GD400SGU120C2SD,IGBT-modul,STARPOWER

Symbol

Beskrivning

Värde

Enhet

V CES

Kollektor-emitterspänning

1200

V

V GES

Gate-emitter spänning

±20

V

Jag C

Samlarström @ T C =25 o C @ T C =65 o C

542

400

A

Jag CM

Pulsad samlarström t p =1 ms

800

A

P D

Maximal effekt Dissipation @ T vj = 150 o C

2840

W

Symbol

Beskrivning

Värde

Enhet

V RRM

Upprepad topp omvänd volt ålder

1200

V

Jag F

Diod Kontinuerlig Framåt Cu rent

400

A

Jag FM

Diodens maximala framåtriktade ström t p =1 ms

800

A

Symbol

Beskrivning

Värde

Enhet

T vjmax

Maximal temperatur vid korsningen

150

o C

T vjop

Användningstemperatur vid kryssningsstationen

-40 till +125

o C

T STG

Lagrings temperaturintervall

-40 till +125

o C

V ISO

Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enhet

V CE (sat)

Samlare till emitterare Mätningsspänning

Jag C = 400 A,V Generella =15V, T vj =25 o C

3.10

3.55

V

Jag C = 400 A,V Generella =15V, T vj =125 o C

3.95

V Generella (th )

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

Jag C =16 mA ,V Ce = V Generella , T vj =25 o C

4.9

5.9

6.9

V

Jag CES

Samlar Avbrott -Avstängd Nuvarande

V Ce = V CES ,V Generella =0V, T vj =25 o C

5.0

mA

Jag GES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella = V GES ,V Ce =0V, T vj =25 o C

400

nA

R Gint

Inre portmotstånd förhandsbeskrivning

0.63

ω

C ies

Inmatningskapacitet

V Ce =25V, f=1MHz, V Generella =0V

27.0

nF

C res

Omvänd överföring Kapacitet

1.64

nF

Q G

Portavgift

V Generella =-15V…+15V

4.32

μC

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C = 400A, R G =2.2Ω, V Generella =± 15 V, Lärare =50 nH ,T vj =25 o C

275

n

t r

Uppgångstid

68

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

455

n

t f

Hösttid

45

n

E på

Tänd Växling Förlust

26.0

mJ

E avstängd

Avstängning Förlust

16.2

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C = 400A, R G =2.2Ω, V Generella =± 15 V, Lärare =50 nH ,T vj =125 o C

281

n

t r

Uppgångstid

69

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

495

n

t f

Hösttid

57

n

E på

Tänd Växling Förlust

32.9

mJ

E avstängd

Avstängning Förlust

19.9

mJ

Jag SC

SK-uppgifter

t P ≤10μs, V Generella =15V,

T vj =125 o C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

2700

A

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enhet

V F

Diod framåt Spänning

Jag F = 400 A,V Generella =0V,T vj =2 5o C

1.85

2.30

V

Jag F = 400 A,V Generella =0V,T vj =125 o C

1.90

Q r

Återkrävt avgift

V R =600V,I F = 400A,

-di/dt=5666A/μs,V Generella = 15 V, Lärare =50 nH ,T vj =25 o C

42.0

μC

Jag RM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

329

A

E rec

Omvänd återhämtning Energi

16.2

mJ

Q r

Återkrävt avgift

V R =600V,I F = 400A,

-di/dt=5534A/μs,V Generella = 15 V, Lärare =50 nH ,T vj =125 o C

71.9

μC

Jag RM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

382

A

E rec

Omvänd återhämtning Energi

30.0

mJ

Symbol

Parameter

Min.

Typ.

Max.

Enhet

L Ce

Strömavtryck

20

nH

R CC+EE

Modul blymotstånd Terminal till chip

0.35

mΩ

R tJC

Tvättpunkt -till -Fall (perIGBT ) Sammanslagning till förpackning (per Di) (s.d.)

0.044 0.107

K/W

R thCH

Hylsa till värmesänk (per IGBT) Kapsling-till-kylfläns (pe r diod) Kapsling-till-kylfläns (per M odul)

0.014 0.034 0.010

K/W

M

Terminalanslutningsmoment Skruv M6 Monteringsmoment Skruv M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

G

Vikt av Modul

300

g