Kort introduktion
IGBT-modul , producerad av StarPower. 1200V 900A.
Funktioner
- Låg VCE(sat) Trench IGBT-teknik
- Kortcirkulatör
- VCE(sat) med positiv temperaturkoefficient
-
Maximal sammanslagningstemperatur 175oC
- Låg induktanshus
- Snabb och mjuk omvänd återhämtning anti-parallel FWD
- Isolerad kopparbasplatt med DBC-teknik
Typisk Tillämpningar
-
Hybrid och el v - Självklart.
-
Inverter för motordrivning
-
Oavbruten kraft r strömförsörjning
Absolut Maximal Betyg T C =25o C om inte i annat fall noterat
IGBT
Symbol |
Beskrivning |
Värden |
Enhet |
V CES |
Kollektor-emitterspänning |
1200 |
V |
V GES |
Gate-emitter spänning |
±20 |
V |
Jag C |
Samlarström @ T C =90o C |
900 |
A |
Jag CM |
Pulsad samlarström t p =1 ms |
1800 |
A |
P D |
Maximal effekt Dissipation @ T j =175o C |
3409 |
W |
Diod
Symbol |
Beskrivning |
Värden |
Enhet |
V RRM |
Upprepad topp omvänd volt ålder |
1200 |
V |
Jag F |
Diod kontinuerlig framåtström hyra |
900 |
A |
Jag FM |
Diodens maximala framåtriktade ström t p =1 ms |
1800 |
A |
Jag FSM |
Överspännings framström t p =10ms @ T j =25o C @ T j =150o C |
4100
3000
|
A |
Jag 2t |
Jag 2t-värde, t p =10ms @ T j =25o C
@ T j =150o C
|
84000
45000
|
A 2s |
Modul
Symbol |
Beskrivning |
Värde |
Enhet |
T jmax |
Maximal temperatur vid korsningen |
175 |
o C |
T - Vad? |
Användningstemperatur vid kryssningsstationen |
-40 till +150 |
o C |
T STG |
Lagrings temperaturintervall |
-40 till +125 |
o C |
V ISO |
Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t =1min |
2500 |
V |
IGBT Egenskaper T C =25o C om inte i annat fall noterat
Symbol |
Parameter |
Testförhållanden |
Min. |
Typ. |
Max. |
Enhet |
|
V CE (sat)
|
Samlare till emitterare
Mätningsspänning
|
Jag C =900A,V Generella =15V, T j =25o C |
|
1.40 |
1.85 |
V
|
Jag C =900A,V Generella =15V, T j =125o C |
|
1.60 |
|
Jag C =900A,V Generella =15V, T j =175o C |
|
1.65 |
|
V Generella (th ) |
Gränssnitt för gate-emitterare Spänning |
Jag C =24.0mA ,V CE =V Generella , T j =25o C |
5.5 |
6.3 |
7.0 |
V |
Jag CES |
Samlar Avbrott -Avstängd
Nuvarande
|
V CE =V CES ,V Generella =0V,
T j =25o C
|
|
|
1.0 |
mA |
Jag GES |
Läckage i port-sändaren Nuvarande |
V Generella =V GES ,V CE =0V, T j =25o C |
|
|
400 |
nA |
R Gint |
Inre portmotstånd förhandsbeskrivning |
|
|
0.5 |
|
ω |
C ies |
Inmatningskapacitet |
V CE =25V, f=100kHz, V Generella =0V |
|
51.5 |
|
nF |
C res |
Omvänd överföring
Kapacitet
|
|
0.36 |
|
nF |
Q G |
Portavgift |
V Generella =- 15...+15V |
|
13.6 |
|
μC |
t d (på ) |
Tidsfördröjning för på- |
V CC =600V,I C =900A, R G = 0,51Ω, L S = 40nH, V Generella =-8V/+15V,
T j =25o C
|
|
330 |
|
n |
t r |
Uppgångstid |
|
140 |
|
n |
t d(off) |
Avstängning Fördröjningstider |
|
842 |
|
n |
t f |
Hösttid |
|
84 |
|
n |
E på |
Tänd Växling
Förlust
|
|
144 |
|
mJ |
E avstängd |
Avstängning
Förlust
|
|
87.8 |
|
mJ |
t d (på ) |
Tidsfördröjning för på- |
V CC =600V,I C =900A, R G = 0,51Ω, L S = 40nH, V Generella =-8V/+15V,
