GD2400SGX170C4S,IGBT Modul,Högströms IGBT-modul,STARPOWER

Introduktion

Kort introduktion

IGBT-modul ,tillverkad av STARPOWER. 1 700V 1200A ,A3 .

Funktioner

Låg VCE(sat) Trench IGBT-teknik
10 μs kortslutningsförmåga
VCE(sat) med positiv temperaturkoefficient
Maximal temperatur vid sammankopplingen 175oC
Låg induktanshus
Snabb och mjuk omvänd återhämtning anti-parallel FWD
Isolerad kopparbasplatt med DBC-teknik

Typiska Tillämpningar

Hög effektomvandlare
Motorstyrningar
Vindkraftverk

Absolut Maximal Betyg T C =25 o C om inte i annat fall noterat

IGBT

Symbol	Beskrivning	Värde	Enhet
V CES	Kollektor-emitterspänning	1700	V
V GES	Gate-emitter spänning	±20	V
Jag C	Samlarström @ T C =25 o C @ T C =100 o C	1965 1200	A
Jag CM	Pulsad samlarström t p =1 ms	2400	A
P D	Maximal effekt Dissipation @ T vj = 175 o C	6.55	kW

Diod

Symbol	Beskrivning	Värde	Enhet
V RRM	Upprepad topp omvänd volt ålder	1700	V
Jag F	Diod Kontinuerlig Framåt Cu rent	1200	A
Jag FM	Diodens maximala framåtriktade ström t p =1 ms	2400	A

Modul

Symbol	Beskrivning	Värde	Enhet
T vjmax	Maximal temperatur vid korsningen	175	o C
T vjop	Användningstemperatur vid kryssningsstationen	-40 till +150	o C
T STG	Lagrings temperaturintervall	-40 till +125	o C
V ISO	Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t =1min	4000	V

IGBT Egenskaper T C =25 o C om inte i annat fall noterat

Symbol	Parameter	Testförhållanden	Min.	Typ.	Max.	Enhet
V CE (sat)	Samlare till emitterare Mätningsspänning	Jag C =1200A,V Generella =15V, T vj =25 o C		1.85	2.30	V
		Jag C =1200A,V Generella =15V, T vj =125 o C		2.25
		Jag C =1200A,V Generella =15V, T vj = 150 o C		2.35
V Generella (th )	Gränssnitt för gate-emitterare Spänning	Jag C =48.0 mA ,V Ce = V Generella , T vj =25 o C	5.6	6.2	6.8	V
Jag CES	Samlar Avbrott -Avstängd Nuvarande	V Ce = V CES ,V Generella =0V, T vj =25 o C			5.0	mA
Jag GES	Läckage i port-sändaren Nuvarande	V Generella = V GES ,V Ce =0V, T vj =25 o C			400	nA
R Gint	Inre portmotstånd förhandsbeskrivning			1.6		ω
C ies	Inmatningskapacitet	V Ce =25V, f=100kHz, V Generella =0V		142		nF
C res	Omvänd överföring Kapacitet	V Ce =25V, f=100kHz, V Generella =0V		3.57		nF
Q G	Portavgift	V Generella =-15 ...+15V		11.8		μC
t d (på )	Tidsfördröjning för på-	V CC = 900 V,I C =1200A, R Gon = 1,5Ω, R Goff = 3,3Ω, V Generella =-10/+15V, L S =110nH,T vj =25 o C		700		n
t r	Uppgångstid			420		n
t d(off)	Avstängning Fördröjningstider			1620		n
t f	Hösttid			231		n
E på	Tänd Växling Förlust			616		mJ
E avstängd	Avstängning Förlust			419		mJ
t d (på )	Tidsfördröjning för på-	V CC = 900 V,I C =1200A, R Gon = 1,5Ω, R Goff = 3,3Ω, V Generella =-10/+15V, L S =110nH,T vj =125 o C		869		n
t r	Uppgångstid			495		n
t d(off)	Avstängning Fördröjningstider			1976		n
t f	Hösttid			298		n
E på	Tänd Växling Förlust			898		mJ
E avstängd	Avstängning Förlust			530		mJ
t d (på )	Tidsfördröjning för på-	V CC = 900 V,I C =1200A, R Gon = 1,5Ω, R Goff = 3,3Ω, V Generella =-10/+15V, L S =110nH,T vj = 150 o C		941		n
t r	Uppgångstid			508		n
t d(off)	Avstängning Fördröjningstider			2128		n
t f	Hösttid			321		n
E på	Tänd Växling Förlust			981		mJ
E avstängd	Avstängning Förlust			557		mJ
Jag SC	SK-uppgifter	t P ≤10μs, V Generella =15V, T vj = 150 o C ,V CC =1000V, V CEM ≤ 1700V		4800		A

Diod Egenskaper T C =25 o C om inte i annat fall noterat

Symbol	Parameter	Testförhållanden	Min.	Typ.	Max.	Enhet
V F	Diod framåt Spänning	Jag F =1200A,V Generella =0V,T vj =25 o C		1.80	2.25	V
		Jag F =1200A,V Generella =0V,T vj =125 o C		1.90
		Jag F =1200A,V Generella =0V,T vj = 150 o C		1.95
Q r	Återkrävt avgift	V R = 900 V,I F =1200A, -di/dt=2430A/μs,V Generella =-10V, L S =110nH,T vj =25 o C		217		μC
Jag RM	Höjdpunkt omvänd Återställningsström			490		A
E rec	Omvänd återhämtning Energi			108		mJ
Q r	Återkrävt avgift	V R = 900 V,I F =1200A, -di/dt=2070A/μs,V Generella =-10V, L S =110nH,T vj =125 o C		359		μC
Jag RM	Höjdpunkt omvänd Återställningsström			550		A
E rec	Omvänd återhämtning Energi			165		mJ
Q r	Återkrävt avgift	V R = 900 V,I F =1200A, -di/dt=1970A/μs,V Generella =-10V, L S =110nH,T vj = 150 o C		423		μC
Jag RM	Höjdpunkt omvänd Återställningsström			570		A
E rec	Omvänd återhämtning Energi			200		mJ

Modul Egenskaper T C =25 o C om inte i annat fall noterat

Symbol	Parameter	Min.	Typ.	Max.	Enhet
L Ce	Strömavtryck		20		nH
R CC+EE	Modul blymotstånd Terminal till chip		0.37		mΩ
R tJC	Tvättpunkt -till -Housse (perIGBT ) Sammanslagning till förpackning (per Di) (s.d.)			22.9 44.2	K/kW
R thCH	Hylsa till värmesänk (per IGBT) Kapsling-till-kylfläns (pe r diod) Kapsling-till-kylfläns (per M odul)		18.2 35.2 6.0		K/kW
M	Terminalanslutningsmoment Skruv M4 Terminalanslutningsmoment Skruv M8 Monteringsmoment Skruv M6	1.8 8.0 4.25		2.1 10 5.75	N.M
G	Vikt av Modul		1500		g