GD200HFX120C2S,IGBT-modul,STARPOWER

Symbol

Beskrivning

Värden

Enhet

V CES

Kollektor-emitterspänning

1200

V

V GES

Gate-emitter spänning

±20

V

Jag C

Samlarström @ T C =25o C

@ T C =90o C

297

200

A

Jag CM

Pulsad samlarström t p =1 ms

400

A

P D

Maximal effekt Dissipation @ T j =175o C

937

W

Symbol

Beskrivning

Värden

Enhet

V RRM

Upprepad toppomvänd spänning

1200

V

Jag F

Diod kontinuerlig framåtström hyra

200

A

Jag FM

Diodens maximala framåtriktade ström t p =1 ms

400

A

Symbol

Beskrivning

Värden

Enhet

T jmax

Maximal temperatur vid korsningen

175

o C

T - Vad?

Användningstemperatur vid kryssningsstationen

-40 till +150

o C

T STG

Lagringstemperatur Räckvidd

-40 till +125

o C

V ISO

Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t=1 min

2500

V

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enhet

V CE (sat)

Samlare till emitterare

Mätningsspänning

Jag C =200A,V Generella =15V, T j =25o C

1.75

2.20

V

Jag C =200A,V Generella =15V, T j =125o C

2.00

Jag C =200A,V Generella =15V, T j =150o C

2.05

V Generella (th )

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

Jag C =5.0mA ,V CE =V Generella , T j =25o C

5.2

6.0

6.8

V

Jag CES

Samlar Avbrott -Avstängd

Nuvarande

V CE =V CES ,V Generella =0V,

T j =25o C

5.0

mA

Jag GES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Inre portmotstånd förhandsbeskrivning

1.0

ω

C ies

Inmatningskapacitet

V CE =25V, f=1MHz,

V Generella =0V

18.6

nF

C res

Omvänd överföring

Kapacitet

0.52

nF

Q G

Portavgift

V Generella =- 15...+15V

1.40

μC

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C =200A, R G = 1. 1Ω,V Generella =± 15 V, T j =25o C

120

n

t r

Uppgångstid

26

n

t d (avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

313

n

t f

Hösttid

88

n

E på

Tänd Växling

Förlust

8.96

mJ

E avstängd

Avstängning

Förlust

10.7

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C =200A, R G = 1. 1Ω,V Generella =± 15 V, T j = 125o C

129

n

t r

Uppgångstid

30

n

t d (avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

391

n

t f

Hösttid

157

n

E på

Tänd Växling

Förlust

15.8

mJ

E avstängd

Avstängning

Förlust

16.1

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C =200A, R G = 1. 1Ω,V Generella =± 15 V, T j = 150o C

129

n

t r

Uppgångstid

34

n

t d (avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

411

n

t f

Hösttid

175

n

E på

Tänd Växling

Förlust

17.5

mJ

E avstängd

Avstängning

Förlust

18.1

mJ

Jag SC

SK-uppgifter

t P ≤ 10 μs, V Generella =15V,

T j =150o C,V CC = 900 V, V CEM ≤1200V

720

A

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enheter

V F

Diod framåt

Spänning

Jag F =200A,V Generella =0V,T j =25o C

1.75

2.15

V

Jag F =200A,V Generella =0V,T j = 125o C

1.65

Jag F =200A,V Generella =0V,T j = 150o C

1.65

Q r

Återkrävt avgift

V R =600V,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V Generella =- 15V T j =25o C

18.5

μC

Jag RM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

239

A

E rec

Omvänd återhämtning Energi

8.08

mJ

Q r

Återkrävt avgift

V R =600V,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V Generella =- 15V T j =125o C

33.1

μC

Jag RM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

250

A

E rec

Omvänd återhämtning Energi

14.5

mJ

Q r

Återkrävt avgift

V R =600V,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V Generella =- 15V T j =150o C

38.4

μC

Jag RM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

259

A

E rec

Omvänd återhämtning Energi

15.9

mJ

Symbol

Parameter

Min.

Typ.

Max.

Enhet

L CE

Strömavtryck

15

nH

R CC+EE

Modulledningsresistans nce, terminal till chip

0.25

mΩ

R tJC

Förbindelse till fall (per IGB) T)

Sammanslagning till förpackning (per Di) (s.d.)

0.160

0.206

K/W

R thCH

Hylsa till värmesänk (per IGBT)

Högsta värmeeffekt (p) diod)

Hylsa till värmesänk (per Modul)

0.036

0.046

0.010

K/W

M

Terminalanslutningsmoment Skruv M6 Monteringsmoment Skruv M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

G

Vikt av Modul

300

g