DG120X07T2, IGBT diskret, STARPOWER

Symbol

BESKRIVNING

Värde

ENHET

V CES

Kollektor-emitterspänning

650

V

V GES

Gate-emitter spänning

±20

V

IC

Samlarström @ T C=25o C @ T C=135o C

240

120

A

ICm

Pulsad Samlar Nuvarande t p begränsad av T jmax

360

A

PD

Maximal effekt Dissipation @ T j =175o C

893

W

Symbol

BESKRIVNING

Värde

ENHET

V RRM

Upprepad topp omvänd volt ålder

650

V

IF

Diod kontinuerlig framström @ T C=25o C @ T C=80o C

177

120

A

IFM

Diod Maximal Framåt Nuvarande t p begränsad av T jmax

360

A

Symbol

BESKRIVNING

Värden

ENHET

T - Vad?

Användningstemperatur vid kryssningsstationen

-40 till +175

o C

T STG

Lagrings temperaturintervall

-55 till +150

o C

T S

Lödningstemperatur 1,6 mm f rom-fallet för 10s

260

o C

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

ENHET

V CE (sat)

Samlare till emitterare Mätningsspänning

IC= 120A, V Generella =15V, T j =25o C

1.40

1.85

V

IC= 120A, V Generella =15V, T j =150o C

1.70

IC= 120A, V Generella =15V, T j =175o C

1.75

V Generella (th)

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

IC=1.92mA ,V CE =V Generella , T j =25o C

5.1

5.8

6.5

V

ICES

Samlar Avbrott -Avstängd Nuvarande

V CE =V CES ,V Generella =0V, T j =25o C

250

uA

IGES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

200

nA

R Gint

Inre portmotstånd förhandsbeskrivning

/

ω

Cies

Inmatningskapacitet

V CE =25V, f=100kHz, V Generella =0V

14.1

nF

Cres

Omvänd överföring Kapacitet

0.42

nF

QG

Portavgift

V Generella =-15 ...+15V

0.86

uC

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =300V,I C= 120A, R G= 7,5Ω,

V Generella =± 15 V, LS =40nH ,T j =25o C

68

n

t r

Uppgångstid

201

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

166

n

t f

Hösttid

54

n

Epå

Tänd Växling Förlust

7.19

mJ

Eavstängd

Avstängning Förlust

2.56

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =300V,I C= 120A, R G= 7,5Ω,

V Generella =± 15 V, LS =40nH ,T j =150o C

70

n

t r

Uppgångstid

207

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

186

n

t f

Hösttid

106

n

Epå

Tänd Växling Förlust

7.70

mJ

Eavstängd

Avstängning Förlust

2.89

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =300V,I C= 120A, R G= 7,5Ω,

V Generella =± 15 V, LS =40nH ,T j =175o C

71

n

t r

Uppgångstid

211

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

195

n

t f

Hösttid

139

n

Epå

Tänd Växling Förlust

7.80

mJ

Eavstängd

Avstängning Förlust

2.98

mJ

ISC

SK-uppgifter

t P≤6μs, V Generella =15V,

T j =150 o C,V CC = 300 V, V CEM ≤ 650 V

600

A

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

ENHET

V F

Diod framåt Spänning

IF = 120A, V Generella =0V,T j =25o C

1.65

2.10

V

IF = 120A, V Generella =0V,T j =150o C

1.60

IF = 120A, V Generella =0V,T j =175o C

1.60

t rr

Diod omvänd Återhämtningstid

V R =300V,I F = 120A,

-di/dt=450 A/μs,V Generella =-15V LS =40nH ,T j =25o C

184

n

Qr

Återkrävt avgift

1.65

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

17.2

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

0.23

mJ

t rr

Diod omvänd Återhämtningstid

V R =300V,I F = 120A,

-di/dt=450 A/μs,V Generella =-15V LS =40nH ,T j =150o C

221

n

Qr

Återkrävt avgift

3.24

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

23.1

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

0.53

mJ

t rr

Diod omvänd Återhämtningstid

V R =300V,I F = 120A,

-di/dt=450 A/μs,V Generella =-15V LS =40nH ,T j =175o C

246

n

Qr

Återkrävt avgift

3.98

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

26.8

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

0.64

mJ

Symbol

Parameter

Min.

Typ.

Max.

ENHET

R tJC

Förbindelse till fall (per IGB) T) Sammanslagning till fall (per D) jod)

0.168 0.369

K/W

R tJA

Sammanslutning med omgivning

40

K/W