IDG75X12T2, IGBT diskret, STARPOWER

Symbol

BESKRIVNING

Värden

ENHET

V CES

Kollektor-emitterspänning

1200

V

V GES

Gate-emitter spänning

±20

V

IC

Samlarström @ T C=25o C @ T C=100o C

150

75

A

ICm

Pulsad Samlar Nuvarande t p begränsad av T vjmax

225

A

PD

Maximal effekt Dissipation @ T vj =175o C

852

W

Symbol

BESKRIVNING

Värden

ENHET

V RRM

Upprepad topp omvänd volt ålder

1200

V

IF

Diod Kontinuerlig Framåt Cu rent

75

A

IFM

Pulsad Samlar Nuvarande t p begränsad av T vjmax

225

A

Symbol

BESKRIVNING

Värden

ENHET

T vjop

Användningstemperatur vid kryssningsstationen

-40 till +175

o C

T STG

Lagrings temperaturintervall

-55 till +150

o C

T S

Lödningstemperatur 1,6 mm f rom-fallet för 10s

260

o C

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

ENHET

V CE (sat)

Samlare till emitterare Mätningsspänning

IC=75A,V Generella =15V, T vj =25o C

1.75

2.20

V

IC=75A,V Generella =15V, T vj =150o C

2.10

IC=75A,V Generella =15V, T vj =175o C

2.20

V Generella (th)

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

IC=3.00mA ,V CE =V Generella , T vj =25o C

5.0

5.8

6.5

V

ICES

Samlar Avbrott -Avstängd Nuvarande

V CE =V CES ,V Generella =0V, T vj =25o C

250

μA

IGES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

100

nA

R Gint

Inre portmotstånd

2.0

ω

Cies

Inmatningskapacitet

V CE =25V, f=100kHz, V Generella =0V

6.58

nF

Cövriga

Utgångskapacitet

0.40

Cres

Omvänd överföring Kapacitet

0.19

nF

QG

Portavgift

V Generella =-15…+15V

0.49

μC

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C=75A, R G=4.7Ω,

V Generella =± 15 V, Ls=40nH,

T vj =25o C

41

n

t r

Uppgångstid

135

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

87

n

t f

Hösttid

255

n

Epå

Tänd Växling Förlust

12.5

mJ

Eavstängd

Avstängning Förlust

3.6

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C=75A, R G=4.7Ω,

V Generella =± 15 V, Ls=40nH,

T vj =150o C

46

n

t r

Uppgångstid

140

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

164

n

t f

Hösttid

354

n

Epå

Tänd Växling Förlust

17.6

mJ

Eavstängd

Avstängning Förlust

6.3

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C=75A, R G=4.7Ω,

V Generella =± 15 V, Ls=40nH,

T vj =175o C

46

n

t r

Uppgångstid

140

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

167

n

t f

Hösttid

372

n

Epå

Tänd Växling Förlust

18.7

mJ

Eavstängd

Avstängning Förlust

6.7

mJ

ISC

SK-uppgifter

t P≤10μs, V Generella =15V,

T vj =175o C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

300

A

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

ENHET

V F

Diod framåt Spänning

IF =75A,V Generella =0V,T vj =25o C

1.75

2.20

V

IF =75A,V Generella =0V,T vj =150o C

1.75

IF =75A,V Generella =0V,T vj =175o C

1.75

trr

Diod omvänd Återhämtningstid

V R =600V,I F =75A,

-di/dt=370A/μs,V Generella =-15V, Ls=40nH,

T vj =25o C

267

n

Qr

Återkrävt avgift

4.2

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

22

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

1.1

mJ

trr

Diod omvänd Återhämtningstid

V R =600V,I F =75A,

-di/dt=340A/μs,V Generella =-15V, Ls=40nH,

T vj =150o C

432

n

Qr

Återkrävt avgift

9.80

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

33

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

2.7

mJ

trr

Diod omvänd Återhämtningstid

V R =600V,I F =75A,

-di/dt=320A/μs,V Generella =-15V, Ls=40nH,

T vj =175o C

466

n

Qr

Återkrävt avgift

11.2

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

35

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

3.1

mJ

Symbol

Parameter

Min.

Typ.

Max.

ENHET

R tJC

Förbindelse till fall (per IGB) T) Sammanslagning till fall (per D) jod)

0.176 0.371

K/W

R tJA

Sammanslutning med omgivning

40

K/W