GD200HFX120C2S,IGBT-modul,STARPOWER

Symbol

BESKRIVNING

Värden

Enhet

V CES

Kollektor-emitterspänning

1200

V

V GES

Gate-emitter spänning

±20

V

IC

Samlarström @ T C=25o C

@ T C=90o C

297

200

A

ICm

Pulsad samlarström t p =1 ms

400

A

PD

Maximal effekt Dissipation @ T j =175o C

937

W

Symbol

BESKRIVNING

Värden

Enhet

V RRM

Upprepad toppomvänd spänning

1200

V

IF

Diod kontinuerlig framåtström hyra

200

A

IFM

Diodens maximala framåtriktade ström t p =1 ms

400

A

Symbol

BESKRIVNING

Värden

Enhet

T jmax

Maximal temperatur vid korsningen

175

o C

T - Vad?

Användningstemperatur vid kryssningsstationen

-40 till +150

o C

T STG

Lagringstemperatur Räckvidd

-40 till +125

o C

V ISO

Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t=1 mIN

2500

V

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enhet

V CE (sat)

Samlare till emitterare

Mätningsspänning

IC=200A,V Generella =15V, T j =25o C

1.75

2.20

V

IC=200A,V Generella =15V, T j =125o C

2.00

IC=200A,V Generella =15V, T j =150o C

2.05

V Generella (th)

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

IC=5.0mA ,V CE =V Generella , T j =25o C

5.2

6.0

6.8

V

ICES

Samlar Avbrott – Avstängd

Nuvarande

V CE =V CES ,V Generella =0V,

T j =25o C

5.0

mA

IGES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Inre portmotstånd förhandsbeskrivning

1.0

ω

Cies

Inmatningskapacitet

V CE =25V, f=1MHz,

V Generella =0V

18.6

nF

Cres

Omvänd överföring

Kapacitet

0.52

nF

QG

Portavgift

V Generella =- 15...+15V

1.40

μC

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C=200A, R G= 1. 1Ω,V Generella =± 15 V, T j =25o C

120

n

t r

Uppgångstid

26

n

t d (avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

313

n

t f

Hösttid

88

n

Epå

Tänd Växling

Förlust

8.96

mJ

Eavstängd

Avstängning

Förlust

10.7

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C=200A, R G= 1. 1Ω,V Generella =± 15 V, T j = 125o C

129

n

t r

Uppgångstid

30

n

t d (avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

391

n

t f

Hösttid

157

n

Epå

Tänd Växling

Förlust

15.8

mJ

Eavstängd

Avstängning

Förlust

16.1

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C=200A, R G= 1. 1Ω,V Generella =± 15 V, T j = 150o C

129

n

t r

Uppgångstid

34

n

t d (avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

411

n

t f

Hösttid

175

n

Epå

Tänd Växling

Förlust

17.5

mJ

Eavstängd

Avstängning

Förlust

18.1

mJ

ISC

SK-uppgifter

t P≤ 10 μs, V Generella =15V,

T j =150o C,V CC = 900 V, V CEM ≤1200V

720

A

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enheter

V F

Diod framåt

Spänning

IF =200A,V Generella =0V,T j =25o C

1.75

2.15

V

IF =200A,V Generella =0V,T j = 125o C

1.65

IF =200A,V Generella =0V,T j = 150o C

1.65

Qr

Återkrävt avgift

V R =600V,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V Generella =- 15V T j =25o C

18.5

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

239

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

8.08

mJ

Qr

Återkrävt avgift

V R =600V,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V Generella =- 15V T j =125o C

33.1

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

250

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

14.5

mJ

Qr

Återkrävt avgift

V R =600V,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V Generella =- 15V T j =150o C

38.4

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

259

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

15.9

mJ

Symbol

Parameter

Min.

Typ.

Max.

Enhet

LCE

Strömavtryck

15

nH

R CC+EE

Modulledningsresistans nce, terminal till chip

0.25

mΩ

R tJC

Förbindelse till fall (per IGB) T)

Sammanslagning till förpackning (per Di) (s.d.)

0.160

0.206

K/W

R thCH

Hylsa till värmesänk (per IGBT)

Högsta värmeeffekt (p) diod)

Hylsa till värmesänk (per Modul)

0.036

0.046

0.010

K/W

M

Terminalanslutningsmoment Skruv M6 Monteringsmoment Skruv M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

G

Vikt av Modul

300

g