Alla kategorier
Få ett citat

Få ett kostnadsfritt offertförslag

Vår representant kommer att kontakta dig inom kort.
E-post
Namn
Företagsnamn
Meddelande
0/1000

IGBT-modul 1200V

IGBT-modul 1200V

Startsida/Produkter/IGBT-modul/IGBT-modul 1200V

GD600HFY120C2S,IGBT Modul,STARPOWER

1200V 600A

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD600HFY120C2S
  • Introduktion
  • Översikt
Introduktion

Kort introduktion

IGBT-modul , tillverkad av STARPOWER. 1200V 600A.

Egenskaper

  • Låg V CE (satt ) Gräv IGBT teknologi
  • 10μs kortslutningskapac itet
  • V CE (satt ) med positiv temperatur koefficient
  • Maximal sammanslagningstemperatur 175o C
  • Låg induktansi fall
  • Snabb och mjuk omvänd återhämtning fWD mot parallell
  • Isolerad kopparbasplatt hPS-DBC-teknik

Typisk Användningsområden

  • Inverterare för motordrivning
  • Förstärkare för AC- och DC-servoanström
  • Oavbrutbar strömförsörjning

Absolut Maximal Betyg T C=25o C om inte i annat fall noterat

IGBT

Symbol

BESKRIVNING

Värde

ENHET

V CES

Kollektor-emitterspänning

1200

V

V GES

Gate-emitter spänning

±20

V

IC

Samlarström @ T C=25o C

@ T C=100o C

1000

600

A

ICm

Pulsad samlarström t p =1 ms

1200

A

PD

Maximal effekt Dissipation @ T j =175o C

3409

W

Diod

Symbol

BESKRIVNING

Värde

ENHET

V RRM

Upprepad toppomvänd spänning

1200

V

IF

Diod kontinuerlig framåtström hyra

600

A

IFM

Diodens maximala framåtriktade ström t p =1 ms

1200

A

Modul

Symbol

BESKRIVNING

Värde

ENHET

T jmax

Maximal temperatur vid korsningen

175

o C

T - Vad?

Användningstemperatur vid kryssningsstationen

-40 till +150

o C

T STG

Lagringstemperatur Räckvidd

-40 till +125

o C

V ISO

Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t=1 mINUT

4000

V

IGBT Egenskaper T C=25o C om inte i annat fall noterat

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

ENHET

V CE (sat)

Samlare till emitterare

Mätningsspänning

IC= 600 A, V Generella =15V, T j =25o C

1.70

2.05

V

IC= 600 A, V Generella =15V, T j =125o C

1.95

IC= 600 A, V Generella =15V, T j =150o C

2.00

V Generella (th)

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

IC= 15 mA, V CE =V Generella , T j =25o C

5.2

6.0

6.8

V

ICES

Samlar Avbrott -Avstängd

Nuvarande

V CE =V CES ,V Generella =0V,

T j =25o C

1.0

mA

IGES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Inre portmotstånd förhandsbeskrivning

1.3

ω

Cies

Inmatningskapacitet

V CE =25V, f=1MHz,

V Generella =0V

62.1

nF

Cres

Omvänd överföring

Kapacitet

1.74

nF

QG

Portavgift

V Generella =- 15...+15V

4.62

μC

t d ()

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C= 600A, R G= 1,5Ω,

V Generella =± 15 V, T j =25o C

257

n

t r

Uppgångstid

96

n

t d (avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

628

n

t f

Hösttid

103

n

E

Tänd Växling

Förlust

37.5

mJ

Eavstängd

Avstängning

Förlust

51.5

mJ

t d ()

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C= 600A, R G= 1,5Ω,

V Generella =± 15 V, T j =125o C

268

n

t r

Uppgångstid

107

n

t d (avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

659

n

t f

Hösttid

144

n

E

Tänd Växling

Förlust

53.5

mJ

Eavstängd

Avstängning

Förlust

77.3

mJ

t d ()

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C= 600A, R G= 1,5Ω,

V Generella =± 15 V, T j =150o C

278

n

t r

Uppgångstid

118

n

t d (avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

680

n

t f

Hösttid

155

n

E

Tänd Växling

Förlust

58.9

mJ

Eavstängd

Avstängning

Förlust

82.4

mJ

ISC

SK-uppgifter

t P≤ 10 μs, V Generella =15V,

T j =150o C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

2400

A

Diod Egenskaper T C=25o C om inte i annat fall noterat

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

ENHET

V F

Diod framåt

Spänning

IF = 600 A, V Generella =0V,T j =25o C

1.65

2.10

V

IF = 600 A, V Generella =0V,T j = 125o C

1.65

IF = 600 A, V Generella =0V,T j = 150o C

1.65

Qr

Återkrävt avgift

V CC =600V,I F = 600A,

-di/dt=5000A/μs,V Generella =- 15 V, T j =25o C

61.4

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

280

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

20.9

mJ

Qr

Återkrävt avgift

V CC =600V,I F = 600A,

-di/dt=5000A/μs,V Generella =- 15 V, T j = 125o C

114

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

415

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

43.1

mJ

Qr

Återkrävt avgift

V CC =600V,I F = 600A,

-di/dt=5000A/μs,V Generella =- 15 V, T j = 150o C

128

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

443

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

50.0

mJ

Modul Egenskaper T C=25o C om inte i annat fall noterat

Symbol

Parameter

Min.

Typ.

Max.

ENHET

LCE

Strömavtryck

20

nH

R CC+EE

Modulledningsresistans nce, terminal till chip

0.35

R tJC

Förbindelse till fall (per IGB) T)

Sammanslagning till förpackning (per Di) (s.d.)

0.044

0.077

K/W

R thCH

Hylsa till värmesänk (per IGBT)

Högsta värmeeffekt (p) diod)

Hylsa till värmesänk (per Modul)

0.031

0.055

0.010

K/W

M

Terminalanslutningsmoment Skruv M6 Monteringsmoment Skruv M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

G

Vikt av Modul

300

g

Översikt

image(c3756b8d25).png

Få ett kostnadsfritt offertförslag

Vår representant kommer att kontakta dig inom kort.
E-post
Namn
Företagsnamn
Meddelande
0/1000

Relaterad produkt

Har du frågor om några produkter?

Vårt professionella försäljningsteam väntar på dina frågor.
Du kan följa deras produktlista och ställa frågor om vad du bryr dig om.

Få ett citat

Få ett kostnadsfritt offertförslag

Vår representant kommer att kontakta dig inom kort.
E-post
Namn
Företagsnamn
Meddelande
0/1000

Få ett kostnadsfritt offertförslag

Vår representant kommer att kontakta dig inom kort.
E-post
Namn
Företagsnamn
Meddelande
0/1000