Alla kategorier
Få ett citat

Få ett kostnadsfritt offertförslag

Vår representant kommer att kontakta dig inom kort.
E-post
Namn
Företagsnamn
Meddelande
0/1000

IGBT-modul 1200V

IGBT-modul 1200V

Startsida/Produkter/IGBT-modul/IGBT-modul 1200V

GD300HFX120C6SA, IGBT-modul, STARPOWER

IGBT-modul, 1200V 300A, Förpackning: C6.1

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD300HFX120C6SA
  • Introduktion
  • Översikt
  • Ekvivalent krets schema
Introduktion

Kort introduktion

IGBT-modul ,producerad av STARPOWER .1200V 300A.

Egenskaper

Låg V CE (sat) Trench IGB T-teknik

10 μs kortslutning kapacitet

V CE (satt ) med positiv temperatur koefficient

Maximal sammanslagningstemperatur 175o C

Låg induktanshus

Snabb och mjuk omvänd återhämtning fWD mot parallell

Isolerad kopparbottenpl at med DBC-teknik

Vanliga användningsområden

Inverterare för motordrivning

AC- och DC-servo drivning förstärka r

Oavbruten strömförsörjning

Absolut Maximal Betyg T F =25o C om inte i annat fall noterat

IGBT

Symbol

BESKRIVNING

Värde

ENHET

V CES

Kollektor-emitterspänning

1200

V

V GES

Gate-emitter spänning

±20

V

IC

Samlarström @ T C=25o C @ T C=100o C

496

300

A

ICm

Pulsad samlarström t p =1 ms

600

A

PD

Maximal effekt Dissipation @ T j =175o C

1685

W

Diod

Symbol

BESKRIVNING

Värde

ENHET

V RRM

Upprepad topp omvänd volt ålder

1200

V

IF

Diod Kontinuerlig Framåt Cu rent

300

A

IFM

Diodens maximala framåtriktade ström t p =1 ms

600

A

Modul

Symbol

BESKRIVNING

Värde

ENHET

T jmax

Maximal temperatur vid korsningen

175

o C

T - Vad?

Användningstemperatur vid kryssningsstationen

-40 till +150

o C

T STG

Lagrings temperaturintervall

-40 till +125

o C

V ISO

Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

IGBT Egenskaper T C=25o C om inte i annat fall noterat

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

ENHET

V CE (sat)

Samlare till emitterare Mätningsspänning

IC=300A,V Generella =15V, T j =25o C

1.70

2.15

V

IC=300A,V Generella =15V, T j =125o C

1.95

IC=300A,V Generella =15V, T j =150o C

2.00

V Generella (th)

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

IC=12.0mA ,V CE =V Generella , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Samlar Avbrott -Avstängd Nuvarande

V CE =V CES ,V Generella =0V, T j =25o C

1.0

mA

IGES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Inre portmotstånd förhandsbeskrivning

2.5

ω

Cies

Inmatningskapacitet

V CE =25V, f=1MHz, V Generella =0V

31.1

nF

Cres

Omvänd överföring Kapacitet

0.87

nF

QG

Portavgift

V Generella =-15 ...+15V

2.33

μC

t d ()

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C=300A, R G= 1,5Ω,V Generella =± 15 V, T j =25o C

313

n

t r

Uppgångstid

57

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

464

n

t f

Hösttid

206

n

E

Tänd Växling Förlust

9.97

mJ

Eavstängd

Avstängning Förlust

28.6

mJ

t d ()

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C=300A, R G= 1,5Ω,V Generella =± 15 V, T j =125o C

336

n

t r

Uppgångstid

66

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

528

n

t f

Hösttid

299

n

E

Tänd Växling Förlust

21.1

mJ

Eavstängd

Avstängning Förlust

36.6

mJ

t d ()

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C=300A, R G= 1,5Ω,V Generella =± 15 V, T j =150o C

345

n

t r

Uppgångstid

68

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

539

n

t f

Hösttid

309

n

E

Tänd Växling Förlust

25.6

mJ

Eavstängd

Avstängning Förlust

37.8

mJ

ISC

SK-uppgifter

t P≤10μs, V Generella =15V,

T j =150o C,V CC = 900 V, V CEM ≤1200V

1200

A

Diod Egenskaper T C=25o C om inte i annat fall noterat

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enheter

V F

Diod framåt Spänning

IF =300A,V Generella =0V,T j =25o C

1.85

2.30

V

IF =300A,V Generella =0V,T j =125o C

1.90

IF =300A,V Generella =0V,T j =150o C

1.95

Qr

Återkrävt avgift

V CC =600V,I F =300A,

-di/dt=6950A/μs,V Generella = 15 V, T j =25o C

10.8

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

272

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

9.53

mJ

Qr

Återkrävt avgift

V CC =600V,I F =300A,

-di/dt=6090A/μs,V Generella = 15 V, T j =125o C

24.2

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

276

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

18.4

mJ

Qr

Återkrävt avgift

V CC =600V,I F =300A,

-di/dt=5440A/μs,V Generella = 15 V, T j =150o C

33.6

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

278

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

20.6

mJ

NTC Egenskaper T C=25o C om inte i annat fall noterat

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

ENHET

R 25

Nominellt motstånd

5.0

∆R/R

Avvikelse av R 100

T C=100 o C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P25

Ström

Dissipation

20.0

mW

B 25/50

B-värde

R 2=R 25exp [B 25/50(1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-värde

R 2=R 25exp [B 25/80(1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-värde

R 2=R 25exp [B 25/100(1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Modul Egenskaper T C=25o C om inte i annat fall noterat

Symbol

Parameter

Min.

Typ.

Max.

ENHET

LCE

Strömavtryck

20

nH

R CC+EE

Modul blymotstånd Terminal till chip

1.10

R tJC

Tvättpunkt -till -Fall (perIGBT ) Sammanslagning till fall (per D) jod)

0.089 0.150

K/W

R thCH

Fall -till -Värmesänkande (perIGBT ) Hylsa till värmesänk (per diod) Hylsa till värmesänk (per Modul)

0.029 0.048 0.009

K/W

M

Terminalanslutningsmoment Skruv M6 Monteringsmoment Skruv M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.M

G

Vikt av Modul

350

g

Översikt

Ekvivalent krets schema

Få ett kostnadsfritt offertförslag

Vår representant kommer att kontakta dig inom kort.
E-post
Namn
Företagsnamn
Meddelande
0/1000

Relaterad produkt

Har du frågor om några produkter?

Vårt professionella försäljningsteam väntar på dina frågor.
Du kan följa deras produktlista och ställa frågor om vad du bryr dig om.

Få ett citat

Få ett kostnadsfritt offertförslag

Vår representant kommer att kontakta dig inom kort.
E-post
Namn
Företagsnamn
Meddelande
0/1000

Få ett kostnadsfritt offertförslag

Vår representant kommer att kontakta dig inom kort.
E-post
Namn
Företagsnamn
Meddelande
0/1000