F =900A,V Generella =0V,T vj =125 o C

2.00

Jag F =900A,V Generella =0V,T vj = 150 o C

2.05

Q r

Återkrävt avgift

V R =600V,I F =900A,

-di/dt=7100A/μs, Ls=50nH, V Generella =-10V,

T vj =25 o C

80

μC

Jag RM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

486

A

E rec

Omvänd återhämtning Energi

35.0

mJ

Q r

Återkrävt avgift

V R =600V,I F =900A,

-di/dt=5180A/μs, Ls=50nH, V Generella =-10V,

T vj =125 o C

153

μC

Jag RM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

510

A

E rec

Omvänd återhämtning Energi

64.0

mJ

Q r

Återkrävt avgift

V R =600V,I F =900A,

-di/dt=4990A/μs, Ls=50nH, V Generella =-10V,

T vj = 150 o C

158

μC

Jag RM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

513

A

E rec

Omvänd återhämtning Energi

74.0

mJ

Symbol

Parameter

Min.

Typ.

Max.

Enhet

L Ce

Strömavtryck

12

nH

R CC+EE

Modul blymotstånd Terminal till chip

0.19

mΩ

R tJC

Tvättpunkt -till -Housse (perIGBT ) Sammanslagning till förpackning (per Di) (s.d.)

28.1 44.1

K/kW

R thCH

Hylsa till värmesänk (per IGBT) Kapsling-till-kylfläns (pe r diod) Hylsa till värmesänk (per Modul)

9.82 15.4 6.0

K/kW

M

Terminalanslutningsmoment Skruv M4 Terminalanslutningsmoment Skruv M8 Monteringsmoment Skruv M6

1.8 8.0 4.25

2.1

10

5.75

N.M

G

Vikt av Modul

1050

g