GD300HFX120C6SA, IGBT-modul, STARPOWER

Introduktion

Kort introduktion

IGBT-modul ,producerad av STARPOWER . 1200V 300A.

Funktioner

Låg V CE (sat) Trench IGB T-teknik

10 μs kortslutning kapacitet

V Ce (satt ) med positiv temperatur koefficient

Maximal sammanslagningstemperatur 175o C

Låg induktanshus

Snabb och mjuk omvänd återhämtning fWD mot parallell

Isolerad kopparbottenpl at med DBC-teknik

Typiska Tillämpningar

Inverterare för motordrivning

AC- och DC-servo drivkraft förstärka r

Oavbruten strömförsörjning

Absolut Maximal Betyg T F =25 o C om inte i annat fall noterat

IGBT

Symbol	Beskrivning	Värde	Enhet
V CES	Kollektor-emitterspänning	1200	V
V GES	Gate-emitter spänning	±20	V
Jag C	Samlarström @ T C =25 o C @ T C =100 o C	496 300	A
Jag CM	Pulsad samlarström t p =1 ms	600	A
P D	Maximal effekt Dissipation @ T j = 175 o C	1685	W

Diod

Symbol	Beskrivning	Värde	Enhet
V RRM	Upprepad topp omvänd volt ålder	1200	V
Jag F	Diod Kontinuerlig Framåt Cu rent	300	A
Jag FM	Diodens maximala framåtriktade ström t p =1 ms	600	A

Modul

Symbol	Beskrivning	Värde	Enhet
T jmax	Maximal temperatur vid korsningen	175	o C
T - Vad?	Användningstemperatur vid kryssningsstationen	-40 till +150	o C
T STG	Lagrings temperaturintervall	-40 till +125	o C
V ISO	Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t =1min	2500	V

IGBT Egenskaper T C =25 o C om inte i annat fall noterat

Symbol	Parameter	Testförhållanden	Min.	Typ.	Max.	Enhet
V CE (sat)	Samlare till emitterare Mätningsspänning	Jag C =300A,V Generella =15V, T j =25 o C		1.70	2.15	V
		Jag C =300A,V Generella =15V, T j =125 o C		1.95
		Jag C =300A,V Generella =15V, T j = 150 o C		2.00
V Generella (th )	Gränssnitt för gate-emitterare Spänning	Jag C =12.0 mA ,V Ce = V Generella , T j =25 o C	5.6	6.2	6.8	V
Jag CES	Samlar Avbrott -Avstängd Nuvarande	V Ce = V CES ,V Generella =0V, T j =25 o C			1.0	mA
Jag GES	Läckage i port-sändaren Nuvarande	V Generella = V GES ,V Ce =0V, T j =25 o C			400	nA
R Gint	Inre portmotstånd förhandsbeskrivning			2.5		ω
C ies	Inmatningskapacitet	V Ce =25V, f=1MHz, V Generella =0V		31.1		nF
C res	Omvänd överföring Kapacitet	V Ce =25V, f=1MHz, V Generella =0V		0.87		nF
Q G	Portavgift	V Generella =-15 ...+15V		2.33		μC
t d (på )	Tidsfördröjning för på-	V CC =600V,I C =300A, R G = 1,5Ω,V Generella =± 15 V, T j =25 o C		313		n
t r	Uppgångstid			57		n
t d(off)	Avstängning Fördröjningstider			464		n
t f	Hösttid			206		n
E på	Tänd Växling Förlust			9.97		mJ
E avstängd	Avstängning Förlust			28.6		mJ
t d (på )	Tidsfördröjning för på-	V CC =600V,I C =300A, R G = 1,5Ω,V Generella =± 15 V, T j =125 o C		336		n
t r	Uppgångstid			66		n
t d(off)	Avstängning Fördröjningstider			528		n
t f	Hösttid			299		n
E på	Tänd Växling Förlust			21.1		mJ
E avstängd	Avstängning Förlust			36.6		mJ
t d (på )	Tidsfördröjning för på-	V CC =600V,I C =300A, R G = 1,5Ω,V Generella =± 15 V, T j = 150 o C		345		n
t r	Uppgångstid			68		n
t d(off)	Avstängning Fördröjningstider			539		n
t f	Hösttid			309		n
E på	Tänd Växling Förlust			25.6		mJ
E avstängd	Avstängning Förlust			37.8		mJ
Jag SC	SK-uppgifter	t P ≤10μs, V Generella =15V, T j = 150 o C,V CC = 900 V, V CEM ≤1200V		1200		A

Diod Egenskaper T C =25 o C om inte i annat fall noterat

Symbol	Parameter	Testförhållanden	Min.	Typ.	Max.	Enheter
V F	Diod framåt Spänning	Jag F =300A,V Generella =0V,T j =25 o C		1.85	2.30	V
		Jag F =300A,V Generella =0V,T j =1 25o C		1.90
		Jag F =300A,V Generella =0V,T j =1 50o C		1.95
Q r	Återkrävt avgift	V CC =600V,I F =300A, -di/dt=6950A/μs,V Generella = 15 V, T j =25 o C		10.8		μC
Jag RM	Höjdpunkt omvänd Återställningsström			272		A
E rec	Omvänd återhämtning Energi			9.53		mJ
Q r	Återkrävt avgift	V CC =600V,I F =300A, -di/dt=6090A/μs,V Generella = 15 V, T j =125 o C		24.2		μC
Jag RM	Höjdpunkt omvänd Återställningsström			276		A
E rec	Omvänd återhämtning Energi			18.4		mJ
Q r	Återkrävt avgift	V CC =600V,I F =300A, -di/dt=5440A/μs,V Generella = 15 V, T j = 150 o C		33.6		μC
Jag RM	Höjdpunkt omvänd Återställningsström			278		A
E rec	Omvänd återhämtning Energi			20.6		mJ

NTC Egenskaper T C =25 o C om inte i annat fall noterat

Symbol	Parameter	Testförhållanden	Min.	Typ.	Max.	Enhet
R 25	Nominellt motstånd			5.0		kΩ
∆R/R	Avvikelse av R 100	T C =100 o C ,R 100=493.3Ω	-5		5	%
P 25	Ström Dissipation				20.0	mW
B 25/50	B-värde	R 2=R 25exp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3375		K
B 25/80	B-värde	R 2=R 25exp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3411		K
B 25/100	B-värde	R 2=R 25exp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3433		K

Modul Egenskaper T C =25 o C om inte i annat fall noterat

Symbol	Parameter	Min.	Typ.	Max.	Enhet
L Ce	Strömavtryck		20		nH
R CC+EE	Modul blymotstånd Terminal till chip		1.10		mΩ
R tJC	Tvättpunkt -till -Housse (perIGBT ) Sammanslagning till fall (per D) jod)			0.089 0.150	K/W
R thCH	Housse -till -Värmesänkande (perIGBT ) Hylsa till värmesänk (per diod) Hylsa till värmesänk (per Modul)		0.029 0.048 0.009		K/W
M	Terminalanslutningsmoment Skruv M6 Monteringsmoment Skruv M5	3.0 3.0		6.0 6.0	N.M
G	Vikt av Modul		350		g