Kort introduktion
IGBT-modul , producerad av StarPower. 1200V 900A.
Funktioner
- Låg VCE(sat) Trench IGBT-teknik
- 10 μs kortslutningsförmåga
- VCE(sat) med positiv temperaturkoefficient
- Maximal temperatur vid sammankopplingen 175oC
- Låg induktanshus
- Snabb och mjuk omvänd återhämtning anti-parallel FWD
- Isolerad kopparbasplatt med DBC-teknik
Typisk Tillämpningar
- Inverterare för motordrivning
- Förstärkare för AC- och DC-servoanström
- Oavbrutbar strömförsörjning
Absolut Maximal Betyg T C =25o C om inte i annat fall noterat
IGBT
Symbol |
Beskrivning |
Värde |
Enhet |
V CES |
Kollektor-emitterspänning |
1200 |
V |
V GES |
Gate-emitter spänning |
±20 |
V |
Jag C |
Samlarström @ T C =25o C
@ T C = 100o C
|
1410
900
|
A |
Jag CM |
Pulsad samlarström t p =1 ms |
1800 |
A |
P D |
Maximal effekt Dissipation @ T =175o C |
5000 |
W |
Diod
Symbol |
Beskrivning |
Värde |
Enhet |
V RRM |
Upprepad toppomvänd spänning |
1200 |
V |
Jag F |
Diod kontinuerlig framåtström hyra |
900 |
A |
Jag FM |
Diodens maximala framåtriktade ström t p =1 ms |
1800 |
A |
Modul
Symbol |
Beskrivning |
Värde |
Enhet |
T jmax |
Maximal temperatur vid korsningen |
175 |
o C |
T - Vad? |
Användningstemperatur vid kryssningsstationen |
-40 till +150 |
o C |
T STG |
Lagringstemperatur Räckvidd |
-40 till +125 |
o C |
V ISO |
Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t=1 min |
4000 |
V |
IGBT Egenskaper T C =25o C om inte i annat fall noterat
Symbol |
Parameter |
Testförhållanden |
Min. |
Typ. |
Max. |
Enhet |
|
V CE (sat)
|
Samlare till emitterare
Mätningsspänning
|
Jag C =900A,V Generella =15V, T j =25o C |
|
1.80 |
2.25 |
V
|
Jag C =900A,V Generella =15V, T j =125o C |
|
2.10 |
|
Jag C =900A,V Generella =15V, T j =150o C |
|
2.15 |
|
V Generella (th ) |
Gränssnitt för gate-emitterare Spänning |
Jag C =22.5mA ,V CE =V Generella , T j =25o C |
5.2 |
6.0 |
6.8 |
V |
Jag CES |
Samlar Avbrott -Avstängd
Nuvarande
|
V CE =V CES ,V Generella =0V,
T j =25o C
|
|
|
5.0 |
mA |
Jag GES |
Läckage i port-sändaren Nuvarande |
V Generella =V GES ,V CE =0V, T j =25o C |
|
|
400 |
nA |
R Gint |
Inre portmotstånd förhandsbeskrivning |
|
|
0.6 |
|
ω |
Q G |
Portavgift |
V Generella =- 15V…+15V |
|
7.40 |
|
μC |
t d (på ) |
Tidsfördröjning för på- |
V CC =600V,I C =900A,
R Gon = 1.5Ω,R Goff =0.9Ω, V Generella =±15V,T j =25o C
|
|
257 |
|
n |
t r |
Uppgångstid |
|
96 |
|
n |
t d (avstängd ) |
Avstängning Fördröjningstider |
|
628 |
|
n |
t f |
Hösttid |
|
103 |
|
n |
E på |
Tänd Växling
