GD275MJS120L6S,IGBT-modul,STARPOWER

Symbol

BESKRIVNING

Värde

ENHET

V CES

Kollektor-emitterspänning

1200

V

V GES

Gate-emitter spänning

±20

V

ICN

Implementerad Kollektor C avgift

275

A

IC

Samlarström @ T C=100o C

110

A

ICm

Pulsad samlarström t p =1 ms

450

A

Symbol

BESKRIVNING

Värde

ENHET

V RRM

Upprepad topp omvänd volt ålder

1200

V

IFN

Implementerad Framåtström ent

275

A

IF

Diod Kontinuerlig Framåt Cu rent

300

A

IFM

Diodens maximala framåtriktade ström t p =1 ms

450

A

Symbol

BESKRIVNING

Värde

ENHET

V RRM

Upprepad topp omvänd volt ålder

1200

V

IFN

Implementerad Framåtström ent

275

A

IF

Diod Kontinuerlig Framåt Cu rent

225

A

IFM

Diodens maximala framåtriktade ström t p =1 ms

450

A

Symbol

BESKRIVNING

Värde

ENHET

V RRM

Upprepad topp omvänd volt ålder

1200

V

IFN

Implementerad Framåtström ent

275

A

IF

Diod Kontinuerlig Framåt Cu rent

300

A

IFM

Diodens maximala framåtriktade ström t p =1 ms

450

A

Symbol

BESKRIVNING

Värde

ENHET

T jmax

Maximal temperatur vid korsningen

175

o C

T - Vad?

Användningstemperatur vid kryssningsstationen

-40 till +150

o C

T STG

Lagrings temperaturintervall

-40 till +125

o C

V ISO

Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t =1min

3200

V

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

ENHET

V CE (sat)

Samlare till emitterare Mätningsspänning

IC=225A,V Generella =15V, T j =25o C

2.00

2.45

V

IC=225A,V Generella =15V, T j =125o C

2.70

IC=225A,V Generella =15V, T j =150o C

2.90

V Generella (th)

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

IC=9.00mA ,V CE =V Generella , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Samlar Avbrott -Avstängd Nuvarande

V CE =V CES ,V Generella =0V, T j =25o C

1.0

mA

IGES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Inre portmotstånd

1.7

ω

Cies

Inmatningskapacitet

V CE =25V, f=100kHz, V Generella =0V

38.1

nF

Cres

Omvänd överföring Kapacitet

0.66

nF

QG

Portavgift

V Generella =-15…+15V

2.52

μC

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C=225A, R G=2Ω,V Generella =-8/+15V, LS =36nH ,T j =25o C

154

n

t r

Uppgångstid

45

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

340

n

t f

Hösttid

76

n

Epå

Tänd Växling Förlust

13.4

mJ

Eavstängd

Avstängning Förlust

8.08

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C=225A, R G=2Ω,V Generella =-8/+15V, LS =36nH ,T j =125o C

160

n

t r

Uppgångstid

49

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

388

n

t f

Hösttid

112

n

Epå

Tänd Växling Förlust

17.6

mJ

Eavstängd

Avstängning Förlust

11.2

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C=225A, R G=2Ω,V Generella =-8/+15V, LS =36nH ,T j =150o C

163

n

t r

Uppgångstid

51

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

397

n

t f

Hösttid

114

n

Epå

Tänd Växling Förlust

18.7

mJ

Eavstängd

Avstängning Förlust

12.0

mJ

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

ENHET

V F

Diod framåt Spänning

IF =300A,V Generella =0V,T j =25o C

1.60

2.05

V

IF =300A,V Generella =0V,T j =125o C

1.60

IF =300A,V Generella =0V,T j =150o C

1.60

Qr

Återställd Laddning

V R =600V,I F =225A,

-di/dt=5350A/μs,V Generella =-8V LS =36nH ,T j =25o C

20.1

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

250

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

6.84

mJ

Qr

Återställd Laddning

V R =600V,I F =225A,

-di/dt=5080A/μs,V Generella =-8V LS =36nH ,T j =125o C

32.5

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

277

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

11.5

mJ

Qr

Återställd Laddning

V R =600V,I F =225A,

-di/dt=4930A/μs,V Generella =-8V LS =36nH ,T j =150o C

39.0

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

288

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

14.0

mJ

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

ENHET

V F

Diod framåt Spänning

IF =225A,V Generella =0V,T j =25o C

1.60

2.05

V

IF =225A,V Generella =0V,T j =125o C

1.60

IF =225A,V Generella =0V,T j =150o C

1.60

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

ENHET

V F

Diod framåt Spänning

IF =300A,V Generella =0V,T j =25o C

1.60

2.05

V

IF =300A,V Generella =0V,T j =125o C

1.60

IF =300A,V Generella =0V,T j =150o C

1.60

Qr

Återställd Laddning

V R =600V,I F =225A,

-di/dt=5050A/μs,V Generella =-8V LS =30nH ,T j =25o C

18.6

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

189

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

5.62

mJ

Qr

Återställd Laddning

V R =600V,I F =225A,

-di/dt=4720A/μs,V Generella =-8V LS =30nH ,T j =125o C

34.1

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

250

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

11.4

mJ

Qr

Återställd Laddning

V R =600V,I F =225A,

-di/dt=4720A/μs,V Generella =-8V LS =30nH ,T j =150o C

38.9

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

265

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

13.2

mJ

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

ENHET

R 25

Nominellt motstånd

5.0

kΩ

∆R/R

Avvikelse av R 100

T C=100o C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P25

Effektbegränsning

20.0

mW

B 25/50

B-värde

R 2=R 25exp [B 25/50(1/T 2-1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-värde

R 2=R 25exp [B 25/80(1/T 2-1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-värde

R 2=R 25exp [B 25/100(1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Symbol

Parameter

Min.

Typ.

Max.

ENHET

LCE

Strömavtryck

15

nH

R tJC

Förbindelse mellan ledningskontakt och kropp (per T1 -T4 IGBT) Förbindelse mellan ledningskontakt och kropp (per D1/D4 D jod) Förbindelse mellan ledningskontakt och kropp (per D2/D3 D jod) Förbindelse mellan ledningskontakt och kropp (per D5/D6 D jod)

0.070 0.122 0.156 0.122

K/W

R thCH

Förbindelse mellan kropp och köldplatta (per T 1-T4 IGBT) Förbindelse mellan kropp och köldplatta (per D1/D4 DIODE) Förbindelse mellan kropp och köldplatta (per D2/D3 DIODE) Förbindelse mellan kropp och köldplatta (per D5/D6 DIODE)

0.043 0.053 0.069 0.053

K/W

M

Monteringsmoment Skruv: M5

3.0

5.0

N.M

G

Vikt av Modul

250

g