GD1200HFX170C3S,IGBT Modul,Högströms IGBT-modul,STARPOWER

Symbol

BESKRIVNING

Värde

ENHET

V CES

Kollektor-emitterspänning

1700

V

V GES

Gate-emitter spänning

±20

V

IC

Samlarström @ T C=25o C @ T C=100o C

1965

1200

A

ICm

Pulsad samlarström t p =1 ms

2400

A

PD

Maximal effekt Dissipation @ T vj =175o C

6.55

kW

Symbol

BESKRIVNING

Värde

ENHET

V RRM

Upprepad topp omvänd volt ålder

1700

V

IF

Diod Kontinuerlig Framåt Cu rent

1200

A

IFM

Diodens maximala framåtriktade ström t p =1 ms

2400

A

Symbol

BESKRIVNING

Värde

ENHET

T vjmax

Maximal temperatur vid korsningen

175

o C

T vjop

Användningstemperatur vid kryssningsstationen

-40 till +150

o C

T STG

Lagrings temperaturintervall

-40 till +125

o C

V ISO

Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t =1min

4000

V

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

ENHET

V CE (sat)

Samlare till emitterare Mätningsspänning

IC=1200A,V Generella =15V, T vj =25o C

1.85

2.30

V

IC=1200A,V Generella =15V, T vj =125o C

2.25

IC=1200A,V Generella =15V, T vj =150o C

2.35

V Generella (th)

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

IC=48.0mA ,V CE =V Generella , T vj =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Samlar Avbrott -Avstängd Nuvarande

V CE =V CES ,V Generella =0V, T vj =25o C

5.0

mA

IGES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

R Gint

Inre portmotstånd förhandsbeskrivning

1.6

ω

Cies

Inmatningskapacitet

V CE =25V, f=100kHz, V Generella =0V

142

nF

Cres

Omvänd överföring Kapacitet

3.57

nF

QG

Portavgift

V Generella =-15 ...+15V

11.8

μC

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC = 900 V,I C=1200A, R Gon = 1,5Ω, R Goff = 3,3Ω, V Generella =-10/+15V,

LS =110nH,T vj =25o C

700

n

t r

Uppgångstid

420

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

1620

n

t f

Hösttid

231

n

Epå

Tänd Växling Förlust

616

mJ

Eavstängd

Avstängning Förlust

419

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC = 900 V,I C=1200A, R Gon = 1,5Ω, R Goff = 3,3Ω, V Generella =-10/+15V,

LS =110nH,T vj =125o C

869

n

t r

Uppgångstid

495

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

1976

n

t f

Hösttid

298

n

Epå

Tänd Växling Förlust

898

mJ

Eavstängd

Avstängning Förlust

530

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC = 900 V,I C=1200A, R Gon = 1,5Ω, R Goff = 3,3Ω, V Generella =-10/+15V,

LS =110nH,T vj =150o C

941

n

t r

Uppgångstid

508

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

2128

n

t f

Hösttid

321

n

Epå

Tänd Växling Förlust

981

mJ

Eavstängd

Avstängning Förlust

557

mJ

ISC

SK-uppgifter

t P≤10μs, V Generella =15V,

T vj =150o C,V CC =1000V,

V CEM ≤ 1700V

4800

A

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

ENHET

V F

Diod framåt Spänning

IF =1200A,V Generella =0V,T vj =25o C

1.80

2.25

V

IF =1200A,V Generella =0V,T vj =125o C

1.90

IF =1200A,V Generella =0V,T vj =150o C

1.95

Qr

Återkrävt avgift

V R = 900 V,I F =1200A,

-di/dt=2430A/μs,V Generella =-10V, LS =110nH,T vj =25o C

217

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

490

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

108

mJ

Qr

Återkrävt avgift

V R = 900 V,I F =1200A,

-di/dt=2070A/μs,V Generella =-10V, LS =110nH,T vj =125o C

359

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

550

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

165

mJ

Qr

Återkrävt avgift

V R = 900 V,I F =1200A,

-di/dt=1970A/μs,V Generella =-10V, LS =110nH,T vj =150o C

423

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

570

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

200

mJ

Symbol

Parameter

Min.

Typ.

Max.

ENHET

LCE

Strömavtryck

20

nH

R CC+EE

Modul blymotstånd Terminal till chip

0.37

mΩ

R tJC

Tvättpunkt -till -Fall (perIGBT ) Sammanslagning till förpackning (per Di) (s.d.)

22.9 44.2

K/kW

R thCH

Hylsa till värmesänk (per IGBT) Kapsling-till-kylfläns (pe r diod) Kapsling-till-kylfläns (per M odul)

18.2 35.2 6.0

K/kW

M

Terminalanslutningsmoment Skruv M4 Terminalanslutningsmoment Skruv M8 Monteringsmoment Skruv M6

1.8 8.0 4.25

2.1

10

5.75

N.M

G

Vikt av Modul

1500

g