Alla kategorier
Få ett citat

Få ett kostnadsfritt offertförslag

Vår representant kommer att kontakta dig inom kort.
E-post
Namn
Företagsnamn
Meddelande
0/1000

IGBT-modul 1200V

IGBT-modul 1200V

Startsida/Produkter/IGBT-modul/IGBT-modul 1200V

GD300HFQ120C2SD,IGBT-modul,STARPOWER

IGBT-modul, 1200V 300A, Förpackning: C2

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD300HFQ120C2SD
  • Introduktion
  • Översikt
  • Ekvivalent krets schema
Introduktion

Kort introduktion

IGBT-modul ,producerad av STARPOWER .1200V 300A.

Egenskaper

  • Lågt VCE (sat) Trench IGBT-teknik
  • 10 μs kortslutningsförmåga
  • VCE (sat) med positiv temperatur koefficient
  • Maximal temperatur vid sammankopplingen 175oC
  • Låg induktanshus
  • Snabb och mjuk omvänd återhämtning anti-parallel FWD
  • Isolerad kopparbasplatt med DBC-teknik

Vanliga användningsområden

  • Strömförsörjning med växlande läge
  • Induktionshäftning
  • Elektroniska svetsare

Absolut Maximal Betyg T F =25o C om inte i annat fall noterat

IGBT

Symbol

BESKRIVNING

Värden

ENHET

V CES

Kollektor-emitterspänning

1200

V

V GES

Gate-emitter spänning

±20

V

IC

Samlarström @ T C=25o C@ T C=95o C

452

300

A

ICm

Pulsad samlarström t p =1 ms

600

A

PD

Maximal effekt Dissipation @ T vj =175o C

1724

W

Diod

Symbol

BESKRIVNING

Värden

ENHET

V RRM

Upprepad topp omvänd volt ålder

1200

V

IF

Diod Kontinuerlig Framåt Cu rent

300

A

IFM

Diodens maximala framåtriktade ström t p =1 ms

600

A

Modul

Symbol

BESKRIVNING

Värde

ENHET

T vjmax

Maximal temperatur vid korsningen

175

o C

T vjop

Användningstemperatur vid kryssningsstationen

-40 till +150

o C

T STG

Lagrings temperaturintervall

-40 till +125

o C

V ISO

Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

IGBT Egenskaper T C=25o C om inte i annat fall noterat

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

ENHET

V CE (sat)

Samlare till emitterare Mätningsspänning

IC=300A,V Generella =15V, T vj =25o C

1.85

2.30

V

IC=300A,V Generella =15V, T vj =125o C

2.25

IC=300A,V Generella =15V, T vj =150o C

2.35

V Generella (th)

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

IC=7.50mA ,V CE =V Generella , T vj =25o C

5.2

6.0

6.8

V

ICES

Samlar Avbrott -Avstängd Nuvarande

V CE =V CES ,V Generella =0V, T vj =25o C

1.0

mA

IGES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

R Gint

Inre portmotstånd förhandsbeskrivning

2.5

ω

Cies

Inmatningskapacitet

V CE =25V, f=1MHz, V Generella =0V

31.1

nF

Cres

Omvänd överföring Kapacitet

0.87

nF

QG

Portavgift

V Generella =-15…+15V

2.33

μC

t d ()

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C=300A, R G=1.6Ω, Ls=45nH, V Generella =±15V,T vj =25o C

200

n

t r

Uppgångstid

47

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

245

n

t f

Hösttid

65

n

E

Tänd Växling Förlust

20.8

mJ

Eavstängd

Avstängning Förlust

9.15

mJ

t d ()

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C=300A, R G=1.6Ω, Ls=45nH, V Generella =±15V,T vj =125o C

206

n

t r

Uppgångstid

49

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

280

n

t f

Hösttid

94

n

E

Tänd Växling Förlust

29.9

mJ

Eavstängd

Avstängning Förlust

12.5

mJ

t d ()

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C=300A, R G=1.6Ω, Ls=45nH, V Generella =±15V,T vj =150o C

209

n

t r

Uppgångstid

51

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

295

n

t f

Hösttid

105

n

E

Tänd Växling Förlust

35.1

mJ

Eavstängd

Avstängning Förlust

13.6

mJ

ISC

SK-uppgifter

t P≤10μs, V Generella =15V,

T vj =150o C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

1200

A

Diod Egenskaper T C=25o C om inte i annat fall noterat

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enheter

V F

Diod framåt Spänning

IF =300A,V Generella =0V,T vj =25o C

1.85

2.30

V

IF =300A,V Generella =0V,T vj =125o C

1.90

IF =300A,V Generella =0V,T vj =150o C

1.95

Qr

Återställd Laddning

V R =600V,I F =300A,

-di/dt=5570A/μs, V Generella = 15 V, Lärare =45nH ,T vj =25o C

28.2

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

287

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

8.81

mJ

Qr

Återställd Laddning

V R =600V,I F =300A,

-di/dt=4930A/μs,V Generella = 15 V, Lärare =45nH ,T vj =125o C

44.3

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

295

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

14.3

mJ

Qr

Återställd Laddning

V R =600V,I F =300A,

-di/dt=4580A/μs,V Generella = 15 V, Lärare =45nH ,T vj =150o C

50.2

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

300

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

16.0

mJ

Modul Egenskaper T C=25o C om inte i annat fall noterat

Symbol

Parameter

Min.

Typ.

Max.

ENHET

LCE

Strömavtryck

20

nH

R CC+EE

Modul blymotstånd, terminal till chip

0.35

R tJC

Tvättpunkt -till -Fall (perIGBT ) Sammanslagning till fall (per D) jod)

0.087 0.153

K/W

R thCH

Hylsa till värmesänk (per IGBT) Kapsling-till-kylfläns (pe r diod) Kapsling-till-kylfläns (per M odul)

0.031 0.055 0.010

K/W

M

Terminalanslutningsmoment Skruv M6 Monteringsmoment Skruv M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

G

Vikt av Modul

300

g

Översikt

image(c3756b8d25).png

Ekvivalent krets schema

Få ett kostnadsfritt offertförslag

Vår representant kommer att kontakta dig inom kort.
E-post
Namn
Företagsnamn
Meddelande
0/1000

Relaterad produkt

Har du frågor om några produkter?

Vårt professionella försäljningsteam väntar på dina frågor.
Du kan följa deras produktlista och ställa frågor om vad du bryr dig om.

Få ett citat

Få ett kostnadsfritt offertförslag

Vår representant kommer att kontakta dig inom kort.
E-post
Namn
Företagsnamn
Meddelande
0/1000

Få ett kostnadsfritt offertförslag

Vår representant kommer att kontakta dig inom kort.
E-post
Namn
Företagsnamn
Meddelande
0/1000