Förlust
|
|
43 |
|
mJ |
E avstängd |
Avstängning
Förlust
|
|
82 |
|
mJ |
t d (på ) |
Tidsfördröjning för på- |
V CC =600V,I C =900A,
R Gon = 1.5Ω,R Goff =0.9Ω,
V Generella =±15V,T j = 125o C
|
|
268 |
|
n |
t r |
Uppgångstid |
|
107 |
|
n |
t d (avstängd ) |
Avstängning Fördröjningstider |
|
659 |
|
n |
t f |
Hösttid |
|
144 |
|
n |
E på |
Tänd Växling
Förlust
|
|
59 |
|
mJ |
E avstängd |
Avstängning
Förlust
|
|
118 |
|
mJ |
t d (på ) |
Tidsfördröjning för på- |
V CC =600V,I C =900A,
R Gon = 1.5Ω,R Goff =0.9Ω,
V Generella =±15V,T j = 150o C
|
|
278 |
|
n |
t r |
Uppgångstid |
|
118 |
|
n |
t d (avstängd ) |
Avstängning Fördröjningstider |
|
680 |
|
n |
t f |
Hösttid |
|
155 |
|
n |
E på |
Tänd Växling
Förlust
|
|
64 |
|
mJ |
E avstängd |
Avstängning
Förlust
|
|
134 |
|
mJ |
|
Jag SC
|
SK-uppgifter
|
t P ≤ 10 μs, V Generella =15V,
T j =150o C,V CC =800V,
V CEM ≤1200V
|
|
3600
|
|
A
|
Diod Egenskaper T C =25o C om inte i annat fall noterat
Symbol |
Parameter |
Testförhållanden |
Min. |
Typ. |
Max. |
Enhet |
|
V F
|
Diod framåt
Spänning
|
Jag F =900A,V Generella =0V,T j =25o C |
|
1.71 |
2.16 |
V
|
Jag F =900A,V Generella =0V,T j = 125o C |
|
1.74 |
|
Jag F =900A,V Generella =0V,T j = 150o C |
|
1.75 |
|
Q r |
Återkrävt avgift |
V R =600V,I F =900A,
-di/dt=6000A/μs,V Generella =- 15V T j =25o C
|
|
76 |
|
μC |
Jag RM |
Höjdpunkt omvänd
Återställningsström
|
|
513 |
|
A |
E rec |
Omvänd återhämtning Energi |
|
38.0 |
|
mJ |
Q r |
Återkrävt avgift |
V R =600V,I F =900A,
-di/dt=6000A/μs,V Generella =- 15V T j = 125o C
|
|
143 |
|
μC |
Jag RM |
Höjdpunkt omvänd
Återställningsström
|
|
684 |
|
A |
E rec |
Omvänd återhämtning Energi |
|
71.3 |
|
mJ |
Q r |
Återkrävt avgift |
V R =600V,I F =900A,
-di/dt=6000A/μs,V Generella =- 15V T j = 150o C
|
|
171 |
|
μC |
Jag RM |
Höjdpunkt omvänd
Återställningsström
|
|
713 |
|
A |
E rec |
Omvänd återhämtning Energi |
|
80.8 |
|
mJ |
Modul Egenskaper T C =25o C om inte i annat fall noterat
Symbol |
Parameter |
Min. |
Typ. |
Max. |
Enhet |
L CE |
Strömavtryck |
|
|
20 |
nH |
R CC+EE |
Modul blymotstånd Terminal till chip |
|
0.18 |
|
mΩ |
R tJC |
Förbindelse till fall (per IGB) T)
Sammanslagning till fall (per D) jod)
|
|
|
0.030
0.052
|
K/W |
|
R thCH
|
Hylsa till värmesänk (per IGBT)
Högsta värmeeffekt (p) diod)
Hylsa till värmesänk (per Modul)
|
|
0.016
0.027
0.010
|
|
K/W |
M |
Terminalanslutningsmoment Skruv M6 Monteringsmoment Skruv M6 |
2.5
3.0
|
|
5.0
5.0
|
N.M |
G |
Vikt av Modul |
|
300 |
|
g |
EN
