Kort introduktion
IGBT-modul ,producerad av STARPOWER . 1200V 800A.
Funktioner
- Låg VCE(sat) Trench IGBT-teknik
- VCE(sat) med positiv temperaturkoefficient
-
Maximal fjälltemperatur 175 ℃
- Låg induktanshus
- Snabb och mjuk omvänd återhämtning anti-parallel FWD
- Isolerad kopparbasplatt med DBC-teknik
Typiska Tillämpningar
- Hybrid- och elfordon
- Inverterare för motordrivning
- Oavbrutbar strömförsörjning
Absolut Maximal Betyg T F =25o C om inte i annat fall noterat
IGBT
Symbol |
Beskrivning |
Värden |
Enhet |
V CES |
Kollektor-emitterspänning |
1200 |
V |
V GES |
Gate-emitter spänning |
±20 |
V |
Jag C |
Samlarström @ T C =100o C |
750 |
A |
Jag CM |
Pulsad samlarström t p =1 ms |
1500 |
A |
P D |
Maximal effekt Dissipation @ T vj =175o C |
3125 |
W |
Diod
Symbol |
Beskrivning |
Värden |
Enhet |
V RRM |
Upprepad topp omvänd volt ålder |
1200 |
V |
Jag F |
Diod Kontinuerlig Framåt Cu rent |
900 |
A |
Jag FM |
Diodens maximala framåtriktade ström t p =1 ms |
1500 |
A |
Jag FSM |
Överspännings framström t p =10ms @ T vj =25o C @ T vj =150o C |
3104
2472
|
A |
Jag 2t |
Jag 2t- värde ,t p =10ms @ T vj =25o C @ T vj =150o C |
48174
30554
|
A 2s |
Modul
Symbol |
Beskrivning |
Värde |
Enhet |
T vjmax |
Maximal temperatur vid korsningen |
175 |
o C |
T vjop |
Användningstemperatur vid kryssningsstationen |
-40 till +150 |
o C |
T STG |
Lagrings temperaturintervall |
-40 till +125 |
o C |
V ISO |
Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t =1min |
4000 |
V |
IGBT Egenskaper T C =25o C om inte i annat fall noterat
Symbol |
Parameter |
Testförhållanden |
Min. |
Typ. |
Max. |
Enhet |
|
V CE (sat)
|
Samlare till emitterare Mätningsspänning
|
Jag C =750A,V Generella =15V, T vj =25o C |
|
1.35 |
1.85 |
V
|
Jag C =750A,V Generella =15V, T vj =125o C |
|
1.55 |
|
Jag C =750A,V Generella =15V, T vj =175o C |
|
1.55 |
|
V Generella (th ) |
Gränssnitt för gate-emitterare Spänning |
Jag C =24.0mA ,V CE =V Generella , T vj =25o C |
5.5 |
6.3 |
7.0 |
V |
Jag CES |
Samlar Avbrott -Avstängd Nuvarande |
V CE =V CES ,V Generella =0V, T vj =25o C |
|
|
1.0 |
mA |
Jag GES |
Läckage i port-sändaren Nuvarande |
V Generella =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C |
|
|
400 |
nA |
R Gint |
Inre portmotstånd |
|
|
0.5 |
|
ω |
C ies |
Inmatningskapacitet |
V CE =25V, f=100kHz, V Generella =0V |
|
85.2 |
|
nF |
C res |
Omvänd överföring Kapacitet |
|
0.45 |
|
nF |
Q G |
Portavgift |
V Generella =-15…+15V |
|
6.15 |
|
μC |
t d (på ) |
Tidsfördröjning för på- |
V CC =600V,I C =750A,
R G =0.5Ω,
V Generella =-8V/+15V,
L S =40nH ,T vj =25o C
|
|
238 |
|
n |
t r |
Uppgångstid |
|
76 |
|
n |
t d(off) |
Avstängning Fördröjningstider |
|
622 |
|
n |
t f |
Hösttid |
|
74 |
|
n |
E på |
Tänd Växling Förlust |
|
68.0 |
|
mJ |
E avstängd |
Avstängning Förlust |
|
52.8 |
|
mJ |
t d (på ) |
Tidsfördröjning för på- |
V CC =600V,I C =750A, R G =0.5Ω,
V Generella =-8V/+15V,
L S =40nH ,T vj =125o C
