GD750HFA120C6S,IGBT-modul,STARPOWER

Symbol

BESKRIVNING

Värden

ENHET

V CES

Kollektor-emitterspänning

1200

V

V GES

Gate-emitter spänning

±20

V

IC

Samlarström @ T C=100o C

750

A

ICm

Pulsad samlarström t p =1 ms

1500

A

PD

Maximal effekt Dissipation @ T vj =175o C

3125

W

Symbol

BESKRIVNING

Värden

ENHET

V RRM

Upprepad topp omvänd volt ålder

1200

V

IF

Diod Kontinuerlig Framåt Cu rent

900

A

IFM

Diodens maximala framåtriktade ström t p =1 ms

1500

A

IFSM

Överspännings framström t p =10ms @ T vj =25o C @ T vj =150o C

3104

2472

A

I2t

I2t- värde ,t p =10ms @ T vj =25o C@ T vj =150o C

48174

30554

A2s

Symbol

BESKRIVNING

Värde

ENHET

T vjmax

Maximal temperatur vid korsningen

175

o C

T vjop

Användningstemperatur vid kryssningsstationen

-40 till +150

o C

T STG

Lagrings temperaturintervall

-40 till +125

o C

V ISO

Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t =1min

4000

V

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

ENHET

V CE (sat)

Samlare till emitterare Mätningsspänning

IC=750A,V Generella =15V, T vj =25o C

1.35

1.85

V

IC=750A,V Generella =15V, T vj =125o C

1.55

IC=750A,V Generella =15V, T vj =175o C

1.55

V Generella (th)

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

IC=24.0mA ,V CE =V Generella , T vj =25o C

5.5

6.3

7.0

V

ICES

Samlar Avbrott -Avstängd Nuvarande

V CE =V CES ,V Generella =0V, T vj =25o C

1.0

mA

IGES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

R Gint

Inre portmotstånd

0.5

ω

Cies

Inmatningskapacitet

V CE =25V, f=100kHz, V Generella =0V

85.2

nF

Cres

Omvänd överföring Kapacitet

0.45

nF

QG

Portavgift

V Generella =-15…+15V

6.15

μC

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C=750A,

R G=0.5Ω,

V Generella =-8V/+15V,

LS =40nH ,T vj =25o C

238

n

t r

Uppgångstid

76

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

622

n

t f

Hösttid

74

n

Epå

Tänd Växling Förlust

68.0

mJ

Eavstängd

Avstängning Förlust

52.8

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C=750A, R G=0.5Ω,

V Generella =-8V/+15V,

LS =40nH ,T vj =125o C

266

n

t r

Uppgångstid

89

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

685

n

t f

Hösttid

139

n

Epå

Tänd Växling Förlust

88.9

mJ

Eavstängd

Avstängning Förlust

67.4

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C=750A, R G=0.5Ω,

V Generella =-8V/+15V,

LS =40nH ,T vj =175o C

280

n

t r

Uppgångstid

95

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

715

n

t f

Hösttid

166

n

Epå

Tänd Växling Förlust

102

mJ

Eavstängd

Avstängning Förlust

72.7

mJ

ISC

SK-uppgifter

t P≤8μs, V Generella =15V,

T vj =150o C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

2500

A

t P≤6μs, V Generella =15V,

T vj =175o C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

2400

A

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enheter

V F

Diod framåt Spänning

IF =750A,V Generella =0V,T vj =25o C

1.60

2.05

V

IF =750A,V Generella =0V,T vj =125o C

1.65

IF =750A,V Generella =0V,T vj =175o C

1.65

Qr

Återkrävt avgift

V R =600V,I F =750A,

-di/dt=6500A/μs,V Generella = 8 V, LS =40nH ,T vj =25o C

79.7

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

369

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

23.3

mJ

Qr

Återkrävt avgift

V R =600V,I F =750A,

-di/dt=5600A/μs,V Generella = 8 V, LS =40nH ,T vj =125o C

120

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

400

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

39.5

mJ

Qr

Återkrävt avgift

V R =600V,I F =750A,

-di/dt=5200A/μs,V Generella = 8 V, LS =40nH ,T vj =175o C

151

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

423

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

49.7

mJ

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

ENHET

R 25

Nominellt motstånd

5.0

kΩ

∆R/R

Avvikelse av R 100

T C=100 o C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P25

Ström

Dissipation

20.0

mW

B 25/50

B-värde

R 2=R 25exp [B 25/50(1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-värde

R 2=R 25exp [B 25/80(1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-värde

R 2=R 25exp [B 25/100(1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Symbol

Parameter

Min.

Typ.

Max.

ENHET

LCE

Strömavtryck

20

nH

R CC+EE

Modul blymotstånd, terminal till chip

0.80

mΩ

R tJC

Tvättpunkt -till -Fall (perIGBT ) Sammanslagning till fall (per D) jod)

0.048 0.088

K/W

R thCH

Fall -till -Värmesänkande (perIGBT )Högsta värmeeffekt (p) diod) Hylsa till värmesänk (per Modul)

0.028 0.051 0.009

K/W

M

Terminalanslutningsmoment Skruv M6 Monteringsmoment Skruv M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.M

G

Vikt av Modul

350

g