GD600SGU120C2SD,IGBT Modul,STARPOWER

Symbol

Beskrivning

Värde

Enhet

V CES

Kollektor-emitterspänning

1200

V

V GES

Gate-emitter spänning

±20

V

Jag C

Samlarström @ T C =25o C @ T C =70o C

857

600

A

Jag CM

Pulsad samlarström t p =1 ms

1200

A

P D

Maximal effekt Dissipation @ T vj =150o C

4310

W

Symbol

Beskrivning

Värde

Enhet

V RRM

Upprepad topp omvänd volt ålder

1200

V

Jag F

Diod Kontinuerlig Framåt Cu rent

600

A

Jag FM

Diodens maximala framåtriktade ström t p =1 ms

1200

A

Symbol

Beskrivning

Värde

Enhet

T vjmax

Maximal temperatur vid korsningen

150

o C

T vjop

Användningstemperatur vid kryssningsstationen

-40 till +125

o C

T STG

Lagrings temperaturintervall

-40 till +125

o C

V ISO

Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enhet

V CE (sat)

Samlare till emitterare Mätningsspänning

Jag C = 600 A, V Generella =15V, T vj =25o C

3.00

3.45

V

Jag C = 600 A, V Generella =15V, T vj =125o C

3.80

V Generella (th )

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

Jag C =12mA ,V CE =V Generella , T vj =25o C

4.8

5.8

6.8

V

Jag CES

Samlar Avbrott -Avstängd Nuvarande

V CE =V CES ,V Generella =0V, T vj =25o C

5.0

mA

Jag GES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

R Gint

Inre portmotstånd förhandsbeskrivning

0.31

ω

C ies

Inmatningskapacitet

V CE =25V, f=1MHz, V Generella =0V

43.6

nF

C res

Omvänd överföring Kapacitet

2.72

nF

Q G

Portavgift

V Generella =-15V…+15V

8.32

μC

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C = 600A, R G =1.5Ω, V Generella =± 15 V, Lärare =50nH ,T vj =25o C

317

n

t r

Uppgångstid

76

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

548

n

t f

Hösttid

55

n

E på

Tänd Växling Förlust

20.2

mJ

E avstängd

Avstängning Förlust

34.2

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C = 600A, R G =1.5Ω, V Generella =± 15 V, Lärare =50nH ,T vj =125o C

325

n

t r

Uppgångstid

79

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

595

n

t f

Hösttid

59

n

E på

Tänd Växling Förlust

27.2

mJ

E avstängd

Avstängning Förlust

38.4

mJ

Jag SC

SK-uppgifter

t P ≤10μs, V Generella =15V,

T vj =125o C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

3000

A

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enhet

V F

Diod framåt Spänning

Jag F = 600 A, V Generella =0V,T vj =25o C

1.85

2.30

V

Jag F = 600 A, V Generella =0V,T vj =125o C

1.90

Q r

Återkrävt avgift

V R =600V,I F = 600A,

-di/dt=7745A/μs,V Generella = 15 V, Lärare =50nH ,T vj =25o C

58.0

μC

Jag RM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

489

A

E rec

Omvänd återhämtning Energi

28.1

mJ

Q r

Återkrävt avgift

V R =600V,I F = 600A,

-di/dt=7355A/μs,V Generella = 15 V, Lärare =50nH ,T vj =25o C

100

μC

Jag RM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

563

A

E rec

Omvänd återhämtning Energi

48.2

mJ

Symbol

Parameter

Min.

Typ.

Max.

Enhet

L CE

Strömavtryck

20

nH

R CC+EE

Modul blymotstånd Terminal till chip

0.35

mΩ

R tJC

Tvättpunkt -till -Case (perIGBT ) Sammanslagning till förpackning (per Di) (s.d.)

0.029 0.069

K/W

R thCH

Hylsa till värmesänk (per IGBT) Kapsling-till-kylfläns (pe r diod) Kapsling-till-kylfläns (per M odul)

0.014 0.034 0.010

K/W

M

Terminalanslutningsmoment Skruv M6 Monteringsmoment Skruv M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

G

Vikt av Modul

300

g