T j =125o C
|
|
373 |
|
n |
t r |
Uppgångstid |
|
155 |
|
n |
t d(off) |
Avstängning Fördröjningstider |
|
915 |
|
n |
t f |
Hösttid |
|
135 |
|
n |
E på |
Tänd Växling
Förlust
|
|
186 |
|
mJ |
E avstängd |
Avstängning
Förlust
|
|
104 |
|
mJ |
t d (på ) |
Tidsfördröjning för på- |
V CC =600V,I C =900A, R G = 0,51Ω, L S = 40nH, V Generella =-8V/+15V,
T j =175o C
|
|
390 |
|
n |
t r |
Uppgångstid |
|
172 |
|
n |
t d(off) |
Avstängning Fördröjningstider |
|
950 |
|
n |
t f |
Hösttid |
|
162 |
|
n |
E på |
Tänd Växling
Förlust
|
|
209 |
|
mJ |
E avstängd |
Avstängning
Förlust
|
|
114 |
|
mJ |
|
Jag SC
|
SK-uppgifter
|
t P ≤ 8 μs,V Generella =15V,
T j =150o C,V CC =800V, V CEM ≤1200V
|
|
3200
|
|
A
|
|
t P ≤ 6 μs,V Generella =15V,
T j =175o C,V CC =800V, V CEM ≤1200V
|
|
3000
|
|
A
|
Diod Egenskaper T C =25o C om inte i annat fall noterat
Symbol |
Parameter |
Testförhållanden |
Min. |
Typ. |
Max. |
Enheter |
|
V F
|
Diod framåt
Spänning
|
Jag F =900A,V Generella =0V,T j =25o C |
|
1.55 |
2.00 |
V
|
Jag F =900A,V Generella =0V,T j =125o C |
|
1.65 |
|
Jag F =900A,V Generella =0V,T j =175o C |
|
1.55 |
|
Q r |
Återkrävt avgift |
V R =600V,I F =900A,
-di/dt=4930A/μs,V Generella = 8 V, L S =40nH ,T j =25o C
|
|
91.0 |
|
μC |
Jag RM |
Höjdpunkt omvänd
Återställningsström
|
|
441 |
|
A |
E rec |
Omvänd återhämtning Energi |
|
26.3 |
|
mJ |
Q r |
Återkrävt avgift |
V R =600V,I F =900A,
-di/dt=4440A/μs,V Generella = 8 V, L S =40nH ,T j =125o C
|
|
141 |
|
μC |
Jag RM |
Höjdpunkt omvänd
Återställningsström
|
|
493 |
|
A |
E rec |
Omvänd återhämtning Energi |
|
42.5 |
|
mJ |
Q r |
Återkrävt avgift |
V R =600V,I F =900A,
-di/dt=4160A/μs,V Generella = 8 V, L S =40nH ,T j =175o C
|
|
174 |
|
μC |
Jag RM |
Höjdpunkt omvänd
Återställningsström
|
|
536 |
|
A |
E rec |
Omvänd återhämtning Energi |
|
52.4 |
|
mJ |
NTC Egenskaper T C =25o C om inte i annat fall noterat
Symbol |
Parameter |
Testförhållanden |
Min. |
Typ. |
Max. |
Enhet |
R 25 |
Nominellt motstånd |
|
|
5.0 |
|
kΩ |
∆R/R |
Avvikelse av R 100 |
T C =100 o C ,R 100=493.3Ω |
-5 |
|
5 |
% |
P 25 |
Ström
Dissipation
|
|
|
|
20.0 |
mW |
B 25/50 |
B-värde |
R 2=R 25exp [B 25/50(1/T 2-
1/(298.15K))]
|
|
3375 |
|
K |
B 25/80 |
B-värde |
R 2=R 25exp [B 25/80(1/T 2-
1/(298.15K))]
|
|
3411 |
|
K |
B 25/100 |
B-värde |
R 2=R 25exp [B 25/100(1/T 2-
1/(298.15K))]
|
|
3433 |
|
K |
Modul Egenskaper T C =25o C om inte i annat fall noterat
Symbol |
Parameter |
Min. |
Typ. |
Max. |
Enhet |
L CE |
Strömavtryck |
|
20 |
|
nH |
R CC+EE |
Modul blymotstånd, terminal till chip |
|
0.80 |
|
mΩ |
R tJC |
Förbindelse till fall (per IGB) T)
Sammanslagning till förpackning (per Di) (s.d.)
|
|
|
0.044
0.076
|
K/W |
|
R thCH
|
Hylsa till värmesänk (per IGBT)
Kapsling-till-kylfläns (pe r diod)
Hylsa till värmesänk (per Modul)
|
|
0.028
0.049
0.009
|
|
K/W |
M |
Terminalanslutningsmoment Skruv M6 Monteringsmoment Skruv M5 |
3.0
3.0
|
|
6.0
6.0
|
N.M |
G |
Vikt av Modul |
|
350 |
|
g |
EN
