GD450HFY120C2S, IGBT-modul, STARPOWER

Symbol

Beskrivning

Värde

Enhet

V CES

Kollektor-emitterspänning

1200

V

V GES

Gate-emitter spänning

±20

V

Jag C

Samlarström @ T C =25 o C

@ T C = 100o C

680

450

A

Jag CM

Pulsad samlarström t p =1 ms

900

A

P D

Maximal effekt Dissipation @ T = 175 o C

2173

W

Symbol

Beskrivning

Värde

Enhet

V RRM

Upprepad toppomvänd spänning

1200

V

Jag F

Diod kontinuerlig framåtström hyra

450

A

Jag FM

Diodens maximala framåtriktade ström t p =1 ms

900

A

Symbol

Beskrivning

Värde

Enhet

T jmax

Maximal temperatur vid korsningen

175

o C

T - Vad?

Användningstemperatur vid kryssningsstationen

-40 till +150

o C

T STG

Lagringstemperatur Räckvidd

-40 till +125

o C

V ISO

Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t=1 min

4000

V

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enhet

V CE (sat)

Samlare till emitterare

Mätningsspänning

Jag C = 450 A, V Generella =15V, T j =25 o C

1.70

2.05

V

Jag C = 450 A, V Generella =15V, T j =125 o C

1.95

Jag C = 450 A, V Generella =15V, T j = 150 o C

2.00

V Generella (th )

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

Jag C = 11,3 mA ,V Ce = V Generella , T j =25 o C

5.2

6.0

6.8

V

Jag CES

Samlar Avbrott -Avstängd

Nuvarande

V Ce = V CES ,V Generella =0V,

T j =25 o C

1.0

mA

Jag GES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella = V GES ,V Ce =0V, T j =25 o C

400

nA

R Gint

Inre portmotstånd förhandsbeskrivning

1.7

ω

C ies

Inmatningskapacitet

V Ce =25V, f=1MHz,

V Generella =0V

46.6

nF

C res

Omvänd överföring

Kapacitet

1.31

nF

Q G

Portavgift

V Generella - Det är inte sant. 15...+15V

3.50

μC

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C = 450 A, R G = 1,5Ω,

V Generella =± 15 V, T j =25 o C

328

n

t r

Uppgångstid

76

n

t d (avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

539

n

t f

Hösttid

108

n

E på

Tänd Växling

Förlust

19.5

mJ

E avstängd

Avstängning

Förlust

46.6

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C = 450 A, R G = 1,5Ω,

V Generella =± 15 V, T j =125 o C

376

n

t r

Uppgångstid

86

n

t d (avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

595

n

t f

Hösttid

214

n

E på

Tänd Växling

Förlust

36.3

mJ

E avstängd

Avstängning

Förlust

53.5

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C = 450 A, R G = 1,5Ω,

V Generella =± 15 V, T j = 150 o C

380

n

t r

Uppgångstid

89

n

t d (avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

608

n

t f

Hösttid

232

n

E på

Tänd Växling

Förlust

41.7

mJ

E avstängd

Avstängning

Förlust

55.5

mJ

Jag SC

SK-uppgifter

t P ≤ 10 μs, V Generella =15V,

T j = 150 o C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

1800

A

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enhet

V F

Diod framåt

Spänning

Jag F = 450 A, V Generella =0V,T j =25 o C

1.65

2.10

V

Jag F = 450 A, V Generella =0V,T j =125 o C

1.65

Jag F = 450 A, V Generella =0V,T j = 150 o C

1.65

Q r

Återkrävt avgift

V CC =600V,I F = 450 A,

-di/dt=4370A/μs,V Generella - Det är inte sant. 15 V, T j =25 o C

29.4

μC

Jag RM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

275

A

E rec

Omvänd återhämtning Energi

13.2

mJ

Q r

Återkrävt avgift

V CC =600V,I F = 450 A,

-di/dt=4370A/μs,V Generella - Det är inte sant. 15 V, T j =125 o C

68.8

μC

Jag RM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

342

A

E rec

Omvänd återhämtning Energi

31.6

mJ

Q r

Återkrävt avgift

V CC =600V,I F = 450 A,

-di/dt=4370A/μs,V Generella - Det är inte sant. 15 V, T j = 150 o C

79.6

μC

Jag RM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

354

A

E rec

Omvänd återhämtning Energi

35.8

mJ

Symbol

Parameter

Min.

Typ.

Max.

Enhet

L Ce

Strömavtryck

20

nH

R CC+EE

Modulledningsresistans nce, terminal till chip

0.35

mΩ

R tJC

Förbindelse till fall (per IGB) T)

Sammanslagning till förpackning (per Di) (s.d.)

0.069

0.108

K/W

R thCH

Hylsa till värmesänk (per IGBT)

Högsta värmeeffekt (p) diod)

Hylsa till värmesänk (per Modul)

0.033

0.051

0.010

K/W

M

Terminalanslutningsmoment Skruv M6 Monteringsmoment Skruv M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

G

Vikt av Modul

300

g