GD600HFX120C2SAD_B20 ,IGBT Modul,STARPOWER

Symbol

BESKRIVNING

Värde

ENHET

V CES

Kollektor-emitterspänning

1200

V

V GES

Gate-emitter spänning

Övergående spänning för utgivare

±20 ±30

V

IC

Samlarström @ T C=25o C @ T C=100o C

1096

600

A

ICm

Pulsad samlarström t p =1 ms

1200

A

PD

Maximal effekt Dissipation @ T vj =175o C

3947

W

Symbol

BESKRIVNING

Värde

ENHET

V RRM

Upprepad topp omvänd volt ålder

1200

V

IF

Diode Kontinuerlig Framåtström ent

600

A

IFM

Diodens maximala framåtriktade ström t p =1 ms

1200

A

Symbol

BESKRIVNING

Värde

ENHET

T vjmax

Maximal temperatur vid korsningen

175

o C

T vjop

Användningstemperatur vid kryssningsstationen

-40 till +150

o C

T STG

Lagrings temperaturintervall

-40 till +125

o C

V ISO

Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t =1min

4000

V

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

ENHET

V CE (sat)

Samlare till emitterare Mätningsspänning

IC= 600 A, V Generella =15V, T vj =25o C

1.70

2.15

V

IC= 600 A, V Generella =15V, T vj =125o C

2.05

IC= 600 A, V Generella =15V, T vj =150o C

2.15

V Generella (th)

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

IC=24.0mA ,V CE =V Generella , T vj =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Samlar Avbrott -Avstängd Nuvarande

V CE =V CES ,V Generella =0V, T vj =25o C

1.0

mA

IGES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

R Gint

Inre portmotstånd

1.25

ω

Cies

Inmatningskapacitet

V CE =25V, f=100kHz, V Generella =0V

64.7

nF

Cres

Omvänd överföring Kapacitet

1.88

nF

QG

Portavgift

V Generella =-15…+15V

5.38

μC

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C= 600A, R G= 1,5Ω, LS =50nH , V Generella =±15V,T vj =25o C

314

n

t r

Uppgångstid

105

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

527

n

t f

Hösttid

151

n

Epå

Tänd Växling Förlust

63.7

mJ

Eavstängd

Avstängning Förlust

53.3

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C= 600A, R G= 1,5Ω, LS =50nH , V Generella =±15V,T vj =125o C

350

n

t r

Uppgångstid

117

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

591

n

t f

Hösttid

315

n

Epå

Tänd Växling Förlust

96.5

mJ

Eavstängd

Avstängning Förlust

72.2

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C= 600A, R G= 1,5Ω, LS =50nH , V Generella =±15V,T vj =150o C

359

n

t r

Uppgångstid

120

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

604

n

t f

Hösttid

328

n

Epå

Tänd Växling Förlust

105

mJ

Eavstängd

Avstängning Förlust

75.6

mJ

ISC

SK-uppgifter

t P≤10μs, V Generella =15V,

T vj =150o C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

2400

A

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

ENHET

V F

Diod framåt Spänning

IF = 600 A, V Generella =0V,T vj =25o C

1.65

2.10

V

IF = 600 A, V Generella =0V,T vj =125o C

1.65

IF = 600 A, V Generella =0V,T vj =150o C

1.60

Qr

Återkrävt avgift

V R =600V,I F = 600A,

-di/dt=5130A/μs, L S =50nH, V Generella =-15V,T vj =25o C

38.6

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

313

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

10.8

mJ

Qr

Återkrävt avgift

V R =600V,I F = 600A,

-di/dt=4440A/μs, L S =50nH, V Generella =-15V,T vj =125o C

76.1

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

368

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

22.5

mJ

Qr

Återkrävt avgift

V R =600V,I F = 600A,

-di/dt=4240A/μs, L S =50nH, V Generella =-15V,T vj =150o C

88.9

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

387

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

26.2

mJ

Symbol

Parameter

Min.

Typ.

Max.

ENHET

LCE

Strömavtryck

20

nH

R CC+EE

Modul blymotstånd, terminal till chip

0.42

mΩ

R tJC

Tvättpunkt -till -Fall (perIGBT ) Sammanslagning till fall (per D) jod)

0.038 0.068

K/W

R thCH

Hylsa till värmesänk (per IGBT) Kapsling-till-kylfläns (pe r diod) Kapsling-till-kylfläns (per M odul)

0.031 0.056 0.010

K/W

M

Terminalanslutningsmoment Skruv M6 Monteringsmoment Skruv M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

G

Vikt av Modul

320

g