GD720HTA120P6HT,IGBT Modul,STARPOWER

Symbol

Beskrivning

Värden

Enhet

V CES

Kollektor-emitterspänning

1200

V

V GES

Gate-emitter spänning

±20

V

Jag CN

Implementerad samlare Cu rent

720

A

Jag C

Samlarström @ T F =65 o C

600

A

Jag CM

Pulsad samlarström t p =1 ms

1440

A

P D

Maximal effektförlust ation @ T F =75 o C T vj = 175 o C

1204

W

Symbol

Beskrivning

Värden

Enhet

V RRM

Upprepad topp omvänd spänning generella

1200

V

Jag FN

Implementerad samlare Cu rent

720

A

Jag F

Diod Kontinuerlig Framåt Cu rent

600

A

Jag FM

Diodens maximala framåtriktade ström t p =1 ms

1440

A

Symbol

Beskrivning

Värde

Enhet

T vjmax

Maximal temperatur vid korsningen

175

o C

T vjop

Operativ kryssnings temperatur kontinuerlig

För 10s inom en period av 30s, förekomst maximalt 3000 gånger under livslängd jag

-40 till +150 +150 till +175

o C

T STG

Lagrings temperaturintervall

-40 till +125

o C

V ISO

Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t=1 min

3000

V

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enhet

V CE (sat)

Samlare till emitterare Mätningsspänning

Jag C = 600 A, V Generella =15V, T vj =25 o C

1.50

V

Jag C = 600 A, V Generella =15V, T vj = 150 o C

1.80

Jag C = 600 A, V Generella =15V, T vj = 175 o C

1.85

Jag C =720A,V Generella =15V, T vj =25 o C

1.60

Jag C =720A,V Generella =15V, T vj = 175 o C

2.05

V Generella (th )

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

Jag C = 15,6 mA ,V Ce = V Generella , T vj =25 o C

6.0

V

Jag CES

Samlar Avbrott -Avstängd Nuvarande

V Ce = V CES ,V Generella =0V, T vj =25 o C

1.0

mA

Jag GES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella = V GES ,V Ce =0V, T vj =25 o C

400

nA

R Gint

Inre portmotstånd

1.67

ω

C ies

Inmatningskapacitet

V Ce =25V, f=100kHz, V Generella =0V

48.7

nF

C övriga

Utgångskapacitet

1.55

nF

C res

Omvänd överföring Kapacitet

0.26

nF

Q G

Portavgift

V Ce =800V,I C =600A, V Generella =-8...+15V

3.52

μC

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =800V,I C = 600A,

R Gon =3.0Ω, R Goff =1,0Ω, L S =24nH,

V Generella =-8V/+15V, T vj =25 o C

208

n

t r

Uppgångstid

65

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

505

n

t f

Hösttid

104

n

E på

Tänd Växling Förlust

77.7

mJ

E avstängd

Avstängning Förlust

62.2

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =800V,I C = 600A,

R Gon =3.0Ω, R Goff =1,0Ω, L S =24nH,

V Generella =-8V/+15V, T vj = 150 o C

225

n

t r

Uppgångstid

75

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

567

n

t f

Hösttid

191

n

E på

Tänd Växling Förlust

110

mJ

E avstängd

Avstängning Förlust

83.4

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =800V,I C = 600A,

R Gon =3.0Ω, R Goff =1,0Ω, L S =24nH,

V Generella =-8V/+15V, T vj = 175 o C

226

n

t r

Uppgångstid

77

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

583

n

t f

Hösttid

203

n

E på

Tänd Växling Förlust

118

mJ

E avstängd

Avstängning Förlust

85.9

mJ

Jag SC

SK-uppgifter

t P ≤4μs, V Generella =15V,

T vj = 175 o C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

2600

A

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enhet

V F

Diod framåt Spänning

Jag F = 600 A, V Generella =0V,T vj =2 5o C

1.95

V

Jag F = 600 A, V Generella =0V,T vj = 150 o C

1.95

Jag F = 600 A, V Generella =0V,T vj = 175 o C

1.90

Jag F =720A,V Generella =0V,T vj =2 5o C

2.05

Jag F =720A,V Generella =0V,T vj = 175 o C

2.05

Q r

Återkrävt avgift

V R =800V,I F = 600A,

-di/dt=8281A/μs, L S =24n H, V Generella = 8 V, T vj =25 o C

44.3

μC

Jag RM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

346

A

E rec

Omvänd återhämtning Energi

16.2

mJ

Q r

Återkrävt avgift

V R =800V,I F = 600A,

-di/dt=6954A/μs, L S =24n H, V Generella = 8 V, T vj = 150 o C

73.4

μC

Jag RM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

385

A

E rec

Omvänd återhämtning Energi

27.8

mJ

Q r

Återkrävt avgift

V R =800V,I F = 600A,

-di/dt=6679A/μs, L S =24n H, V Generella = 8 V, T vj = 175 o C

80.7

μC

Jag RM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

392

A

E rec

Omvänd återhämtning Energi

30.7

mJ

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enhet

R 25

Nominellt motstånd

5.0

kΩ

∆R/R

Avvikelse av R 100

T C =100 o C ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Ström

Dissipation

20.0

mW

B 25/50

B-värde

R 2=R 25exp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-värde

R 2=R 25exp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-värde

R 2=R 25exp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Symbol

Parameter

Min.

Typ.

Max.

Enhet

L Ce

Strömavtryck

8

nH

R CC+EE

Modul blymotstånd Terminal till chip

0.75

mΩ

p

Maximal tryck i kylcirkulationen svamp

T basplatta <40 o C

T basplatta >40 o C

(relativ tryck)

2.5 2.0

bar

R thJF

Tvättpunkt -till -Kylning Vätska (perIGBT )Junction-till-kylvätska (per Di (s.d.) △ V/ △ t=10.0 dm 3/min ,T F =75 o C

0.072 0.104

0.083 0.120

K/W

M

Terminalanslutningsmoment Skruv M5 Monteringsmoment Skruv M4

3.6 1.8

4.4 2.2

N.M

G

Vikt av Modul

750

g