En vänlig påminnelse. :F eller mer IGBT diskret, skicka ett e-postmeddelande.
Funktioner
- Låg VCE(sat) Trench IGBT-teknik
- Låga bytesförluster
- Maximal temperatur vid sammankopplingen 175oC
- VCE(sat) med positiv temperaturkoefficient
- Snabb och mjuk omvänd återhämtning anti-parallel FWD
- Förpackning utan bly
Typisk Tillämpningar
- Inverterare för motordrivning
- Förstärkare för AC- och DC-servoanström
- Oavbrutbar strömförsörjning
Absolut Maximal Betyg T C =25o C om inte i annat fall noterat
IGBT
Symbol |
Beskrivning |
Värde |
Enhet |
V CES |
Kollektor-emitterspänning |
650 |
V |
V GES |
Gate-emitter spänning |
±20 |
V |
Jag C |
Samlarström @ T C =25o C @ T C =135o C |
240
120
|
A |
Jag CM |
Pulsad Samlar Nuvarande t p begränsad av T jmax |
360 |
A |
P D |
Maximal effekt Dissipation @ T j =175o C |
893 |
W |
Diod
Symbol |
Beskrivning |
Värde |
Enhet |
V RRM |
Upprepad topp omvänd volt ålder |
650 |
V |
Jag F |
Diod kontinuerlig framström @ T C =25o C @ T C =80o C |
177
120
|
A |
Jag FM |
Diod Maximal Framåt Nuvarande t p begränsad av T jmax |
360 |
A |
Diskret
Symbol |
Beskrivning |
Värden |
Enhet |
T - Vad? |
Användningstemperatur vid kryssningsstationen |
-40 till +175 |
o C |
T STG |
Lagrings temperaturintervall |
-55 till +150 |
o C |
T S |
Lödningstemperatur 1,6 mm f rom-fallet för 10s |
260 |
o C |
IGBT Egenskaper T C =25o C om inte i annat fall noterat
Symbol |
Parameter |
Testförhållanden |
Min. |
Typ. |
Max. |
Enhet |
|
V CE (sat)
|
Samlare till emitterare Mätningsspänning
|
Jag C = 120A, V Generella =15V, T j =25o C |
|
1.40 |
1.85 |
V
|
Jag C = 120A, V Generella =15V, T j =150o C |
|
1.70 |
|
Jag C = 120A, V Generella =15V, T j =175o C |
|
1.75 |
|
V Generella (th ) |
Gränssnitt för gate-emitterare Spänning |
Jag C =1.92mA ,V CE =V Generella , T j =25o C |
5.1 |
5.8 |
6.5 |
V |
Jag CES |
Samlar Avbrott -Avstängd Nuvarande |
V CE =V CES ,V Generella =0V, T j =25o C |
|
|
250 |
uA |
Jag GES |
Läckage i port-sändaren Nuvarande |
V Generella =V GES ,V CE =0V, T j =25o C |
|
|
200 |
nA |
R Gint |
Inre portmotstånd förhandsbeskrivning |
|
|
/ |
|
ω |
C ies |
Inmatningskapacitet |
V CE =25V, f=100kHz, V Generella =0V |
|
14.1 |
|
nF |
C res |
Omvänd överföring Kapacitet |
|
0.42 |
|
nF |
Q G |
Portavgift |
V Generella =-15 ...+15V |
|
0.86 |
|
uC |
t d (på ) |
Tidsfördröjning för på- |
V CC =300V,I C = 120A, R G = 7,5Ω,
V Generella =± 15 V, L S =40nH ,T j =25o C
|
|
68 |
|
n |
t r |
Uppgångstid |
|
201 |
|
n |
t d(off) |
Avstängning Fördröjningstider |
|
166 |
|
n |
t f |
Hösttid |
|
54 |
|
n |
E på |
Tänd Växling Förlust |
|
7.19 |
|
mJ |
E avstängd |
Avstängning Förlust |
|
2.56 |
|
mJ |
t d (på ) |
Tidsfördröjning för på- |
V CC =300V,I C = 120A, R G = 7,5Ω,
V Generella =± 15 V, L S =40nH ,T j =150o C
|
|
70 |
|
n |
t r |
Uppgångstid |
|
207 |
|
n |
t d(off) |
Avstängning Fördröjningstider |
|
186 |
|
n |
t f |
Hösttid |
|
106 |
|
n |
E på |
Tänd Växling Förlust |
|
7.70 |
|
mJ |
E avstängd |
Avstängning Förlust |
|
2.89 |
|
mJ |
t d (på ) |
Tidsfördröjning för på- |
V CC =300V,I C = 120A, R G = 7,5Ω,
V Generella =± 15 V, L S =40nH ,T j =175o C
|
|
71 |
|
n |
t r |
Uppgångstid |
|
211 |
|
n |
t d(off) |
Avstängning Fördröjningstider |
|
195 |
|
n |
t f |
Hösttid |
|
139 |
|
n |
E på |
Tänd Växling Förlust |
|
7.80 |
|
mJ |
E avstängd |
Avstängning Förlust |
|
2.98 |
|
mJ |
|
Jag SC
|
SK-uppgifter
|
t P ≤6μs, V Generella =15V,
T j =150 o C,V CC = 300 V, V CEM ≤ 650 V
|
|
600
|
|
A
|
Diod Egenskaper T C =25o C om inte i annat fall noterat
Symbol |
Parameter |
Testförhållanden |
Min. |
Typ. |
Max. |
Enhet |
|
V F
|
Diod framåt Spänning |
Jag F = 120A, V Generella =0V,T j =25o C |
|
1.65 |
2.10 |
V
|
Jag F = 120A, V Generella =0V,T j =150o C |
|
1.60 |
|
Jag F = 120A, V Generella =0V,T j =175o C |
|
1.60 |
|
t rr |
Diod omvänd Återhämtningstid |
V R =300V,I F = 120A,
-di/dt=450 A/μs,V Generella =-15V L S =40nH ,T j =25o C
|
|
184 |
|
n |
Q r |
Återkrävt avgift |
|
1.65 |
|
μC |
Jag RM |
Höjdpunkt omvänd
Återställningsström
|
|
17.2 |
|
A |
E rec |
Omvänd återhämtning Energi |
|
0.23 |
|
mJ |
t rr |
Diod omvänd Återhämtningstid |
V R =300V,I F = 120A,
-di/dt=450 A/μs,V Generella =-15V L S =40nH ,T j =150o C
|
|
221 |
|
n |
Q r |
Återkrävt avgift |
|
3.24 |
|
μC |
Jag RM |
Höjdpunkt omvänd
Återställningsström
|
|
23.1 |
|
A |
E rec |
Omvänd återhämtning Energi |
|
0.53 |
|
mJ |
t rr |
Diod omvänd Återhämtningstid |
V R =300V,I F = 120A,
-di/dt=450 A/μs,V Generella =-15V L S =40nH ,T j =175o C
|
|
246 |
|
n |
Q r |
Återkrävt avgift |
|
3.98 |
|
μC |
Jag RM |
Höjdpunkt omvänd
Återställningsström
|
|
26.8 |
|
A |
E rec |
Omvänd återhämtning Energi |
|
0.64 |
|
mJ |
Diskret Egenskaper T C =25o C om inte i annat fall noterat
Symbol |
Parameter |
Min. |
Typ. |
Max. |
Enhet |
R tJC |
Förbindelse till fall (per IGB) T) Sammanslagning till fall (per D) jod) |
|
|
0.168 0.369 |
K/W |
R tJA |
Sammanslutning med omgivning |
|
40 |
|
K/W |