GD200HFY120C8SN, IGBT Modul, STARPOWER

Symbol

BESKRIVNING

Värden

ENHET

V CES

Kollektor-emitterspänning

1200

V

V GES

Gate-emitter spänning

±20

V

IC

Samlarström @ T C=25o C

@ T C= 100o C

400

200

A

ICm

Pulsad samlarström t p =1 ms

400

A

PD

Maximal effekt Dissipation @ T =175o C

1578

W

Symbol

BESKRIVNING

Värden

ENHET

V RRM

Upprepad toppomvänd spänning

1200

V

IF

Diod kontinuerlig framåtström hyra

200

A

IFM

Diodens maximala framåtriktade ström t p =1 ms

400

A

Symbol

BESKRIVNING

Värden

ENHET

T jmax

Maximal temperatur vid korsningen

175

o C

T - Vad?

Användningstemperatur vid kryssningsstationen

-40 till +150

o C

T STG

Lagringstemperatur Räckvidd

-40 till +125

o C

V ISO

Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t=1 mINUT

2500

V

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

ENHET

V CE (sat)

Samlare till emitterare

Mätningsspänning

IC=200A,V Generella =15V, T j =25o C

1.70

2.15

V

IC=200A,V Generella =15V, T j =125o C

1.95

IC=200A,V Generella =15V, T j =150o C

2.00

V Generella (th)

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

IC=5.0mA ,V CE =V Generella , T j =25o C

5.2

6.0

6.8

V

ICES

Samlar Avbrott -Avstängd

Nuvarande

V CE =V CES ,V Generella =0V,

T j =25o C

1.0

mA

IGES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Inre portmotstånd förhandsbeskrivning

3.8

ω

Cies

Inmatningskapacitet

V CE =25V, f=1MHz,

V Generella =0V

20.7

nF

Cres

Omvänd överföring

Kapacitet

0.58

nF

QG

Portavgift

V Generella =- 15...+15V

1.55

μC

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C=200A, R G= 1. 1Ω,V Generella =± 15 V, T j =25o C

150

n

t r

Uppgångstid

32

n

t d (avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

330

n

t f

Hösttid

93

n

Epå

Tänd Växling

Förlust

11.2

mJ

Eavstängd

Avstängning

Förlust

11.3

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C=200A, R G= 1. 1Ω,V Generella =± 15 V, T j = 125o C

161

n

t r

Uppgångstid

37

n

t d (avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

412

n

t f

Hösttid

165

n

Epå

Tänd Växling

Förlust

19.8

mJ

Eavstängd

Avstängning

Förlust

17.0

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C=200A, R G= 1. 1Ω,V Generella =± 15 V, T j = 150o C

161

n

t r

Uppgångstid

43

n

t d (avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

433

n

t f

Hösttid

185

n

Epå

Tänd Växling

Förlust

21.9

mJ

Eavstängd

Avstängning

Förlust

19.1

mJ

ISC

SK-uppgifter

t P≤ 10 μs, V Generella =15V,

T j =150o C,V CC = 900 V, V CEM ≤1200V

800

A

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enheter

V F

Diod framåt

Spänning

IF =200A,V Generella =0V,T j =25o C

1.65

2.10

V

IF =200A,V Generella =0V,T j = 125o C

1.65

IF =200A,V Generella =0V,T j = 150o C

1.65

Qr

Återkrävt avgift

V R =600V,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V Generella =- 15V T j =25o C

17.6

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

228

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

7.7

mJ

Qr

Återkrävt avgift

V R =600V,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V Generella =- 15V T j =125o C

31.8

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

238

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

13.8

mJ

Qr

Återkrävt avgift

V R =600V,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V Generella =- 15V T j =150o C

36.6

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

247

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

15.2

mJ

Symbol

Parameter

Min.

Typ.

Max.

ENHET

LCE

Strömavtryck

22

nH

R CC+EE

Modul blymotstånd Terminal till chip

0.65

mΩ

R tJC

Förbindelse till fall (per IGB) T)

Sammanslagning till fall (per D) jod)

0.095

0.161

K/W

R thCH

Hylsa till värmesänk (per IGBT)

Högsta värmeeffekt (p) diod)

Hylsa till värmesänk (per Modul)

0.146

0.248

0.046

K/W

M

Terminalanslutningsmoment Skruv M5 Monteringsmoment Skruv M5

2.5

2.5

3.5

3.5

N.M

G

Vikt av Modul

200

g