GD600SGU120C2SD,IGBT Modul,STARPOWER

Symbol

BESKRIVNING

Värde

ENHET

V CES

Kollektor-emitterspänning

1200

V

V GES

Gate-emitter spänning

±20

V

IC

Samlarström @ T C=25o C@ T C=70o C

857

600

A

ICm

Pulsad samlarström t p =1 ms

1200

A

PD

Maximal effekt Dissipation @ T vj =150o C

4310

W

Symbol

BESKRIVNING

Värde

ENHET

V RRM

Upprepad topp omvänd volt ålder

1200

V

IF

Diod Kontinuerlig Framåt Cu rent

600

A

IFM

Diodens maximala framåtriktade ström t p =1 ms

1200

A

Symbol

BESKRIVNING

Värde

ENHET

T vjmax

Maximal temperatur vid korsningen

150

o C

T vjop

Användningstemperatur vid kryssningsstationen

-40 till +125

o C

T STG

Lagrings temperaturintervall

-40 till +125

o C

V ISO

Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

ENHET

V CE (sat)

Samlare till emitterare Mätningsspänning

IC= 600 A, V Generella =15V, T vj =25o C

3.00

3.45

V

IC= 600 A, V Generella =15V, T vj =125o C

3.80

V Generella (th)

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

IC=12mA ,V CE =V Generella , T vj =25o C

4.8

5.8

6.8

V

ICES

Samlar Avbrott -Avstängd Nuvarande

V CE =V CES ,V Generella =0V, T vj =25o C

5.0

mA

IGES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

R Gint

Inre portmotstånd förhandsbeskrivning

0.31

ω

Cies

Inmatningskapacitet

V CE =25V, f=1MHz, V Generella =0V

43.6

nF

Cres

Omvänd överföring Kapacitet

2.72

nF

QG

Portavgift

V Generella =-15V…+15V

8.32

μC

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C= 600A, R G=1.5Ω, V Generella =± 15 V, Lärare =50nH ,T vj =25o C

317

n

t r

Uppgångstid

76

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

548

n

t f

Hösttid

55

n

Epå

Tänd Växling Förlust

20.2

mJ

Eavstängd

Avstängning Förlust

34.2

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C= 600A, R G=1.5Ω, V Generella =± 15 V, Lärare =50nH ,T vj =125o C

325

n

t r

Uppgångstid

79

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

595

n

t f

Hösttid

59

n

Epå

Tänd Växling Förlust

27.2

mJ

Eavstängd

Avstängning Förlust

38.4

mJ

ISC

SK-uppgifter

t P≤10μs, V Generella =15V,

T vj =125o C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

3000

A

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

ENHET

V F

Diod framåt Spänning

IF = 600 A, V Generella =0V,T vj =25o C

1.85

2.30

V

IF = 600 A, V Generella =0V,T vj =125o C

1.90

Qr

Återkrävt avgift

V R =600V,I F = 600A,

-di/dt=7745A/μs,V Generella = 15 V, Lärare =50nH ,T vj =25o C

58.0

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

489

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

28.1

mJ

Qr

Återkrävt avgift

V R =600V,I F = 600A,

-di/dt=7355A/μs,V Generella = 15 V, Lärare =50nH ,T vj =25o C

100

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

563

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

48.2

mJ

Symbol

Parameter

Min.

Typ.

Max.

ENHET

LCE

Strömavtryck

20

nH

R CC+EE

Modul blymotstånd Terminal till chip

0.35

mΩ

R tJC

Tvättpunkt -till -Fall (perIGBT ) Sammanslagning till förpackning (per Di) (s.d.)

0.029 0.069

K/W

R thCH

Hylsa till värmesänk (per IGBT) Kapsling-till-kylfläns (pe r diod) Kapsling-till-kylfläns (per M odul)

0.014 0.034 0.010

K/W

M

Terminalanslutningsmoment Skruv M6 Monteringsmoment Skruv M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

G

Vikt av Modul

300

g