GD400SGU120C2SD, IGBT-modul, STARPOWER

Kort introduktion

IGBT-modul ,producerad av STARPOWER . 1200V 400A.

Funktioner

Typiska Tillämpningar

Absolut Maximal Betyg T F =25 o C om inte i annat fall noterat

IGBT

Symbol	Beskrivning	Värde	Enhet
V CES	Kollektor-emitterspänning	1200	V
V GES	Gate-emitter spänning	±20	V
Jag C	Samlarström @ T C =25 o C @ T C =65 o C	542 400	A
Jag CM	Pulsad samlarström t p =1 ms	800	A
P D	Maximal effekt Dissipation @ T vj = 150 o C	2840	W

Diod

Symbol	Beskrivning	Värde	Enhet
V RRM	Upprepad topp omvänd volt ålder	1200	V
Jag F	Diod Kontinuerlig Framåt Cu rent	400	A
Jag FM	Diodens maximala framåtriktade ström t p =1 ms	800	A

Modul

Symbol	Beskrivning	Värde	Enhet
T vjmax	Maximal temperatur vid korsningen	150	o C
T vjop	Användningstemperatur vid kryssningsstationen	-40 till +125	o C
T STG	Lagrings temperaturintervall	-40 till +125	o C
V ISO	Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t =1min	2500	V

IGBT Egenskaper T C =25 o C om inte i annat fall noterat

Symbol	Parameter	Testförhållanden	Min.	Typ.	Max.	Enhet
V CE (sat)	Samlare till emitterare Mätningsspänning	Jag C = 400 A,V Generella =15V, T vj =25 o C		3.10	3.55	V
V CE (sat)	Samlare till emitterare Mätningsspänning	Jag C = 400 A,V Generella =15V, T vj =125 o C		3.95		V
V Generella (th )	Gränssnitt för gate-emitterare Spänning	Jag C =16 mA ,V Ce = V Generella , T vj =25 o C	4.9	5.9	6.9	V
Jag CES	Samlar Avbrott -Avstängd Nuvarande	V Ce = V CES ,V Generella =0V, T vj =25 o C			5.0	mA
Jag GES	Läckage i port-sändaren Nuvarande	V Generella = V GES ,V Ce =0V, T vj =25 o C			400	nA
R Gint	Inre portmotstånd förhandsbeskrivning			0.63		ω
C ies	Inmatningskapacitet	V Ce =25V, f=1MHz, V Generella =0V		27.0		nF
C res	Omvänd överföring Kapacitet	V Ce =25V, f=1MHz, V Generella =0V		1.64		nF
Q G	Portavgift	V Generella =-15V…+15V		4.32		μC
t d (på )	Tidsfördröjning för på-	V CC =600V,I C = 400A, R G =2.2Ω, V Generella =± 15 V, Lärare =50 nH ,T vj =25 o C		275		n
t r	Uppgångstid			68		n
t d(off)	Avstängning Fördröjningstider			455		n
t f	Hösttid			45		n
E på	Tänd Växling Förlust			26.0		mJ
E avstängd	Avstängning Förlust			16.2		mJ
t d (på )	Tidsfördröjning för på-	V CC =600V,I C = 400A, R G =2.2Ω, V Generella =± 15 V, Lärare =50 nH ,T vj =125 o C		281		n
t r	Uppgångstid			69		n
t d(off)	Avstängning Fördröjningstider			495		n
t f	Hösttid			57		n
E på	Tänd Växling Förlust			32.9		mJ
E avstängd	Avstängning Förlust			19.9		mJ
Jag SC	SK-uppgifter	t P ≤10μs, V Generella =15V, T vj =125 o C,V CC =800V, V CEM ≤1200V		2700		A

Diod Egenskaper T C =25 o C om inte i annat fall noterat

Symbol	Parameter	Testförhållanden	Min.	Typ.	Max.	Enhet
V F	Diod framåt Spänning	Jag F = 400 A,V Generella =0V,T vj =2 5o C		1.85	2.30	V
V F	Diod framåt Spänning	Jag F = 400 A,V Generella =0V,T vj =125 o C		1.90		V
Q r	Återkrävt avgift	V R =600V,I F = 400A, -di/dt=5666A/μs,V Generella = 15 V, Lärare =50 nH ,T vj =25 o C		42.0		μC
Jag RM	Höjdpunkt omvänd Återställningsström			329		A
E rec	Omvänd återhämtning Energi			16.2		mJ
Q r	Återkrävt avgift	V R =600V,I F = 400A, -di/dt=5534A/μs,V Generella = 15 V, Lärare =50 nH ,T vj =125 o C		71.9		μC
Jag RM	Höjdpunkt omvänd Återställningsström			382		A
E rec	Omvänd återhämtning Energi			30.0		mJ

Modul Egenskaper T C =25 o C om inte i annat fall noterat

Symbol	Parameter	Min.	Typ.	Max.	Enhet
L Ce	Strömavtryck			20	nH
R CC+EE	Modul blymotstånd Terminal till chip		0.35		mΩ
R tJC	Tvättpunkt -till -Housse (perIGBT ) Sammanslagning till förpackning (per Di) (s.d.)			0.044 0.107	K/W
R thCH	Hylsa till värmesänk (per IGBT) Kapsling-till-kylfläns (pe r diod) Kapsling-till-kylfläns (per M odul)		0.014 0.034 0.010		K/W
M	Terminalanslutningsmoment Skruv M6 Monteringsmoment Skruv M6	2.5 3.0		5.0 5.0	N.M
G	Vikt av Modul		300		g