|
|
266 |
|
n |
t r |
Uppgångstid |
|
89 |
|
n |
t d(off) |
Avstängning Fördröjningstider |
|
685 |
|
n |
t f |
Hösttid |
|
139 |
|
n |
E på |
Tänd Växling Förlust |
|
88.9 |
|
mJ |
E avstängd |
Avstängning Förlust |
|
67.4 |
|
mJ |
t d (på ) |
Tidsfördröjning för på- |
V CC =600V,I C =750A, R G =0.5Ω,
V Generella =-8V/+15V,
L S =40nH ,T vj =175o C
|
|
280 |
|
n |
t r |
Uppgångstid |
|
95 |
|
n |
t d(off) |
Avstängning Fördröjningstider |
|
715 |
|
n |
t f |
Hösttid |
|
166 |
|
n |
E på |
Tänd Växling Förlust |
|
102 |
|
mJ |
E avstängd |
Avstängning Förlust |
|
72.7 |
|
mJ |
|
Jag SC
|
SK-uppgifter
|
t P ≤8μs, V Generella =15V,
T vj =150o C,V CC =800V, V CEM ≤1200V
|
|
2500
|
|
A
|
|
t P ≤6μs, V Generella =15V,
T vj =175o C,V CC =800V, V CEM ≤1200V
|
|
2400
|
|
A
|
Diod Egenskaper T C =25o C om inte i annat fall noterat
Symbol |
Parameter |
Testförhållanden |
Min. |
Typ. |
Max. |
Enheter |
|
V F
|
Diod framåt Spänning |
Jag F =750A,V Generella =0V,T vj =25o C |
|
1.60 |
2.05 |
V
|
Jag F =750A,V Generella =0V,T vj =125o C |
|
1.65 |
|
Jag F =750A,V Generella =0V,T vj =175o C |
|
1.65 |
|
Q r |
Återkrävt avgift |
V R =600V,I F =750A,
-di/dt=6500A/μs,V Generella = 8 V, L S =40nH ,T vj =25o C
|
|
79.7 |
|
μC |
Jag RM |
Höjdpunkt omvänd
Återställningsström
|
|
369 |
|
A |
E rec |
Omvänd återhämtning Energi |
|
23.3 |
|
mJ |
Q r |
Återkrävt avgift |
V R =600V,I F =750A,
-di/dt=5600A/μs,V Generella = 8 V, L S =40nH ,T vj =125o C
|
|
120 |
|
μC |
Jag RM |
Höjdpunkt omvänd
Återställningsström
|
|
400 |
|
A |
E rec |
Omvänd återhämtning Energi |
|
39.5 |
|
mJ |
Q r |
Återkrävt avgift |
V R =600V,I F =750A,
-di/dt=5200A/μs,V Generella = 8 V, L S =40nH ,T vj =175o C
|
|
151 |
|
μC |
Jag RM |
Höjdpunkt omvänd
Återställningsström
|
|
423 |
|
A |
E rec |
Omvänd återhämtning Energi |
|
49.7 |
|
mJ |
NTC Egenskaper T C =25o C om inte i annat fall noterat
Symbol |
Parameter |
Testförhållanden |
Min. |
Typ. |
Max. |
Enhet |
R 25 |
Nominellt motstånd |
|
|
5.0 |
|
kΩ |
∆R/R |
Avvikelse av R 100 |
T C =100 o C ,R 100=493.3Ω |
-5 |
|
5 |
% |
P 25 |
Ström
Dissipation
|
|
|
|
20.0 |
mW |
B 25/50 |
B-värde |
R 2=R 25exp [B 25/50(1/T 2- 1/(298.15K))] |
|
3375 |
|
K |
B 25/80 |
B-värde |
R 2=R 25exp [B 25/80(1/T 2- 1/(298.15K))] |
|
3411 |
|
K |
B 25/100 |
B-värde |
R 2=R 25exp [B 25/100(1/T 2- 1/(298.15K))] |
|
3433 |
|
K |
Modul Egenskaper T C =25o C om inte i annat fall noterat
Symbol |
Parameter |
Min. |
Typ. |
Max. |
Enhet |
L CE |
Strömavtryck |
|
20 |
|
nH |
R CC+EE |
Modul blymotstånd, terminal till chip |
|
0.80 |
|
mΩ |
R tJC |
Tvättpunkt -till -Case (perIGBT ) Sammanslagning till fall (per D) jod) |
|
|
0.048 0.088 |
K/W |
|
R thCH
|
Case -till -Värmesänkande (perIGBT )Högsta värmeeffekt (p) diod) Hylsa till värmesänk (per Modul) |
|
0.028 0.051 0.009 |
|
K/W |
M |
Terminalanslutningsmoment Skruv M6 Monteringsmoment Skruv M5 |
3.0 3.0 |
|
6.0 6.0 |
N.M |
G |
Vikt av Modul |
|
350 |
|
g |
EN
